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意法半導體發(fā)布50W GaN功率變換器，面向高能效消費及工業(yè)級電源設計
- 意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關(guān)反激式功率變換器設計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。VIPerGaN50 采用單開關(guān)拓撲，集成很多功能，包括內(nèi)置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內(nèi)部集成的GaN 晶體管可應用于高開關(guān)頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設計先進的高能效開關(guān)電源 (SMPS)，可顯著減少外圍元器件的數(shù)量。VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶
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不只是充電器！99％的人不知道的事實：氮化鎵技術(shù)竟與5G 相關(guān)
- 過去的2020年是5G手機大爆發(fā)的一年。5G手機無疑為大家?guī)砹烁斓纳暇W(wǎng)體驗，更快的下載速度、低延時，高達10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機數(shù)據(jù)傳輸提升10倍以上，延時更是低至1ms，比4G手機縮短10倍。 當然，5G對數(shù)據(jù)傳輸速度提升，更強的CPU處理性能也對手機的續(xù)航能力提出了更高要求。為此，不少手機廠商為5G手機配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進最新的氮化鎵技術(shù)，實現(xiàn)在提高充電器功率的同時，將體積控制得更小巧。 而這里其實有一個有趣的事實： 這項為5G手機帶來
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PI打出芯片組合拳 解決家電快充應用
- 2022年3月21日Power Integrations宣布推出節(jié)能型HiperLCS?-2芯片組以及集成750V PowiGaN?氮化鎵開關(guān)的HiperPFS?-5系列功率因數(shù)校正(PFC)IC?！ ?jù)了解，HiperLCS-2雙芯片解決方案由一個隔離器件和一個獨立半橋功率器件組成。其中的隔離器件內(nèi)部集成了高帶寬的LLC控制器、同步整流驅(qū)動器和FluxLink?隔離控制鏈路。而獨立半橋功率器件則采用Power Integrations獨特的600V FREDFET，具有無損耗的電流檢測，同時集成有上
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
- 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數(shù)據(jù)中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關(guān)工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
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ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關(guān)性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開關(guān)工作時的器件可靠性方面存在問題。針對這一課題，ROHM的新產(chǎn)品通過采用自有的結(jié)構(gòu)，成功
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半導體一周要聞3.7-3.11
- 1. 提前預定五年產(chǎn)能，全球半導體硅片進入黃金期！根據(jù)SEMI發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2021年全球硅片的出貨量同比增加了14%，總出貨量達到141.65 億平方英寸（MSI），收入同比增長了13%，達到126.2億美元。 目前，包括長江存儲和武漢新芯等客戶，都與滬硅旗下的上海新昇簽訂了2022年至2024年的長期供貨協(xié)議。其中，2022年1-6月預計交易金額分別為1.55億元、8000萬元，而2021年1-11月上述公司的交易金額分別為1.43億元、1.03億元。2. 2021 年中國集成電路銷售額首
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ST：發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈
- 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來說，如果能將電力利用效率提升1%，就能節(jié)省95.
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安森美剝離晶圓制造廠達成最終協(xié)議改善成本結(jié)構(gòu)
- 安森美（onsemi）正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略，最終目標是透過擴大毛利率實現(xiàn)可持續(xù)的財務業(yè)績。安森美於上周簽署一份最終協(xié)議，將剝離其在美國緬因州南波特蘭的工廠。隨著將生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到其全球制造網(wǎng)絡內(nèi)更高效的晶圓廠，安森美將透過消除與已出售晶圓廠相關(guān)的固定成本和降低公司的制造單位成本來改善成本結(jié)構(gòu)。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示：「該擬議的資產(chǎn)剝離表明我們正在實現(xiàn)優(yōu)化的制造網(wǎng)路，同時為我們的客戶提供長期的供應保證。這些交易為受影響工廠的員工提供了持續(xù)的就業(yè)和發(fā)展機
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2022年傳感器和致動器成長15% 離散組件將回復正常水平
- IC Insights日前發(fā)布報告指出，由于COVID-19造成的隔離和短缺因素，使得2021年全球光電組件產(chǎn)品、傳感器和致動器，以及離散組件 (O-S-D)的銷售額，均出現(xiàn)創(chuàng)紀錄的成長。但CMOS影像傳感器卻因美中對抗和某些系統(tǒng)因素，沒有相對應的結(jié)果。 根據(jù)IC Insights一月半導體產(chǎn)業(yè)報告，2021年OSD總收入首次突破1000億美元，與2020年的883億美元相比，增加18%至1042億美元，當時三個市場的總銷售額成長不到3 %。報告顯示，OSD總銷售額占2021年全球6139億美元半導體市場
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基于GaN的高功率密度快充正快速成長
- 1? ?看好哪類GaN功率器件的市場？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開關(guān)器件的商用化進程和5 年前（編者注：指2016 年）市場的普遍看法已經(jīng)發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長。這說明影響新材料市場發(fā)展的，技術(shù)只是眾多因素當中的1 個。我個人看好的未來5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應用，包括：快充、服務器/ 通信電源、電機驅(qū)動、工業(yè)電源、音響、無線充電、激光雷達等，其中快充會繼續(xù)引領(lǐng)氮化鎵開關(guān)器件的市場成長。相對于硅
- 關(guān)鍵字： 202201 GaN 英飛凌
IC PARK 年度盛事圓滿收官！業(yè)界翹楚云端論劍，引爆中國“芯”思潮
- 12月10日，第五屆“芯動北京”中關(guān)村IC產(chǎn)業(yè)論壇、“華為杯”第四屆中國研究生創(chuàng)“芯”大賽決賽開幕式以線上云會議的方式召開。今年是“十四五”規(guī)劃開局之年，本次會議在北京市委書記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強集成電路產(chǎn)業(yè)”指示精神的背景下，高度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，邀請了來自國內(nèi)外“政產(chǎn)學研用”領(lǐng)域嘉賓齊聚一堂，圍繞創(chuàng)“芯”機、育“芯”才等主題進行深入交流，探討當前形勢下我國集成電路產(chǎn)業(yè)如何應對挑戰(zhàn)，共繪集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍圖。 北京市委常委、副市長殷勇，中國半導體行業(yè)協(xié)會設計分會理事長魏少軍，創(chuàng)“芯”大賽
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