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          未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩(wěn)增

          •   在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。   據(jù)有關報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測,未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
          • 關鍵字: GaN  半導體  SiC  

          三菱化學計劃擴增LED用GaN基板產(chǎn)能

          •   因照明用LED需求大增,三菱化學計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍。   目前,三菱化學利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板,生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸,月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。   而為了要達到穩(wěn)定獲利的水平,有必要將產(chǎn)品尺寸擴大至4-6寸,所以,三菱化學計劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設備的制程,開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板,月產(chǎn)能為200-300片,并計劃憑借新設生產(chǎn)設備或增設廠房等措施,開始生產(chǎn)6寸GaN基板,將GaN基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍
          • 關鍵字: LED  GaN  

          GaN類功率元件,高耐壓成功率半導體主角

          • 采用Si基板降低成本,通過改變構造改善特性那么,GaN類功率元件的成本、電氣特性以及周邊技術方面存在...
          • 關鍵字: GaN類功率半導體  功率半導體  GaN  

          富士通半導體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件

          •   上海,2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。   與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化
          • 關鍵字: 富士通  功率器件  GaN  

          富士通明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

          • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。
          • 關鍵字: 富士通  功率器  GaN  

          功放為智能手機提供最佳效率

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
          • 關鍵字: 智能手機  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

          “主流GaN”的發(fā)展和未來

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
          • 關鍵字: GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

          科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺

          • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管,從而提高效率和可靠性。
          • 關鍵字: 科銳  放大器  GaN  

          科銳推出S波段GaN器件

          • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達中的高效GaN HEMT 晶體管。新型 S 波段GaN HEMT 晶體管的額定功率為60W,頻率為 3.1至3.5GHz 之間,與傳統(tǒng)Si或 GaAs MESFET 器件相比,能夠提供優(yōu)越的漏極效率(接近70%)。
          • 關鍵字: 科銳  晶體管  HEMT  

          技術講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(一)

          • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。契機源...
          • 關鍵字: SiC  功率元件  GaN  導通電阻  

          硅上GaN LED分析

          • 硅上GaN LED不必受應力的影響,一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率,制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片,并將這些芯片安裝到器件中,使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
          • 關鍵字: GaN  LED  分析    

          利用氬氣改善p型GaN LED的性能

          • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結構及低阻值的p型GaN,那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者:Vla...
          • 關鍵字: GaN  LED    

          采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

          • 在當今社會,DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說:英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
          • 關鍵字: GaN  LED    

          大功率LED關鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

          • 超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關鍵材料之...
          • 關鍵字: LED  GaN  MOSFET  

          硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

          • 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來,LED制造技術的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
          • 關鍵字: LED芯片  硅襯底  GaN    
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