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富士通電子推出可在125℃高溫下穩(wěn)定運行的最新4Mbit FRAM
- 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量達到FRAM產(chǎn)品最高水平，運作溫度最高可達125℃。目前可為客戶提供評測版樣品。這款全新FRAM是非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，在125℃高溫環(huán)境下可以達到10兆次讀/寫次數(shù)，工作電流低，是工業(yè)機器人和高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等汽車應(yīng)用的最佳選擇。FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，并已量產(chǎn)20多年，近年來廣泛用于可穿戴設(shè)備、工業(yè)機器人和無人機。自去年發(fā)布以來，2Mbit FRAM M
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從新能源汽車到智能充電樁，富士通打造車聯(lián)網(wǎng)存儲IC完美陣列
- 隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)和自動駕駛技術(shù)的推廣，汽車半導(dǎo)體市場正迎來黃金發(fā)展時期。有資料顯示，對于 L1 到 L5 等級的自動駕駛而言，在 L1 時自動駕駛的半導(dǎo)體成本只有約 150 美金，到 L3 等級提升至 600 美金，上升到 L4、L5 等級，整車的半導(dǎo)體成本將會達到 1200 美金。而這個快速增長的市場中，存儲產(chǎn)品和技術(shù)并不為主流媒體關(guān)注。富士通電子元器件(上海)有限公司產(chǎn)品管理部總監(jiān)馮逸新也在近日的一次活動中表示：“隨著新基建的部署，充電樁的普及將快速促進新能源汽車的普及，無論是樁側(cè)還是車側(cè)，未來都將
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富士通電子推出能在苛刻環(huán)境正常工作的SPI 2Mbit FRAM
- 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MTY的SPI 2Mbit FRAM?注1?。此款容量最高的FRAM產(chǎn)品能在高達攝氏125度的高溫下正常運作，其評測樣品（evaluation sample）現(xiàn)已開始供應(yīng)。?此款FRAM非易失性內(nèi)存在運作溫度范圍內(nèi)能保證10兆次讀 / 寫次數(shù)，并支持實時記錄像駕駛數(shù)據(jù)或定位數(shù)據(jù)等，這類需要持續(xù)且頻繁的數(shù)據(jù)記錄。由于該內(nèi)存屬于非易失性，并且具有高速寫入特點，即使遇到突然斷電的狀況，寫入的數(shù)據(jù)也能完整保留不會遺失。
- 關(guān)鍵字： IC FRAM EEPROM SPI
富士通電子將自9月推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM產(chǎn)品
- 富士通電子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM(?注1?)---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導(dǎo)體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(?注2?)合作開發(fā)，將于今年9月開始供貨。MB85AS8MT是采用SPI接口并與帶電可擦可編程只讀存儲器 (EEPROM) 兼容的非揮發(fā)性內(nèi)存，能在1.6至3.6伏特之間的廣泛電壓范圍運作。其一大特色是極低的平均
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FRAM產(chǎn)品陣列
- FRAM（鐵電存儲器）具有像E2PROM一樣的非易失性的優(yōu)勢 ，在沒有電源的情況下可以保存數(shù)據(jù)，用于數(shù)據(jù)存儲。FRAM具有兩個產(chǎn)品系列，串行接口（I2C，SPI）和并行接口產(chǎn)品。采用串行I/F的FRAM可以用E2PROM或串行閃存來代替，而采用并行I/F的產(chǎn)品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)來代替。富士通半導(dǎo)體集團控制著FRAM的整個生產(chǎn)程序；在日本的芯片開發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通公司保證了FRAM產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定供應(yīng)。自從1999年開始，F(xiàn)RAM產(chǎn)品已經(jīng)連續(xù)供應(yīng)12年以上
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富士通電子推出可在高溫下穩(wěn)定運行的新款2Mbit FRAM
- 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高溫度下正常運行。該器件工作電壓可低至1.7V至1.95V，配有串行外設(shè)接口（SPI）。目前可為客戶提供評測版樣品，將在6月實現(xiàn)量產(chǎn)。這款全新FRAM產(chǎn)品是汽車電子電控單元的最佳選擇，滿足高端汽車市場對低功耗電子器件的需求，如ADAS。圖1：MB85RS2MLY 8pin DFN 封裝圖2：應(yīng)用實例（ADAS）FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，已有對傳統(tǒng)非易失性內(nèi)存
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存儲市場獨辟蹊徑，富士通20年布局嵌入式系統(tǒng)存儲
