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fram 文章 進(jìn)入fram技術(shù)社區(qū)
帶有串行接口的FRAM RFID LSI
- 鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM) RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。 概述 到目前為止，富士通半導(dǎo)體已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了高頻段(13.6MHz)和超高頻段(860 MHz到960 MHz)RFID LSI產(chǎn)品。這些產(chǎn)品最重要的特點(diǎn)就是它們內(nèi)嵌FRAM。由于擦寫(xiě)速度快、耐擦寫(xiě)次數(shù)高，它們已經(jīng)作為數(shù)據(jù)載體型被動(dòng)RFID LSI而被全世界廣泛采用。 大存儲(chǔ)數(shù)據(jù)載體的優(yōu)勢(shì)就是RFID可以記錄可追溯數(shù)據(jù)，如制造數(shù)據(jù)
- 關(guān)鍵字： 富士通 FRAM RFID LSI
IBM與Ramtron簽署FRAM代工協(xié)議
- Ramtron公司(RamtronInternationalCorp.)，作為一家非揮發(fā)性鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)供應(yīng)商，日前已經(jīng)與IBM公司的微電子集團(tuán)達(dá)成了一項(xiàng)關(guān)于代工服務(wù)的協(xié)議。 Ramtron正在通過(guò)硅谷銀行(SiliconValleyBank)申請(qǐng)1100萬(wàn)美元的貸款，這筆貸款主要用于和IBM進(jìn)行代工合作所需的資本和開(kāi)發(fā)費(fèi)用。根據(jù)這項(xiàng)計(jì)劃，兩家公司將會(huì)在IBM位于伯靈頓工廠安置Ramtron的FRAM半導(dǎo)體工藝技術(shù)。 Ramtron預(yù)計(jì)IBM的0.18微米的晶圓制造工藝將會(huì)在201
- 關(guān)鍵字： Ramtron FRAM
Ramtron推出帶集成FRAM存儲(chǔ)器的事件數(shù)據(jù)記錄儀
- Ramtron推出半導(dǎo)體業(yè)界首款基于F-RAM的事件數(shù)據(jù)記錄儀(EDR) -- FM6124，這是集成式的事件監(jiān)控解決方案，能夠連續(xù)監(jiān)控狀態(tài)的變化，將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在F-RAM中并向系統(tǒng)提出有關(guān)變化的報(bào)警。FM6124與可編程邏輯控制器 (PLC) 類似，具有簡(jiǎn)單的器件設(shè)置和資料檢索功能，便于系統(tǒng)集成和縮短設(shè)計(jì)周期。 Ramtron戰(zhàn)略市場(chǎng)拓展經(jīng)理David Lee稱：“FM6124是我們首個(gè)EDR產(chǎn)品，也是陸續(xù)推出專用產(chǎn)品系列的基礎(chǔ)，其獨(dú)特之處在于在單一封裝中提供數(shù)字式事件監(jiān)控。該器件可
- 關(guān)鍵字： Ramtron FRAM 數(shù)據(jù)記錄儀 FM6124 EDR
FRAM技術(shù)為智能安全氣囊系統(tǒng)提供“智能性”
- 汽車(chē)安全系統(tǒng)在未來(lái)數(shù)年間將變得越來(lái)越趨于精密。這一趨勢(shì)會(huì)影響到attach rate 以及安全氣囊系統(tǒng)和汽車(chē)穩(wěn)定性控制系統(tǒng)的的復(fù)雜程度。隨著這些系統(tǒng)中的電子部分越來(lái)越重要，同時(shí)對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的容量要求也隨之增長(zhǎng)。本文概述了在設(shè)計(jì)新一代安全氣囊系統(tǒng)存儲(chǔ)方案時(shí)應(yīng)該考慮的問(wèn)題。 目前汽車(chē)安全氣囊系統(tǒng)引入了兩項(xiàng)主要的創(chuàng)新技術(shù)。第一，新型的安全氣囊系統(tǒng)增加了“智能性”：不同于以往系統(tǒng)一律采用最大的展開(kāi)力。仿佛所有的事故和乘客都是一模一樣的，新系統(tǒng)是根據(jù)事故和乘客的具體參數(shù)來(lái)決定氣囊
- 關(guān)鍵字： FRAM 安全氣囊 智能性
帶有鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘所具備的優(yōu)勢(shì)
- 1 概述 隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Dallas Semi-conductor公司提供了無(wú)需電池的非易失存儲(chǔ)器。這些器件采用鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù)，F(xiàn)RAM是非易失存儲(chǔ)器，其讀/寫(xiě)操作與RAM類似。該系列器件能夠可靠地將數(shù)據(jù)保持10年之久，與EEPROM和其他非易失存儲(chǔ)器不同的是：它不需要考慮系統(tǒng)復(fù)雜性、過(guò)度開(kāi)銷以及可靠性等問(wèn)題。從1992年出現(xiàn)第一塊FRAM至今，鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)技術(shù)已趨于成熟。 2 非易失存儲(chǔ)器 目前，非易失存儲(chǔ)技術(shù)主要有3種：電池備份的SRA
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) DS32X35 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 FRAM 存儲(chǔ)器
fram介紹
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)以及低功耗等優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
非易失性記憶體掉電后數(shù)據(jù)不丟失。可是所有的非易失性記憶體均源自ROM技術(shù)。你能想象到,只讀記憶體的數(shù)據(jù)是不可能修改的 [ 查看詳細(xì) ]
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