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          任重而道遠(yuǎn):中芯國際將力爭在今年實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)

          •   據(jù)中芯國際集成電路制造有限公司資深研發(fā)副總季明華撰文披露,2010年,中芯國際將加強(qiáng)65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā);同時力爭實(shí) 現(xiàn)45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)。   在第四屆(2009年度)中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評選中,中芯國際有兩項(xiàng)技術(shù)獲獎,其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術(shù)”,其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術(shù)”。   據(jù)介紹,目前,中芯國際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術(shù)的認(rèn)證,并于2009年第三季度
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式  65納米  40納米  CMOS  

          ADI推出高性能、低成本的 CMOS 運(yùn)算放大器

          •   Analog Devices, Inc.(http://www.analog.com/zh ),全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商,今天宣布針對中國市場發(fā)布全新的低成本、高速 CMOS 運(yùn)算放大器 ADA489系列。與其它供應(yīng)商提供的產(chǎn)品相比,ADA4891系列能夠幫助設(shè)計(jì)師以更低的成本和更低的功耗實(shí)現(xiàn)同樣的高速性能。與此同時,ADI 在高速運(yùn)算放大器產(chǎn)品領(lǐng)域的行業(yè)絕對領(lǐng)導(dǎo)地位以及對于中國市場的長期承諾和投入,也確保了中國客戶能夠得到業(yè)界最好的質(zhì)量保證和技術(shù)支持。針對中國市場的需求,ADI 還將彌
          • 關(guān)鍵字: ADI  CMOS  運(yùn)算放大器  ADA489  

          IMEC、瑞薩、M4S聯(lián)手推出單芯片無線收發(fā)器

          •   在2010年2月10日召開的國際固態(tài)電子電路大會上,IMEC、株式會社瑞薩科技(以下簡稱瑞薩)、M4S聯(lián)手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路的完整收發(fā)器。這款完全可重配置的收發(fā)器符合各種無線標(biāo)準(zhǔn)和應(yīng)用要求,并且符合即將推出的移動寬帶3GPP-LTE標(biāo)準(zhǔn)。   可隨時隨地為用戶提供大量服務(wù)的無線通信終端發(fā)展趨勢,推動了利用深亞微米CMOS工藝制造而成的可重配置無線電的發(fā)展。就3GPP-LTE標(biāo)準(zhǔn)自身非常靈活的特性而言,可重配置無線電就成為其最經(jīng)濟(jì)的實(shí)現(xiàn)方式。并
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  40nm  CMOS  無線收發(fā)器  

          愛爾蘭科學(xué)家開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管

          •   愛爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學(xué)家最近宣稱他們成功制出了業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管,并稱此項(xiàng)發(fā)明對10nm級別制程意義重大,可大大簡化晶體管的制造工藝復(fù)雜 程度。這種晶體管采用類似Finfet的結(jié)構(gòu),將晶體管的柵極制成婚戒型的結(jié)構(gòu),并在柵極中心制出硅質(zhì)溝道,溝道的尺寸僅有數(shù)十個原子的直徑加起來那么大。   該研發(fā)團(tuán)隊(duì)是由Jean-Pierre Colinge教授領(lǐng)導(dǎo)的,這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態(tài),而且還具備漏電電流小,門限電壓低以及耐溫性好的優(yōu)點(diǎn),而且還可以兼容于CMOS工藝。   硅溝道中的電
          • 關(guān)鍵字: 晶體管  CMOS  

          格科微CMOS 圖像傳感器產(chǎn)品于中芯國際出貨達(dá)10萬片

          •   作為中國大陸第一大CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)公司的格科微電子于日前宣布該公司在其晶圓伙伴中芯國際集成電路制造有限公司量產(chǎn)的CMOS圖像傳感器8吋晶圓產(chǎn)品出貨達(dá)到10萬片的新里程碑。   牋牋作為大陸地區(qū)首家涉足CMOS圖像傳感器領(lǐng)域并取得成功的專業(yè)CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)公司,格科微擁有創(chuàng)新的CMOS圖像傳感器核心技術(shù)。格科微的CMOS圖像傳感器產(chǎn)品具有尺寸小,功耗低,成本低,產(chǎn)品圖像品質(zhì)好等特點(diǎn)。除此之外具有色彩校正,噪音消除,圖像大小調(diào)整等功能。其晶圓伙伴中芯國際生產(chǎn)格科微圖像傳感器產(chǎn)品采用的0.15
          • 關(guān)鍵字: 格科微  CMOS  圖像傳感器  

          再度出手 三星擬再新增CMOS 8寸廠

          •   三星電子(Samsung Electronics)再度出手,繼2009年下半首度大幅擴(kuò)充產(chǎn)能外,2010年將首度啟動擴(kuò)充產(chǎn)能機(jī)制,預(yù)計(jì)將再新增1座8寸晶圓廠,全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。   據(jù)了解,三星原本已在韓國共有2座8寸廠、1座12寸廠用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器,2座8寸晶圓廠月產(chǎn)能共4萬~4.5萬片,12寸廠月產(chǎn)能2萬~2.5 萬片,2009年下半為滿足客戶龐大需求,已先行在2座8寸晶圓廠內(nèi)每月再新增1.2萬~2萬片產(chǎn)能,不過即便如此,似乎仍無法滿足客戶需求。   據(jù)了解,新的8寸晶
          • 關(guān)鍵字: Samsung  CMOS  晶圓  

          超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)

          •  隨著筆記本電腦、手機(jī)、PDA 等移動設(shè)備的普及,對應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線性穩(wěn)壓器由于具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、低噪聲、
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  穩(wěn)壓器  線性  CMOS  超低  

          巧焊場效應(yīng)管和CMOS集成電路

          • 焊接絕緣柵(或雙柵)場效應(yīng)管以及CMOS集成塊時,因其輸入阻抗很高、極間電容小,少量的靜電荷即會感應(yīng)靜電高壓,導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長期實(shí)踐摸索出下述焊接方法,取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應(yīng)管。
          • 關(guān)鍵字: CMOS    場效應(yīng)管  集成電路    

          監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對比

          • CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
          • 關(guān)鍵字: 傳感器  對比  圖像  CCD  CMOS  監(jiān)控  

          監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器技術(shù)對比

          • CCD(ChargeCoupledDevice)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOSImageSensor以下簡稱CIS)的主要...
          • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  CCD  圖像傳感器  CIS  

          威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器

          •   威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器,這是USB3.0技術(shù)時代業(yè)內(nèi)首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。   USB3.0(即超速USB)的最大數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)5Gbps,是現(xiàn)有USB2.0設(shè)備傳輸速度的10倍;此外,該技術(shù)還能提高外部設(shè)備與主機(jī)控制器之間的互動功能,包括能耗管理上的重要改進(jìn)。   VIA VL810由威盛集團(tuán)全資子公司VIA Labs研發(fā),它實(shí)現(xiàn)在一個USB接口上連接多個設(shè)備從而擴(kuò)展了計(jì)算機(jī)的USB性能。一個輸出接口及四個輸入接口不僅支持高
          • 關(guān)鍵字: 威盛  USB3.0  CMOS  

          基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

          • 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法,1. 引言

            對于需要大的片上存儲器的各種不同的應(yīng)用,F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲器陣列。通過不同的配置選擇,嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口,雙端口
          • 關(guān)鍵字: RAM  重構(gòu)  模塊  設(shè)計(jì)  方法  FPGA  平臺  0.13  微米  CMOS  工藝  
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