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flir cmos 文章進(jìn)入flir cmos技術(shù)社區(qū)

挑戰(zhàn)毫微安小電流測(cè)量技術(shù)

幾千種應(yīng)用都需要測(cè)試小電流的電路，最常見的是測(cè)量二極管受光照射所產(chǎn)生的光電電流。一些科學(xué)應(yīng)用（如CT...
關(guān)鍵字：毫微安電流電流測(cè)量 JFET CMOS

基于CMOS和紅外傳感器的自動(dòng)尋路小車的設(shè)計(jì)

描述：我們?cè)O(shè)計(jì)的智能尋徑小車主要由路徑檢測(cè)、轉(zhuǎn)向控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車速檢測(cè)和電擁管理等功能模塊以及軟件控制算法組成。小車以飛思卡爾公司的16位單片機(jī)MC9S12DG128B 為核心控制器，根據(jù)黑色與白色反射率的不同.
關(guān)鍵字：小車設(shè)計(jì) 自動(dòng) 傳感器 CMOS 紅外基于

構(gòu)成廉價(jià)電感測(cè)量?jī)x的單個(gè)IC

本設(shè)計(jì)實(shí)例顯示了如何構(gòu)建一個(gè)可靠的低成本的簡(jiǎn)單電感測(cè)量?jī)x。電感測(cè)量?jī)x的基礎(chǔ)是一個(gè)皮爾斯（Pierce）CMOS...
關(guān)鍵字：電感測(cè)量?jī)x 單個(gè)IC CMOS

全局快門像素技術(shù)和CMOS圖像傳感器形成強(qiáng)大的技術(shù)組合

傳統(tǒng)上，全局快門像素技術(shù)主要用于CCD圖像傳感器。由于CMOS圖像傳感器的不斷普及，且由于機(jī)器視覺、電影制作、工業(yè)、汽車和掃描應(yīng)用要求必須以高圖像品質(zhì)捕捉快速移動(dòng)的物體，圖像傳感器供應(yīng)商Aptina公司已經(jīng)致力于克
關(guān)鍵字：技術(shù) 形成強(qiáng)大組合傳感器 CMOS 快門像素全局圖像

寬動(dòng)態(tài)監(jiān)控?cái)z像機(jī)CCD/CMOS－DSP解析

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： DSP CCD CMOS+DPS

CMOS模擬開關(guān)的選擇與典型應(yīng)用

一、前言：早期的模擬開關(guān)大多工作于plusmn;20V 的電源電壓，導(dǎo)通電阻為幾百歐姆，主要用于模擬信號(hào)與數(shù)字控制的接口，近幾年，集成模擬開關(guān)的性能有了很大的提高，它們可工作在非常低的電源電壓，具有較低的導(dǎo)通電
關(guān)鍵字： CMOS 模擬開關(guān) 典型

控制之道-外部機(jī)制為CMOS LDO器件提供限流保護(hù)

功率半導(dǎo)體開發(fā)越來(lái)越趨向在器件支持的功能集中增添新的功能，從而提升電路設(shè)計(jì)靈活性。低壓降(LDO)穩(wěn)壓器的...
關(guān)鍵字： CMOS LDO 限流

用于CMOS圖像傳感器的流水線ADC設(shè)計(jì)及其成像驗(yàn)證

摘要：在對(duì)低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關(guān)注其噪聲外，目前數(shù)字化也是它的一個(gè)重要的研究和設(shè)計(jì)方向，設(shè)計(jì)了...
關(guān)鍵字：流水線ADC CMOS 圖像傳感器 Labview

基于單片機(jī)CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器

基于單片機(jī)CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器引言汽車電子化程度現(xiàn)已成為國(guó)際衡量汽車先進(jìn)水平的重要標(biāo)準(zhǔn)，也正是由于這個(gè)原因推動(dòng)和刺激當(dāng)前汽車電子這一行業(yè)不斷向前發(fā)展，各國(guó)都競(jìng)相發(fā)展，不斷應(yīng)用高新技術(shù)，提高汽車電氣化性能
關(guān)鍵字： CMOS 單片機(jī) 汽車電子調(diào)節(jié)器

亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)（二）

3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測(cè)電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下：主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用，一般T=RC被設(shè)計(jì)為100ns-1000ns之間，而
關(guān)鍵字： VDD-VSSESD CMOS 亞微米電路

亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一，其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān)，隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，特征尺寸越來(lái)越小，管子的柵氧層厚度越來(lái)越
關(guān)鍵字： VDD-VSSESD CMOS 亞微米電路

用于低噪聲CMOS圖像傳感器的流水線ADC設(shè)計(jì)及其成像驗(yàn)證

摘要：在對(duì)低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關(guān)注其噪聲外，目前數(shù)字化也是它的一個(gè)重要的研究和設(shè)計(jì)方向，設(shè)計(jì)了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit，10 Msps的流水線型ADC，并基于0．5mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行
關(guān)鍵字： ADC 設(shè)計(jì) 及其驗(yàn)證流水線傳感器噪聲 CMOS 圖像用于

數(shù)碼相機(jī)的CMOS傳感器知識(shí)介紹

標(biāo)簽：數(shù)碼相機(jī) CMOS數(shù)碼相機(jī)的另一個(gè)靈魂CMOS傳感器隨著2005年Canon(佳能)公司發(fā)布其型號(hào)為EOS D30的專業(yè)級(jí)數(shù)碼相機(jī)后，人們對(duì)CMOS影像傳感器的注意力猛然巨增。這是因?yàn)?，CMOS影像傳感器過(guò)去有著信噪比小、分辨率
關(guān)鍵字：介紹知識(shí) 傳感器 CMOS 數(shù)碼相機(jī)

CCD和CMOS圖像傳感器性能的幾大技術(shù)指標(biāo)

CCD和CMOS是圖像傳感器的兩個(gè)主要類別，都有各自的應(yīng)用領(lǐng)域。但近年來(lái)，CMOS傳感器逐步吞噬了CCD的市場(chǎng)。為什么CMOS傳感器如此受歡迎呢？評(píng)價(jià)一款圖像傳感器性能的技術(shù)指標(biāo)有哪些？下面來(lái)為大家詳細(xì)說(shuō)明。CCD和CMOS圖
關(guān)鍵字：性能技術(shù)指標(biāo) 傳感器圖像 CMOS CCD

淺析CMOS與CCD在內(nèi)部結(jié)構(gòu)與原理的差異

標(biāo)簽：CMOS CCD無(wú)論任何產(chǎn)品，品質(zhì)的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣，而性能優(yōu)劣的關(guān)鍵跟產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工作原理又有著較大的關(guān)系，CCD和CMOS也既如此?；窘M成CCD是在MOS晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，其基本結(jié)構(gòu)是MOS(金屬m
關(guān)鍵字：原理差異結(jié)構(gòu) 內(nèi)部 CMOS CCD 淺析

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