flir cmos 文章進(jìn)入flir cmos技術(shù)社區(qū)

Avago推出車用級(jí)高速低功耗數(shù)字CMOS光電耦合器

　　Avago Technologies(安華高科技)今日宣布，推出二款面向油電混合動(dòng)力車(HEV, Hybrid Electronic Vehicles)應(yīng)用所設(shè)計(jì)的車用級(jí)高速低功耗數(shù)字CMOS光電耦合器產(chǎn)品。ACPL-M71T單通道高速15MBd和ACPL-M72T低功耗LED驅(qū)動(dòng)光電耦合器為Avago R2Coupler™數(shù)字系列產(chǎn)品的最新成員，這些采用小型化SOIC-5封裝，擁有耐高溫和低功耗特性的光電耦合器非常適合控制器局域網(wǎng)總線(CANBus, Controller Area Ne
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中國首顆物聯(lián)網(wǎng)核心芯片“唐芯一號(hào)”亮相西安

　　日前在西安曲江國際會(huì)展中心召開的第四屆中國民營科技產(chǎn)品博覽會(huì)上，本土IC設(shè)計(jì)公司西安優(yōu)勢(shì)微電子公司推出了中國內(nèi)首顆物聯(lián)網(wǎng)核心芯片——“唐芯一號(hào)”。　　“唐芯一號(hào)”核心芯片是中國第一顆完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的2.4GHz超低功耗射頻可編程片上系統(tǒng)(PSoC)，采用0.18μm數(shù)字CMOS工藝，集無線射頻收發(fā)、數(shù)字基帶、數(shù)據(jù)處理、電源管理于一體，具有無線通信、無線組網(wǎng)、無線傳感、無線控制、數(shù)據(jù)處理等能力，是目前同類芯片中集成度最高
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IBM攜手大陸晶圓廠抗衡臺(tái)積電

　　近期IBM大動(dòng)作與大陸晶圓代工廠展開技術(shù)平臺(tái)合作，不僅與中芯國際攜手45納米先進(jìn)制程，亦與無錫華潤上華結(jié)盟，針對(duì)主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術(shù)及訂單合作。大陸半導(dǎo)體業(yè)者指出，IBM積極運(yùn)用大陸當(dāng)?shù)鼐A廠生產(chǎn)力，全力擴(kuò)展大陸市場(chǎng)，未來IBM技術(shù)勢(shì)力可望在大陸深耕，并與臺(tái)積電勢(shì)力相抗衡。　　大陸半導(dǎo)體業(yè)者表示，目前IBM對(duì)于向外技術(shù)授權(quán)采取更積極做法，尤其針對(duì)亟需要技術(shù)平臺(tái)奧援的大陸晶圓廠，IBM積極尋求合作機(jī)會(huì)，不僅對(duì)于技術(shù)授權(quán)相當(dāng)開放，甚至不排除讓部分原本在IBM下單客戶，透過IBM轉(zhuǎn)至
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中芯國際宣布 MEMS 芯片成功通過 Microstaq 驗(yàn)證

　　中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)和全球領(lǐng)先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布，Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過驗(yàn)證。　　“我們已接受過性能規(guī)格的 die and run 內(nèi)部測(cè)試”，Microstaq 工程部副總裁 Mark Luckevich 表示，“Ventilum 芯片通過了最高級(jí)別的認(rèn)證，我們正期待著這項(xiàng)技術(shù)應(yīng)用于暖通空調(diào)和制冷市場(chǎng)。” 　　“這是一
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IBM攜手大陸晶圓廠　抗衡臺(tái)積電

　　近期IBM大動(dòng)作與大陸晶圓代工廠展開技術(shù)平臺(tái)合作，不僅與中芯國際攜手45納米先進(jìn)制程，亦與無錫華潤上華結(jié)盟，針對(duì)主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術(shù)及訂單合作。大陸半導(dǎo)體業(yè)者指出，IBM積極運(yùn)用大陸當(dāng)?shù)鼐A廠生產(chǎn)力，全力擴(kuò)展大陸市場(chǎng)，未來IBM技術(shù)勢(shì)力可望在大陸深耕，并與臺(tái)積電勢(shì)力相抗衡。　　大陸半導(dǎo)體業(yè)者表示，目前IBM對(duì)于向外技術(shù)授權(quán)采取更積極做法，尤其針對(duì)亟需要技術(shù)平臺(tái)奧援的大陸晶圓廠，IBM積極尋求合作機(jī)會(huì)，不僅對(duì)于技術(shù)授權(quán)相當(dāng)開放，甚至不排除讓部分原本在IBM下單客戶，透過IBM轉(zhuǎn)至
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俞忠鈺：以內(nèi)需市場(chǎng)為突破口實(shí)現(xiàn)中國IC業(yè)大發(fā)展

　　“雖然國際金融危機(jī)對(duì)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的沖擊非常大，但以中國內(nèi)需市場(chǎng)為突破口和切入點(diǎn)，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入新的黃金發(fā)展期?！敝袊雽?dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長俞忠鈺充滿信心地指出。在IC CHINA2009召開前夕，俞忠鈺就中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀和未來，以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的策略和重點(diǎn)等熱點(diǎn)話題，接受了《中國電子報(bào)》記者的專訪。　　全球半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入變革和創(chuàng)新時(shí)代　　記者：由于國際金融危機(jī)的影響，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出新的變化和特點(diǎn)。你認(rèn)為國際金融危機(jī)后全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生哪些改變?你對(duì)全球半導(dǎo)
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中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米

