flir cmos 文章 進(jìn)入flir cmos技術(shù)社區(qū)
非制冷紅外焦平面陣列電路設(shè)計(jì)
- 針對SOI二極管型非制冷紅外探測器，設(shè)計(jì)了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調(diào)制積分(GMI)結(jié)構(gòu)，將探測器輸出電壓信號轉(zhuǎn)化為電流信號進(jìn)行積分。設(shè)計(jì)了虛擬電流源結(jié)構(gòu)，消除線上壓降(IR drop)對信號造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)，5V電源電壓供電。當(dāng)探測器輸出信號變化范圍為0~5mV時(shí)，讀出電路仿真結(jié)果表明：動態(tài)輸出范圍2V，線性度99.68%，信號輸出頻率5MHz，功耗116mW。
- 關(guān)鍵字： 紅外 ROIC CMOS SOI GMI 201404
一種14位210MSPS校準(zhǔn)電流DAC設(shè)計(jì)
- 本文設(shè)計(jì)了一種3.3V 14位210MSPS 電流型DAC。該轉(zhuǎn)換器包括高速模擬開關(guān)、帶隙參考電路、電流調(diào)整電路和高速鎖存器等。采用了分段電流沉結(jié)構(gòu)，同時(shí)還采取了電流源調(diào)整技術(shù)，改善了芯片的線性參數(shù)。電路基于0.35μm CMOS工藝設(shè)計(jì)，芯片面積3.8mm2。測試表明，其刷新率可達(dá)210MSPS，INL為±0.8LSB，DNL為±0.5LSB，SFDR@fclk=210MSPS為72dBC@fout=5.04MHz，在3.3V電壓下工作時(shí)功耗小于120mW。
- 關(guān)鍵字： DAC CMOS
一種數(shù)字化的雙向微型無線內(nèi)窺鏡系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 本文提出了一種全新的數(shù)字化的雙向微型無線內(nèi)窺鏡系統(tǒng)， 該系統(tǒng)具有可實(shí)時(shí)觀察病人消化道圖像、全消化道檢查、提供三維深度圖像數(shù)據(jù)等功能。 對消化道疾病的檢查， 目前最常用和最直接有效的方法就是內(nèi)窺鏡檢查， 它在消化道疾病的診斷中起著極為重要的作用。但現(xiàn)有的常用內(nèi)窺鏡系統(tǒng)都不得不帶有引導(dǎo)插管， 給系統(tǒng)操作帶來不便， 同時(shí)給檢查病人也帶來很大的痛苦， 而且檢查的部位受到限制， 無法實(shí)現(xiàn)對小腸部分的檢查。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展， 以色列人開發(fā)出了無線內(nèi)窺鏡系統(tǒng)[1]，其發(fā)展還在起步階段， 存在一些局限性， 比如圖像
- 關(guān)鍵字： 無線 CMOS
安森美半導(dǎo)體推出高能效電池監(jiān)測器
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON?Semiconductor，)推出新系列的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)?“電池電量監(jiān)測器”集成電路(IC)，為智能手機(jī)、平板電腦及數(shù)碼相機(jī)等多種便攜電子產(chǎn)品中常用的單節(jié)鋰離子(Li+)電池提供精確的剩余電量等級監(jiān)測。新的LC709201F、LC709202F及LC709203F結(jié)合了高精度等級，以及業(yè)界最低能耗，優(yōu)于執(zhí)行此功能的競爭器件。這些器件還減少元件數(shù)量及降低系統(tǒng)成本，因?yàn)樗鼈兏偁幤骷煌?，并不要求電流感測電阻來組成方案?！ “采腊?/li>
- 關(guān)鍵字： 安森美 LC709201F CMOS 便攜 電池監(jiān)測
一種基于混合信號技術(shù)的汽車電子單芯片設(shè)計(jì)
- 隨著汽車部件電子化程度的不斷提高,汽車工程師們正積極地尋求車輛系統(tǒng)中的先進(jìn)控制和接口技術(shù)解決方案。目前,汽車系統(tǒng)中用來嵌入這些功能單元的空間和能源十分有限,汽車工程師們正借助于新穎的高壓混合信號技術(shù)將復(fù)雜的——截至目前還不兼容的元件功能集成到一塊芯片上?，F(xiàn)在,應(yīng)用與42V車載電壓兼容的I3T高電壓技術(shù)已經(jīng)可以將復(fù)雜的數(shù)字電路(如傳感器)、嵌入式微處理器以及功率電路(如激勵(lì)源或開關(guān)驅(qū)動器)集成到一起。 LIN總線系統(tǒng) 由于其相對較低的造價(jià),LIN總線正被廣泛應(yīng)用于汽車的分布式電氣
- 關(guān)鍵字： AMI CMOS
高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片
- 高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用，標(biāo)志著移動射頻前端技術(shù)的一個(gè)重大進(jìn)展，兩款芯片借助簡化的走線和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線開關(guān)，相信會在集成電路上實(shí)現(xiàn)前所未有的功能。 集成天線開關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA，以及首款用于3G/4GLTE移動終端的包絡(luò)追蹤(ET)芯片QFE1100，都是Qualcomm?RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件，并支持OEM廠商打造用于全球LTE移動網(wǎng)絡(luò)的單
- 關(guān)鍵字： 高通 CMOS
一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片設(shè)計(jì)
- 本文設(shè)計(jì)了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝，芯片總面積為0.53mm2。
- 關(guān)鍵字： 射頻開關(guān) CMOS 開關(guān)芯片 201402
flir cmos介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條flir cmos!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對flir cmos的理解，并與今后在此搜索flir cmos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對flir cmos的理解，并與今后在此搜索flir cmos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
flir cmos電路
flir cmos相關(guān)帖子
flir cmos資料下載
flir cmos專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473