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C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM29LV800BA接口技術(shù)
- C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對(duì)實(shí)時(shí)數(shù)字信號(hào)處理而設(shè)計(jì)的數(shù)字信號(hào)處理器，由于它具有計(jì)算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn)，非常適合應(yīng)用于嵌入式實(shí)時(shí)系統(tǒng)。FLASH存儲(chǔ)器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲(chǔ)器，屬于EEPROM器件，與其它的
- 關(guān)鍵字： MBM29LV800BA 接口 技術(shù) 存儲(chǔ)器 FLASH C6701 DSP 處理器
基于CAN總線的大容量漢字火災(zāi)樓層顯示器設(shè)計(jì)
- 1引言火災(zāi)樓層顯示器作為火災(zāi)自動(dòng)報(bào)警系統(tǒng)的重要組成部分，是一種安裝在樓層或獨(dú)立防火區(qū)中的數(shù)字式火...
- 關(guān)鍵字： 火災(zāi)報(bào)警 CAN總線 樓層顯示器 FLASH 漢字液晶
NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)
- NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì),摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)方案，詳細(xì)闡述了壞塊映射表的建立、維護(hù)及其相關(guān)算法，同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測(cè)試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 管理 Flash NAND
NAND Flash管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)
- 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級(jí)和頁(yè)級(jí)兩級(jí)地址映射機(jī)制以及映射信息在flash的存儲(chǔ)定義，同時(shí)還提出了對(duì)flash的分區(qū)方法。
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) 算法 管理 Flash NAND
分析稱臺(tái)系DRAM廠明年可望大幅增長(zhǎng)
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺(tái)系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬(wàn)6千片提升至5萬(wàn)片，明年上半年可達(dá)6萬(wàn)片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬(wàn)片提升至滿載產(chǎn)能13萬(wàn)片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRA
- 關(guān)鍵字： 南科 DRAM Flash
NAND Flash跌價(jià)深 上游大廠開(kāi)始對(duì)模塊廠讓步
- NAND Flash價(jià)格經(jīng)歷一段大修正后，原本對(duì)于價(jià)格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對(duì)庫(kù)存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開(kāi)始松動(dòng)，部分模塊廠開(kāi)始回補(bǔ)一些庫(kù)存，不過(guò)，全球兩大NAND Flash陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因?yàn)橛刑O果(Apple)訂單的撐腰，對(duì)于價(jià)格仍是相當(dāng)強(qiáng)硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補(bǔ)丸。 近期NAND Flash價(jià)格修正頗深，除了歐洲和美國(guó)市場(chǎng)需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND Flash
分析稱臺(tái)系DRAM廠2011年可望大幅增長(zhǎng)
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺(tái)系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬(wàn)6千片提升至5萬(wàn)片，明年上半年可達(dá)6萬(wàn)片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬(wàn)片提升至滿載產(chǎn)能13萬(wàn)片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRA
- 關(guān)鍵字： 南科 DRAM Flash
臺(tái)系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)
- 根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報(bào)告指出，臺(tái)系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬(wàn)6千片提升至5萬(wàn)片，明年上半年可達(dá)6萬(wàn)片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬(wàn)片提升至滿載產(chǎn)能13萬(wàn)片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRAM廠之冠。
- 關(guān)鍵字： 南科 DRAM Flash
NAND Flash市況兩極 靜待8月底補(bǔ)貨潮
- 2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價(jià)卻還是跌不停，存儲(chǔ)器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強(qiáng)勁，但零售市場(chǎng)買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價(jià)給拉下來(lái)，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫(kù)存水位較高，但又不愿降價(jià)，與模塊廠陷入僵局。 近期大陸因?yàn)閬嗊\(yùn)因素，
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flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲(chǔ)器，由浮柵型場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對(duì)靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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