flir cmos 文章進(jìn)入flir cmos技術(shù)社區(qū)

英飛凌推出最小的天線調(diào)諧專用開(kāi)關(guān)

　　英飛凌科技股份公司針對(duì)射頻前端擴(kuò)大高效集成電路解決方案產(chǎn)品組合，推出一款天線調(diào)諧專用開(kāi)關(guān)。新款天線調(diào)諧開(kāi)關(guān)(Aperture tuning)對(duì)提升4G智能手機(jī)和平板電腦的終端用戶體驗(yàn)助益匪淺。該新產(chǎn)品從根本上優(yōu)化天線特性，在相關(guān)的LTE頻帶上可讓運(yùn)行中的數(shù)據(jù)率達(dá)到最高水平。BGS1xGN10系列開(kāi)關(guān)采用市面上最小封裝，這對(duì)新一代智能手機(jī)和其他便攜式設(shè)備等空間受限的應(yīng)用而言至關(guān)重要。此外，該系列進(jìn)一步降低電流消耗，延長(zhǎng)此類設(shè)備的待機(jī)和工作時(shí)間。　　采用英飛凌射頻CMOS開(kāi)關(guān)技術(shù)的天線調(diào)諧專用開(kāi)關(guān)有利于開(kāi)
關(guān)鍵字：英飛凌 BGSA14GN10 CMOS

英飛凌面向智能電話和平板電腦的射頻開(kāi)關(guān)出貨量突破10億大關(guān) Bulk RF CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)最快增速

　　英飛凌科技股份公司近日宣布，其用于智能電話和平板電腦的射頻開(kāi)關(guān)的出貨量已經(jīng)突破10億大關(guān)。這凸顯了英飛凌作為發(fā)展速度最快的射頻開(kāi)關(guān)領(lǐng)先供應(yīng)商之一的地位。預(yù)計(jì)，今后數(shù)年，隨著新一代智能電話和平板電腦集成越來(lái)越多的LTE頻段，射頻開(kāi)關(guān)需求將呈兩位數(shù)增長(zhǎng)?！　‰S著4G/LTE手機(jī)可支持的工作頻段和運(yùn)行模式越來(lái)越多，其射頻前端部件設(shè)計(jì)日益復(fù)雜、苛刻。除形形色色的頻段或模式選擇應(yīng)用之外，天線開(kāi)關(guān)也是射頻前端至關(guān)重要的主要組件。這些天線開(kāi)關(guān)要么可以選擇連接至4G/LTE主用天線的發(fā)射(TX)/接收(RX)通道，要
關(guān)鍵字：英飛凌 LTE CMOS

RFaxis推出新款純CMOS大功率放大器

　　專注于為無(wú)線連接和蜂窩移動(dòng)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)創(chuàng)新型下一代射頻(RF)解決方案的領(lǐng)先無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，該公司用于無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)(WLAN)應(yīng)用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產(chǎn)?！　FX241最新加入RFaxis瞄準(zhǔn)快速增長(zhǎng)的無(wú)線接入點(diǎn)(AP)、路由器(Router)、機(jī)頂盒(STB)、家庭網(wǎng)關(guān)(HGW)、熱點(diǎn)(Hotspot)等無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)的純CMOS大功率CMOS PA產(chǎn)品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內(nèi)的目前市場(chǎng)上
關(guān)鍵字： RFaxis RF CMOS

德國(guó)開(kāi)發(fā)出可耐高溫的新型微芯片

　　在地?zé)嵘a(chǎn)和石油生產(chǎn)過(guò)程中溫度通常會(huì)超過(guò)200℃，高于設(shè)備所用的傳統(tǒng)微芯片一般能耐受的最高溫度。德國(guó)弗勞恩霍夫微電子電路與系統(tǒng)研究所(IMS)的研究人員近日開(kāi)發(fā)出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達(dá)300℃的溫度下也能正常工作。　　傳統(tǒng)的CMOS芯片有時(shí)能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會(huì)迅速下降。還有一種方法是對(duì)熱敏感的微芯片實(shí)施持續(xù)冷卻，但是很難實(shí)現(xiàn)。此外，市場(chǎng)上也存在專門的高溫芯片，但是尺寸過(guò)大(最小尺寸也達(dá)1微米)。　　IMS開(kāi)發(fā)的微芯片尺寸僅有0
關(guān)鍵字：微芯片 CMOS

