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Mentor Graphics發(fā)布Xpedition System
- Mentor Graphics公司宣布其Xpedition平臺的新產(chǎn)品及主要組件，用于多板系統(tǒng)連接的Xpedition Systems Designer。Xpedition Systems Designer產(chǎn)品抓取多板系統(tǒng)的硬體描述，從邏輯系統(tǒng)定義到獨立的PCB，都能自動進(jìn)行多層級系統(tǒng)設(shè)計同步處理，以確保設(shè)計過程中團(tuán)隊能夠準(zhǔn)確高效協(xié)作。 目前，高階電子系統(tǒng)的設(shè)計流程不容樂觀，系統(tǒng)定義過程使用多種無法相互相容的工具，且沒有標(biāo)準(zhǔn)的方法實現(xiàn)設(shè)計規(guī)程與抽象層面的同步和設(shè)計資料的轉(zhuǎn)移。該問題將導(dǎo)致故障電氣
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面向設(shè)備編程-嵌入式微系統(tǒng)連載之六
- System結(jié)構(gòu)體封裝了整個系統(tǒng)層，讓App很容易基于System跨平臺，那么System內(nèi)部該如何組織? ? ARM公司推薦嵌入式開發(fā)遵循CMSIS架構(gòu)，用戶應(yīng)用程序可以調(diào)用實時內(nèi)核(OS)、中間件等，也可以直接調(diào)用底層硬件基于CMSIS標(biāo)準(zhǔn)的函數(shù)接口，比如ST公司發(fā)布的STM32的硬件驅(qū)動LIB庫，甚至直接訪問最底層的寄存器。這種架構(gòu)編程比較靈活，對于規(guī)模不大的嵌入式系統(tǒng)比較適合，但這樣的一個架構(gòu)分層還比較模糊，應(yīng)用層幾乎可以訪問所有的系統(tǒng)層資源，比較任意。各種底層接
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導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu) GaN FET打造高效率開關(guān)
- 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
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英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時尚早
- GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時候，因它還有很多未被探索出來的部分。
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新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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元件開發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
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硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實現(xiàn)高性價比照明
- 傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
- 關(guān)鍵字： GaN LED 光萃取技術(shù)
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