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          SiC和GaN產(chǎn)品市場趨勢及力特提供的產(chǎn)品

          • 硅半導體器件在過去數(shù)十年間長期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位,它鑄就了電子世界的核心,覆蓋我們?nèi)粘I钪械慕^大部分應(yīng)用。寬禁帶電子器件,以碳化硅和氮化鎵的形式,因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術(shù)無法克服的優(yōu)勢正在日益普及。
          • 關(guān)鍵字: 力特,SiC,GaN  

          新一代功率器件動向:SiC和GaN

          • 更為嚴格的行業(yè)標準和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求,其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量(+ 400TWh)的3%,也占總溫室氣體排放量的2%,與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下,各地政府正加緊實施更嚴格的標準和新的法規(guī),以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達到最高能效。
          • 關(guān)鍵字: 安森美,SiC,GaN  

          新一代功率器件及電源管理IC的發(fā)展概況

          • 介紹了包括SiC、GaN在內(nèi)的新一代功率器件,面向工業(yè)和汽車的新型功率模塊,可穿戴設(shè)備的電源管理IC的發(fā)展概況及相關(guān)新技術(shù)和熱門產(chǎn)品。
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  電源管理  201804  

          受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場前景向好

          •   相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢,不僅可使芯片面積可大幅減少,并能簡化周邊電路的設(shè)計,達到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計,2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。        此外,除了輕化車輛設(shè)計之外,因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性,也能大幅降低車輛運轉(zhuǎn)時的能源轉(zhuǎn)換損失,兩者對于電動車續(xù)航力的提升有相當?shù)膸椭?。因此?/li>
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)憑啥入選MIT2018十大突破性技術(shù)

          •   日前,《麻省理工科技評論》刊文評出了2018年十大突破性技術(shù),“對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”(GAN)赫然在列。   什么是對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)?為什么它能入選MIT十大突破性技術(shù)?它的發(fā)展脈絡(luò)如何?與我們此前耳熟能詳?shù)纳窠?jīng)網(wǎng)絡(luò)有什么區(qū)別?能夠應(yīng)用在人工智能的哪些場景?還有哪些關(guān)鍵問題有待攻克?        中國自動化學會混合智能專委會副主任、中國人工智能學會機器學習專委會常委、復旦大學博士生導師張軍平教授在接受科技日報記者采訪時做了深入淺出的解釋。   故事中的GAN
          • 關(guān)鍵字: 對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)  GAN  

          AI版“雙手互搏”有多牛?

          • 什么是對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)?為什么它能入選MIT十大突破性技術(shù)?它的發(fā)展脈絡(luò)如何?與我們此前耳熟能詳?shù)纳窠?jīng)網(wǎng)絡(luò)有什么區(qū)別?能夠應(yīng)用在人工智能的哪些場景?還有哪些關(guān)鍵問題有待攻克?
          • 關(guān)鍵字: AI  GAN  

          GaN是5G最好選擇 手機端應(yīng)用現(xiàn)實嗎?

          •   超密集組網(wǎng)通過增加基站部署密度,可實現(xiàn)頻率復用效率的巨大提升,并且?guī)砜捎^的容量增長,未來隨著基站數(shù)量的增加,基站內(nèi)射頻器件的需求也將隨之大幅提升。高通預(yù)測,射頻前端的市場規(guī)模預(yù)估到2020年將達到180億美元。Small Cell Forum預(yù)測,全球小基站市場空間有望在2020年超過60億美元。   Qorvo亞太區(qū)FAE高級經(jīng)理楊嘉   有業(yè)內(nèi)分析師就表示,3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS,同時,GaAs也將從小型基站網(wǎng)絡(luò)的需求增長中受益。Qorvo亞太區(qū)FA
          • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

          慕展:功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品 都在世強

          •   慕尼黑上海電子展舉辦,作為亞洲第一電子大展,展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商,則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?! {借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示,以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示,世強元件電商吸引了大批工程師
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器,擴展其GaN電源產(chǎn)品組合

          •   德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動器,進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合,可在激光雷達(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關(guān)頻率的同時提高效率,并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息,請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
          • 關(guān)鍵字: TI  GaN  

          2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的?

          •   《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”,這份全球新興科技領(lǐng)域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。   1、給所有人的人工智能 AI for everyone   入選理由:將機器學習工具搬上云端,將有助于人工智能更廣泛的傳播   重大意義:目前,人工智能的應(yīng)用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合,那它將可以對許多人變得觸手可及,從而實現(xiàn)經(jīng)濟的爆發(fā)式增長。   主要研究者:Google,亞馬遜,阿里云,騰訊云,百度云,金山云,京東云
          • 關(guān)鍵字: 機器學習  GAN  

          氮化鎵襯底晶片實現(xiàn)“中國造”

          •   一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片,卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件,是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片,是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。   “不會游泳的時候就跳下了水”   蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商, 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設(shè)備開始研發(fā),逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
          • 關(guān)鍵字: GaN  氮化鎵  

          宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無線電源及高分辨率激光雷達應(yīng)用

          •   EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費電子應(yīng)用 -- 分別是無線充電及自動駕駛汽車的激光雷達應(yīng)用?! PC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統(tǒng),可以在桌面上任何位置對多種設(shè)備同時充電,可傳送高達300 W功率??蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
          • 關(guān)鍵字: 宜普  GaN  

          制造能耗變革從新一代半導體開始

          •   接近62%的能源被白白浪費   美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說,而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計,本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。      圖1:整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

          •   未來五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機市場,還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,并且,5G將為RF功率市場的化合物半導體技術(shù)帶來重大市場機遇。   未來幾年,據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術(shù)趨勢-2017版》報告預(yù)計,隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長,RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間,整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%,帶來9.8%的復合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
          • 關(guān)鍵字: GaN  5G  
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          gan system介紹

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