一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介

因?yàn)镸OS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設(shè)備。由于未來(lái)CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì)遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，于是采用襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設(shè)計(jì)就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號(hào)加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號(hào)通路上得以避開(kāi)。襯底驅(qū)動(dòng)MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也就是一個(gè)耗盡型器件，它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
關(guān)鍵字： MOS CMOS

研究表明新三維封裝技術(shù)將提高智能移動(dòng)設(shè)備性能

當(dāng)平面工藝已經(jīng)無(wú)法滿足對(duì)于性能提升的需求時(shí)，3D架構(gòu)是業(yè)界首先能想到的提升方式。
關(guān)鍵字： CMOS 納米

卓勝微電子向三星累積出貨已超2000萬(wàn)顆

　　作為專注在WiFi、藍(lán)牙、GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應(yīng)商，卓勝微電子今日宣布，公司GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆。　　“卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能?！弊縿傥㈦娮涌偨?jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機(jī)市場(chǎng)的領(lǐng)先者，三星對(duì)產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求，同時(shí)它對(duì)合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力?！? 　　卓勝微電子的GPS
關(guān)鍵字：卓勝微電子 CMOS

卓勝微電子宣布MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆

　　2014年5月5日，作為專注在WiFi，藍(lán)牙，GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應(yīng)商，卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆。　　“卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機(jī)市場(chǎng)的領(lǐng)先者，三星對(duì)產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求，同時(shí)它對(duì)合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力。” 　　卓勝微電子的G
關(guān)鍵字： GPSLNA 卓勝 RF CMOS

分析師預(yù)測(cè)2019年MRAM市場(chǎng)可達(dá)21億美元

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)CoughlinAssociates的最新報(bào)告預(yù)測(cè)，磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)──包含磁場(chǎng)感應(yīng)(field-induced)以及自旋力矩轉(zhuǎn)移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來(lái)因?yàn)槿〈鶧RAM與SRAM而繁榮發(fā)展。　　CoughlinAssociates的報(bào)告指出，因?yàn)榫邆涫‰娕c非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)?？赏?013年的1.9億美元左右，到2019年成長(zhǎng)至21億美元;期間的復(fù)合年平均成長(zhǎng)率(CAGR)估計(jì)為50%。
關(guān)鍵字： MRAM CMOS

Diodes雙門邏輯系列有效延長(zhǎng)電池壽命

　　Diodes公司?(Diodes?Incorporated)?推出先進(jìn)的74AUP2G雙門超低功率?CMOS微型邏輯器件系列，為低壓和低功耗模式設(shè)計(jì)，可延長(zhǎng)手機(jī)、電子書(shū)閱讀器及平板電腦等多種掌上消費(fèi)性電子產(chǎn)品的電池壽命?！　∵@款邏輯器件的漏電流少于0.9?μA，達(dá)到低靜態(tài)功耗的效果。其功耗電容在3.6V供電下一般為6pF，可將動(dòng)態(tài)功耗降到最低。74AUP2G系列提供從0.8V到3.6V的供電電壓范圍，使電路供電降到最低等級(jí)?！　∪鲁凸β?4AUP2
關(guān)鍵字： Diodes 電池 CMOS

先進(jìn)封裝技術(shù)：可穿戴電子設(shè)備成功的關(guān)鍵

　　最近以來(lái)智能手表、體征監(jiān)測(cè)等穿戴式電子設(shè)備受到業(yè)界的極大關(guān)注，但市場(chǎng)一直處于“雷聲大，雨點(diǎn)小”的狀態(tài)。究其原因，有以下幾個(gè)因素制約了穿戴式電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)突破：小型化低功耗技術(shù)還滿足不了需求、“殺手級(jí)”應(yīng)用服務(wù)缺失、外觀工藝粗糙、用戶使用習(xí)慣仍需培養(yǎng)?！　募夹g(shù)層面上看，先進(jìn)封裝將是穿戴式電子取得成功的關(guān)鍵技術(shù)之一，特別是系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)以及3D封裝等。據(jù)深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)秘書(shū)長(zhǎng)蔡錦江介紹，2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內(nèi)鏡就采用SiP技術(shù)將光學(xué)鏡頭、應(yīng)用處理器、
關(guān)鍵字：穿戴式 SiP 3D CMOS

