富士通半導體發(fā)展新一代內存技術鐵電隨機內存(Ferroelectric Random Access Memory;FRAM)技術已久,日前正式以0.18微米制程生產SPI FRAM產品,包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A系列,容量分別為256Kb、128Kb和64Kb等,目前已開始提供客戶樣品。
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富士通 FRAM
富士通半導體(上海)有限公司今日宣布推出基于0.18 μm 技術的全新 SPI FRAM產品家族,包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A這3個型號,并從即日起開始為客戶提供樣片。
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富士通 SPI FRAM
富士通半導體(上海)有限公司今日宣布推出基于0.18 μm 技術的全新 SPI FRAM產品家族,包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A這3個型號,并從即日起開始為客戶提供樣片。
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富士通 FRAM
2009年,Ramtron與IBM公司達成代工FRAM芯片的協(xié)議,按照雙方原來的計劃,準備在2010年使用IBM的0.18微米制程制作出首批FRAM樣品芯片。然而,IBM公司在后來的研發(fā)制造過程中遇到許多問題,無法成功提升這款產品的產量,導致了這項計劃的延遲。
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IBM FRAM
鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起,從而豐富了RFID應用。
概述
到目前為止,富士通半導體已經開發(fā)出了高頻段(13.6MHz)和超高頻段(860 MHz到960 MHz)RFID LSI產品。這些產品最重要的特點就是它們內嵌FRAM。由于擦寫速度快、耐擦寫次數高,它們已經作為數據載體型被動RFID LSI而被全世界廣泛采用。
大存儲數據載體的優(yōu)勢就是RFID可以記錄可追溯數據,如制造數據
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富士通 FRAM RFID LSI
「FRAM」是前景看好且正受到廣泛關注的集成電路組件,然而,其制造過程中使用的原材料及化學物質頗多,制程也極為復雜。為了計算出在生產FRAM時的CO2排放量,富士通針對芯片生產工廠中化學原料、化學氣體、晶圓等的用
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FRAM ICT CO2 方案
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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FRAM RFID 富士通 高頻 超高頻
Ramtron公司(RamtronInternationalCorp.),作為一家非揮發(fā)性鐵電存儲器(FRAM)供應商,日前已經與IBM公司的微電子集團達成了一項關于代工服務的協(xié)議。
Ramtron正在通過硅谷銀行(SiliconValleyBank)申請1100萬美元的貸款,這筆貸款主要用于和IBM進行代工合作所需的資本和開發(fā)費用。根據這項計劃,兩家公司將會在IBM位于伯靈頓工廠安置Ramtron的FRAM半導體工藝技術。
Ramtron預計IBM的0.18微米的晶圓制造工藝將會在201
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Ramtron FRAM
在研究和分析現有各種LED顯示屏控制電路的基礎上,提出一種基于串行FRAM存儲器的LED顯示屏控制系統(tǒng)。該系統(tǒng)以51系列運行速度為40MIPS的單周期高速VRS51L3074單片機為控制核心,利用串行FRAM存儲器組成雙端口RAM,實現對LED顯示屏的控制;并以2 048×192點陣雙色LED顯示屏為實例,說明其如何在實際中應用。
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L3074 3074 FRAM VRS
Ramtron公司(Ramtron International Corp.),作為一家非揮發(fā)性鐵電存儲器(FRAM)供應商,日前已經與IBM公司的微電子集團達成了一項關于代工服務的協(xié)議。
Ramtron正在通過硅谷銀行(Silicon Valley Bank)申請1100萬美元的貸款,這筆貸款主要用于和IBM進行代工合作所需的資本
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Ramtron FRAM IBM
介紹非易失性鐵電存儲器FM25H20的性能特點,內部結構和工作原理;給出單片機與FM25H20的寫操作接口電路圖,以及FM25I-t20的寫操作流程圖。歸納出任何一款8位數據總線寬度用于計算機系統(tǒng)時使用FM25H20的方法.從而實現大容量存儲系統(tǒng)的擴展。
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FRAM 25H H20 FM
Ramtron推出半導體業(yè)界首款基于F-RAM的事件數據記錄儀(EDR) -- FM6124,這是集成式的事件監(jiān)控解決方案,能夠連續(xù)監(jiān)控狀態(tài)的變化,將數據存儲在F-RAM中并向系統(tǒng)提出有關變化的報警。FM6124與可編程邏輯控制器 (PLC) 類似,具有簡單的器件設置和資料檢索功能,便于系統(tǒng)集成和縮短設計周期。
Ramtron戰(zhàn)略市場拓展經理David Lee稱:“FM6124是我們首個EDR產品,也是陸續(xù)推出專用產品系列的基礎,其獨特之處在于在單一封裝中提供數字式事件監(jiān)控。該器件可
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Ramtron FRAM 數據記錄儀 FM6124 EDR
汽車安全系統(tǒng)在未來數年間將變得越來越趨于精密。這一趨勢會影響到attach rate 以及安全氣囊系統(tǒng)和汽車穩(wěn)定性控制系統(tǒng)的的復雜程度。隨著這些系統(tǒng)中的電子部分越來越重要,同時對半導體存儲器的容量要求也隨之增長。本文概述了在設計新一代安全氣囊系統(tǒng)存儲方案時應該考慮的問題。
目前汽車安全氣囊系統(tǒng)引入了兩項主要的創(chuàng)新技術。第一,新型的安全氣囊系統(tǒng)增加了“智能性”:不同于以往系統(tǒng)一律采用最大的展開力。仿佛所有的事故和乘客都是一模一樣的,新系統(tǒng)是根據事故和乘客的具體參數來決定氣囊
關鍵字:
FRAM 安全氣囊 智能性
1 概述
隨著DS32X35系列產品的發(fā)布,Dallas Semi-conductor公司提供了無需電池的非易失存儲器。這些器件采用鐵電隨機存取存儲器(FRAM)技術,FRAM是非易失存儲器,其讀/寫操作與RAM類似。該系列器件能夠可靠地將數據保持10年之久,與EEPROM和其他非易失存儲器不同的是:它不需要考慮系統(tǒng)復雜性、過度開銷以及可靠性等問題。從1992年出現第一塊FRAM至今,鐵電隨機存取存儲技術已趨于成熟。
2 非易失存儲器
目前,非易失存儲技術主要有3種:電池備份的SRA
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模擬技術 電源技術 DS32X35 隨機存取存儲器 FRAM 存儲器
fram介紹
鐵電存儲器(FRAM)產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結合在一起。FRAM產品包括各種接口和多種密度,像工業(yè)標準的串行和并行接口,工業(yè)標準的封裝類型,以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
非易失性記憶體掉電后數據不丟失??墒撬械姆且资杂洃涹w均源自ROM技術。你能想象到,只讀記憶體的數據是不可能修改的 [
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