- 全球內(nèi)存市場幾年前價格瘋漲對于IT產(chǎn)業(yè)業(yè)者大概仍然心有余悸！隨著這場“芯片戰(zhàn)爭”的硝煙而起的是，中國存儲行業(yè)海量投資的相關(guān)產(chǎn)線紛紛上馬，并預(yù)計在今年逐漸開花結(jié)果，即將可能形成中美韓三國爭霸的局面，存儲產(chǎn)業(yè)未來的風(fēng)云變幻也將更加風(fēng)譎云詭。特別是隨著5G部署落地、人工智能、大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的普及，數(shù)據(jù)存儲已經(jīng)進入長期向上穩(wěn)定增長的通道。根據(jù)預(yù)測，2023年人類數(shù)據(jù)的產(chǎn)生將會超過103個ZB(數(shù)據(jù)單位量級GB\TB\PB\EB\ZB)！?在存儲技術(shù)領(lǐng)域，低容量密度的嵌入式系統(tǒng)關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲一直似乎風(fēng)平浪靜
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以創(chuàng)新型存儲掘金百億表計市場，富士通FRAM+NRAM引領(lǐng)計量存儲技術(shù)變革
- 過去十年，智能電表大范圍替代傳統(tǒng)電表的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)變，成為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展的一個縮影。中商產(chǎn)業(yè)研究院相關(guān)報告指出，預(yù)計2021年全球智能電表市場營收規(guī)模將達142.2億美元，與2016年的88.4億美元、2017年的97.2億美元相比，年均復(fù)合增長率約10%。而Navigant Research研究報告指出，中國在2018年第一季度持續(xù)引領(lǐng)全球智能電表市場，安裝量超過4.96億臺，占全球總量的68.4%，并正在向下一代智能電表發(fā)展。圖1：中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測2021年全球智能電表市場營收規(guī)模由此看來，中國智能電
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存儲領(lǐng)域叢林法則下，富士通用20年的專注演繹另類崛起
- 市場經(jīng)濟下每一個技術(shù)領(lǐng)域的競爭都是一場叢林法則的生動演繹。隨著物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新興應(yīng)用的爆發(fā)增長，存儲器領(lǐng)域的叢林法則年年都在上演“生動”的故事。不過，在存儲領(lǐng)域卻有一種技術(shù)過著一種與“主流”無爭的日子，在嵌入式系統(tǒng)關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域默默耕耘二十年，憑借高讀寫耐久性、高速寫入和超低功耗的獨特特質(zhì)，近年來在Kbit和Mbit級小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域開始風(fēng)生水起，在各種應(yīng)用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM。 FRAM的非易失性對于當時業(yè)界可以說是顛覆性的，存儲器的非易失性指在沒有上電的狀態(tài)
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再獲新能源汽車大廠訂單，富士通原廠+代理身份完美布局汽車電子產(chǎn)業(yè)鏈
- 過去十年，隨著新能源汽車與自動駕駛的興起，汽車產(chǎn)業(yè)70%的創(chuàng)新來源于汽車電子技術(shù)及其產(chǎn)品的開發(fā)應(yīng)用?！ C Insights數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計2018年汽車電子的銷售額將增長7.0%，2019年將增長6.3%，成為六大半導(dǎo)體目標市場中兩年來的最高增長率。值得注意的是，汽車特殊用途邏輯類別預(yù)計2018年增長29%，汽車應(yīng)用專用模擬市場增長14%——作為備用攝像頭、盲點(車道偏離)探測器和其他“智能”系統(tǒng)被強制或以其他方式添加到更多車輛中。同時，存儲器在車輛中使用的新汽車系統(tǒng)解決方案的開發(fā)中越來越重要。
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如何給汽車系統(tǒng)選擇合適的非易失性存儲器
- 汽車系統(tǒng)的設(shè)計變得越來越復(fù)雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準數(shù)據(jù)、安全性能和防護安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途?！ ∧壳笆袌錾现饕@幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器)，MRAM
- 關(guān)鍵字： MRAM FRAM
2018汽車電子如何突破？這三大維度值得關(guān)注
- 2017下半年，伴隨業(yè)界關(guān)注已久的《乘用車企業(yè)平均燃料消耗量與新能源汽車積分并行管理辦法》(簡稱“雙積分辦法”)正式發(fā)布，眾多中外車企都面臨了更為迫切的減排壓力，也在無形中加速了新能源車的落地普及。由于燃油車在很長一段時間內(nèi)都將存在于市場，而電氣化技術(shù)在燃油車、混動車的節(jié)能減排等方面發(fā)揮了越來越重要的作用，也導(dǎo)致了其電氣化比例在逐漸提升，進一步刺激汽車電子產(chǎn)品，乃至功率器件等電子元器件的出貨量?！ 「鶕?jù)IHS的數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2016年全球汽車電子的市場規(guī)模為1160億美元，預(yù)計2022年將達到1602億美
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fram介紹
鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標準的串行和并行接口，工業(yè)標準的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
非易失性記憶體掉電后數(shù)據(jù)不丟失。可是所有的非易失性記憶體均源自ROM技術(shù)。你能想象到,只讀記憶體的數(shù)據(jù)是不可能修改的 [ 查看詳細 ]
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