東芝為監(jiān)控?cái)z像頭和行車記錄儀推出VGA CMOS圖像傳感器

　　支持在低光條件下捕獲高靈敏度視頻　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)今天宣布，該公司將在4月底開(kāi)始批量生產(chǎn)用于監(jiān)控?cái)z像頭和行車記錄器的1/4英寸VGA?CMOS圖像傳感器“TCM3211PB”?！　∵@款新傳感器采用5.6?μm大像素，提高了低光敏感度。即使在月光[1]，也可以捕獲明亮的圖像?！　≡搨鞲衅鬟€整合了基于東芝算法的單幀HDR(高動(dòng)態(tài)范圍)功能[2]?。它可以減少假色[3]?，并能夠真實(shí)再現(xiàn)高對(duì)比度圖像的黑暗和明亮區(qū)域?！　≡摦a(chǎn)品的60?
關(guān)鍵字：東芝 CMOS 傳感器

數(shù)字鐘設(shè)計(jì)與制作

　　本文采用CMOS數(shù)字集成電路實(shí)現(xiàn)了一種數(shù)字鐘電路，該電路設(shè)計(jì)包括了時(shí)序邏輯電路、組合邏輯電路、數(shù)碼管顯示電路和脈沖信號(hào)產(chǎn)生電路等內(nèi)容，內(nèi)容涉及面寬、綜合性強(qiáng)，是電子技術(shù)自主性實(shí)驗(yàn)教學(xué)的典型案例
關(guān)鍵字：數(shù)字鐘 CMOS CD4518 BCD-7

基于視覺(jué)的駕駛員輔助嵌入式系統(tǒng)(上)

　　本文簡(jiǎn)要描述了基于攝像頭的主動(dòng)安全系統(tǒng)的應(yīng)用、引入它的動(dòng)機(jī)及好處。此外，本文還介紹了視覺(jué)處理的未來(lái)解決方案與技術(shù)進(jìn)步，可確保在功率有限的情況下實(shí)現(xiàn)最大性能。適用于前照燈控制、車道保持、交通標(biāo)志識(shí)別及防碰撞功能的多功能前置攝像頭解決方案，目前使用分辨率高達(dá)120萬(wàn)像素、每秒30幀的CMOS成像儀。隨著新一代傳感器的推出，分辨率將進(jìn)一步提高。要在惡劣的天氣和照明條件下可靠地檢測(cè)物體，需要復(fù)雜的算法。車道保持、自動(dòng)緊急剎車或交通擁堵輔助等半自動(dòng)駕駛員輔助功能需要帶有算法冗余的ASIL D安全級(jí)別，但所有這些
關(guān)鍵字：嵌入式 CMOS FPGA MAC

非制冷紅外焦平面陣列電路設(shè)計(jì)

　　針對(duì)SOI二極管型非制冷紅外探測(cè)器，設(shè)計(jì)了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調(diào)制積分(GMI)結(jié)構(gòu)，將探測(cè)器輸出電壓信號(hào)轉(zhuǎn)化為電流信號(hào)進(jìn)行積分。設(shè)計(jì)了虛擬電流源結(jié)構(gòu)，消除線上壓降(IR drop)對(duì)信號(hào)造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)，5V電源電壓供電。當(dāng)探測(cè)器輸出信號(hào)變化范圍為0~5mV時(shí)，讀出電路仿真結(jié)果表明：動(dòng)態(tài)輸出范圍2V，線性度99.68%，信號(hào)輸出頻率5MHz，功耗116mW。
關(guān)鍵字：紅外 ROIC CMOS SOI GMI 201404