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InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度
- 2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應(yīng)用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能，同時還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應(yīng)用設(shè)計?！ ⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝，內(nèi)部集成
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TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺達打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器
- TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計難題，降低總所有成本
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新思科技PrimeSim可靠性分析解決方案加速任務(wù)關(guān)鍵型IC設(shè)計超收斂
- 經(jīng)晶圓廠認證的全生命周期可靠性簽核有助于預(yù)防汽車、醫(yī)療和5G芯片設(shè)計中的過度設(shè)計和昂貴的后期ECO（工程變更指令） 要點： ? 經(jīng)過驗證的技術(shù)統(tǒng)一工作流程在整個產(chǎn)品生命周期內(nèi)提供符合ISO 26262等標準的高性能可靠性分析? 與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無縫使用業(yè)界領(lǐng)先的仿真器進行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析? 與PrimeWave?設(shè)計環(huán)境整合
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集邦咨詢：新能源車需求助攻GaN功率元件
- TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增，使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預(yù)估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應(yīng)用大宗在于消費性產(chǎn)品，至2025年市場規(guī)模將達8.5億美元，年復(fù)合成長率高達78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
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多家IC設(shè)計廠商證實：收到臺積電漲價通知
- 原標題：多家IC設(shè)計廠商證實：收到臺積電漲價通知 強調(diào)不影響合作關(guān)系 8月25日，市場幾度傳出臺積電即將全線漲價，從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進制程漲幅達10%，到全面漲價20%，并從即日起生效。 對此，據(jù)中央社報道，多家IC設(shè)計廠商證實收到臺積電漲價通知，并表示不會因而影響與臺積電的合作關(guān)系?！ C設(shè)計業(yè)者指出，臺積電包含7納米及5納米的先進制程漲價約7%至9%，其余成熟制程代工價格漲幅約20%。 此外，臺積電罕見未給客戶緩沖期，今天通知漲價隨即于今天生效，供應(yīng)鏈也緊急尋求因應(yīng)
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ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)
- 氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，GaN功率開關(guān)組件的黃金時期即將到來。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
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Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認證
- 空間應(yīng)用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因為這類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應(yīng)用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關(guān)元件，包括負載點轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
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中國臺灣IC產(chǎn)值雙位成長新常態(tài) 2021第一季整體較去年增長25%
- 據(jù)WSTS統(tǒng)計，21Q1全球半導(dǎo)體市場銷售值1,231億美元，較上季(20Q4)成長3.6%，較2020年同期(20Q1)成長17.8%；銷售量達2,748億顆，較上季成長4.9%，較去年同期成長22.7%；ASP為0.448美元，較上季衰退1.2%，較去年同期(20Q1)衰退4.0%。區(qū)域市場方面，中國大陸市場銷售值成長幅度最高，較上季(20Q4)成長8.9%，達到434億美元，較去年同期(20Q1)成長25.6%；歐洲市場次之，較上季(20Q4)成長8.8%，達到110億美元，較去年同期成長8.7%；
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德州儀器宣布與中車株洲所簽署升級聯(lián)合設(shè)計實驗室合作備忘錄
- 德州儀器(TI)今日宣布與中國領(lǐng)先的軌道交通設(shè)備制造商中車株洲電力機車研究所有限公司（后簡稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級共同運營的聯(lián)合設(shè)計實驗室，實現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)，加速包括軌道交通，電動汽車等方面的應(yīng)用設(shè)計以助力中國新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設(shè)。合作還將拓展至太陽能和風(fēng)能等可再生能源方面的應(yīng)用，以響應(yīng)中國在2060年實現(xiàn)碳中和的宏偉目標。德州儀器(TI)與中車株洲電力機車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統(tǒng)的快速
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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砥礪前行，推進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮
- 南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點實驗室，圍繞中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，培養(yǎng)工程專業(yè)人才，搭建跨國跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標的多元化機制，致力于對大灣區(qū)乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績斐然，在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
- 關(guān)鍵字： 集成電路 微電子 氮化鎵器件 寬禁帶 IC GaN 202103
基于LCC拓撲的2相輸入300W AC-DC LED電源
- 近年來，諧振變換器的熱度越來越高，被廣泛用于計算機服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費電子等各種應(yīng)用場景。諧振變換器可以很容易地實現(xiàn)高能效，其固有的較寬的軟開關(guān)范圍很容易實現(xiàn)高頻開關(guān)，這是一個關(guān)鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個以半橋LCC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個數(shù)控300W電源。原邊組件包括PFC級和DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器)，副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器，其中STM32F334微控制器對DC-DC功率級
- 關(guān)鍵字： MOSFET IC
西門子和日月光推出新一代高密度先進封裝設(shè)計的支持技術(shù)
- 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件宣布與日月光（ASE）合作推出新的設(shè)計驗證解決方案，旨在幫助雙方共同客戶更便捷地建立和評估多樣復(fù)雜的集成電路（IC）封裝技術(shù)與高密度連接的設(shè)計，且能在執(zhí)行物理設(shè)計之前和設(shè)計期間使用更具兼容性與穩(wěn)定性的物理設(shè)計驗證環(huán)境。新的高密度先進封裝（HDAP）支持解決方案源于日月光參與的西門子半導(dǎo)體封裝聯(lián)盟 （Siemens OSAT Alliance），該聯(lián)盟旨在推動下一代IC設(shè)計更快地采用新的高密度先進封裝技術(shù)，包括2.5D、3D IC 和扇出型晶圓級封裝（FOWLP）。日月光是半導(dǎo)體封裝和測
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