　　中芯國際今天宣布其45納米的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。　　這些新工藝技術(shù)進(jìn)一步豐富了中芯國際現(xiàn)有的技術(shù)能力，更好地滿足全球客戶的需求，包括快速增長的中國市場(chǎng)在內(nèi)。其應(yīng)用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機(jī)設(shè)備(如3G/4G 手機(jī))。　　“中芯國際上海的12英寸廠已提前達(dá)標(biāo)完成了45納米的技術(shù)工藝。我們也同樣期盼著這些附加的延伸技術(shù)能取得佳績。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執(zhí)行長表示，“這些新技術(shù)為
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安森美推出0.18微米CMOS工藝技術(shù)

　　全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)展定制晶圓代工能力，推出新的具價(jià)格競爭力、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的0.18微米(µm) CMOS工藝技術(shù)。　　這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號(hào)專用集成電路(ASIC)的極佳平臺(tái)，用于汽車、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用。基于ONC18工藝的方案將在安森美半導(dǎo)體位于美國俄勒岡州Gresham的8英寸晶圓制造廠制造，因此，預(yù)期對(duì)于尋求遵從國際武器貿(mào)易規(guī)章(ITAR)的合作伙伴、在美國國內(nèi)生產(chǎn)的美國軍事應(yīng)用設(shè)計(jì)人
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諾貝爾獎(jiǎng)當(dāng)之無愧，CCD傳感器已無處不在

　　1969年，貝爾實(shí)驗(yàn)室(Bell Laboratories)的科學(xué)家Willard S. Boyle和George E. Smith發(fā)明了第一個(gè)成功的數(shù)字影像傳感器技術(shù)：電荷耦合組件(CCD)。40年后，隨著影像傳感器逐漸發(fā)展成為一個(gè)年出貨量達(dá)13億顆的龐大市場(chǎng)，這兩位技術(shù)先鋒也在2009年獲頒諾貝爾物理獎(jiǎng)，以表揚(yáng)他們?cè)跀?shù)字成像領(lǐng)域的貢獻(xiàn)。　　“影像傳感器技術(shù)對(duì)世界和整個(gè)社會(huì)帶來了巨大且深遠(yuǎn)的影響，”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說。“影像
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采用0.18micro;m CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)

本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計(jì)了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)?；旌系姆椒ㄟM(jìn)行設(shè)計(jì)，第一級(jí)用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)16:4的復(fù)用，第二級(jí)用模擬電路實(shí)現(xiàn)4:1的復(fù)用，從而實(shí)現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明，當(dāng)電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時(shí)，電路可以工作在2.5b/s，功耗約為6mW。
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臺(tái)積電與AMCC結(jié)盟取得嵌入式微處理器訂單

　　臺(tái)積電宣布與AMCC(應(yīng)用微電路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)結(jié)盟，AMCC的Power Architecture嵌入式微處理器將以臺(tái)積電90奈米CMOS制程生產(chǎn)，未來將進(jìn)一步推進(jìn)到65奈米及40奈米制程。這意味著臺(tái)積電在 CPU代工領(lǐng)域再下一城。　　AMCC為全球能源及通訊解決方案商，臺(tái)積電表示，這次雙方的合作，是AMCC Power Architecture嵌入式微處理器首次采用非SOI制程技術(shù)，受惠于臺(tái)積電成熟的bulk CMOS技術(shù)
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 CPU代工 CMOS

一種新型CMOS圖像傳感器的設(shè)計(jì)

為了提高CMOS圖像傳感器的圖像質(zhì)量，通過對(duì)圖像主要的噪聲源以及圖像失真的分析，提出一種新型的CMOS有源像素圖像傳感器。該CMOS圖像傳感器使用4T有源像素，大大提高了圖像傳感器的靈敏度。通過在傳感器中集成圖像預(yù)處理功能，對(duì)改善圖像的質(zhì)量起到了很好的效果。
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華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進(jìn)入量產(chǎn)

　　世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)日前宣布成功開發(fā)了0.162微米CMOS 圖像傳感器 (CIS162) 工藝技術(shù)，已進(jìn)入量產(chǎn)階段。　　華虹NEC和關(guān)鍵客戶合作共同開發(fā)的CIS162工藝是基于標(biāo)準(zhǔn)0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件，3.3V的輸入輸出電路。經(jīng)過精細(xì)調(diào)整集成了4個(gè)功能晶體管和光電二極管(photo diode) 的像素單元可以提供超低的漏電和高清優(yōu)質(zhì)的圖像。而特別處理的后端布線工藝保證了像素區(qū)高敏感性，可
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CMOS射頻接收機(jī)系統(tǒng)與電路

CMOS技術(shù)作為設(shè)計(jì)射頻接收機(jī)電路的一種主要技術(shù)，正在得到廣泛研究。本文首先總結(jié)了當(dāng)前射頻接收機(jī)的幾種常用結(jié)構(gòu)和主要的工作特性、參數(shù)，然后介紹了三種最新的不同結(jié)構(gòu)形式的CMOS射頻前端電路。
關(guān)鍵字：電路系統(tǒng) 接收機(jī) 射頻 CMOS CAN

基于CMOS圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng)設(shè)計(jì)

為滿足納型衛(wèi)星的遙感系統(tǒng)要求, 設(shè)計(jì)了一套基于互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS 圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng), 采用PC 機(jī)模擬星上數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的功能, 通過控制器局域網(wǎng)CAN總線實(shí)現(xiàn)了對(duì)CMOS 相機(jī)的控制和圖像傳輸?shù)裙δ?。通過熱循環(huán)實(shí)驗(yàn), 得到了該CMOS 相機(jī)平均暗輸出和暗不一致性隨溫度的變化曲線, 預(yù)測(cè)其適于在10～25 ℃的空間溫度環(huán)境中工作, 并可經(jīng)受- 25～60 ℃的衛(wèi)星艙內(nèi)溫度變化。
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器納型衛(wèi)星遙感