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          世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
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          • 關鍵字：
                        NCP51820  安森美  半導體  電源供應器  GaN MOS Driver                          
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          英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 【2022年11月24日，德國慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統(tǒng)一Type-C連接器為各種移動和電池供電設備供電的主流標準。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標準中，擴展功率范圍（EPR）規(guī)格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統(tǒng)一化和大功率容量再加上低系統(tǒng)成本的小外型尺寸已成為推動適配器和充電器市場發(fā)展的主要驅動力。為了加速這一趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數(shù)字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  PFC和混合反激式組合IC  GaN  USB-C EPR適配器                          
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          IAR Systems 與嘉楠科技達成合作，支持RISC-V內核高精度AI芯片
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 中國上?！?022年11月23日——嵌入式開發(fā)軟件和服務的全球領導者 IAR Systems 與領先的端側 AI 芯片研發(fā)供應商嘉楠科技 (NASDAQ: CAN) 今天共同宣布，IAR Systems 最新推出的 Embedded Workbench for RISC-V 3.11.1版本已支持嘉楠勘智K510芯片，助力開發(fā)雙核RISC-V 64位 AI 端側推理芯片。IAR Embedded Workbench for RISC-V是一個完整的C/C++編譯器和調試器工具鏈，將嵌入式開發(fā)者所需的一切
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          • 關鍵字：
                        IAR Systems  嘉楠  RISC-V  AI芯片                          
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          基于安森美半導體NCP1342驅動GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 此電源設計最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時輸出時，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡化設計理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導熱好！通標變壓器設計，21V效率最高達到93%,驅動與MOS均采用美國安森美半導體技術！?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術優(yōu)勢1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構，COST
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          • 關鍵字：
                        安森美  NCP1342  65W  PD  GAN  1A1C  超小尺寸PD                          
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          西門子收購 Avery Design Systems，進一步擴展集成電路驗證解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • · 此項收購進一步擴展西門子企業(yè)級驗證平臺，將 Avery Design Systems的驗證協(xié)議和合規(guī)性測試套件產(chǎn)品添加至平臺之中?！?nbsp;客戶可以在仿真、硬件模擬和原型設計的周期內利用西門子的驗證方案優(yōu)化質量并縮短上市時間。西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日簽署對 Avery Design Systems 公司的收購協(xié)議。Avery Design Systems 總部位于美國馬塞諸塞州的圖克斯伯里，是一家獨立于仿真的驗證 IP 供應商。收購后 Avery Desig
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          • 關鍵字：
                        西門子  Avery Design Systems  集成電路驗證                          
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          格芯獲得3000萬美元政府基金研發(fā)GaN芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網(wǎng)等領域。格芯稱，電動汽車的普及、電網(wǎng)升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導體帶來需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
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          • 關鍵字：
                        格芯獲  GaN                          
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          IAR Systems RISC-V功能安全版開發(fā)工具支持最新的SiFive汽車解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 嵌入式開發(fā)軟件和服務的全球領導者 IAR Systems?持續(xù)為 SiFive 的 RISC-V 車用 CPU IP 提供解決方案：IAR Systems 旗下的 IAR Embedded Workbench? for RISC-V 支持最新的 SiFive 車用 E6-A 和 S7-A 產(chǎn)品系列，以滿足信息娛樂、連接和 ADAS 等汽車應用的需求。IAR 的完整開發(fā)工具鏈幫助 OEM 和供應商的嵌入式軟件開發(fā)人員充分利用 RISC-V 提供的能效、簡單性、安全性和靈活性。由于 RISC-V 在所有產(chǎn)品中
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          • 關鍵字：
                        IAR Systems  RISC-V  SiFive                          
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          GaN IC縮小電機驅動器并加快eMobility、電動工具、 機器人和無人機的上市時間
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅動系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時簡化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內含柵極驅動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
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          • 關鍵字：
                        GaN IC  電機驅動器                          
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          世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
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          • 關鍵字：
                        GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi                          
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          功率GaN RF放大器的熱考慮因素
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。其中許多應用需要很長的使用壽
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          • 關鍵字：
                        Wolfspeed  放大器  GaN                          
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          使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現(xiàn)。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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          • 關鍵字：
                        TI  GaN                          
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          大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2022年9月20日，致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機、電腦為代表的移動智能設備已經(jīng)成為人們日常生活的重要工具，然而隨著這些設備所覆蓋的功能越來越多，設備有限的續(xù)航能力已經(jīng)無法滿足用戶對
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          • 關鍵字：
                        大聯(lián)大友尚  onsemi  GaN System  PD快充電源                          
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          使用集成GaN解決方案提高功率密度
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現(xiàn)。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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          • 關鍵字：
                        德州儀器  GaN  功率密度                          
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          GaN將在數(shù)據(jù)服務器中挑起效率大梁
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 雖然增加可再生能源是全球的大趨勢，但這還不夠，能源效率是另一個重點領域，這是因為服務器及其冷卻系統(tǒng)對能源消耗，占據(jù)了數(shù)據(jù)中心將近40%的運營成本。GaN具有獨特的優(yōu)勢，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數(shù)據(jù)中心的配電和轉換、節(jié)能、減少對冷卻系統(tǒng)的需求，并最終使數(shù)據(jù)中心更具成本效益和可擴展性。數(shù)字化和云端服務的快速建置推動了全球數(shù)據(jù)服務器的產(chǎn)業(yè)規(guī)模的成長。今天，數(shù)據(jù)服務器消耗了全球近1%的電力，這個數(shù)字預計會不斷的成長下去。次世代的產(chǎn)業(yè)趨勢，例如虛擬世界、增強實境和虛擬現(xiàn)實，所消耗大量電力將遠超現(xiàn)今地球上所能
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          • 關鍵字：
                        GaN  數(shù)據(jù)服務器  效率                          
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          殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在電力電子應用中，為了滿足更高能效和更高開關頻率的要求，功率密度正在成為關鍵的指標之一?；诠瑁⊿i）的技術日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應用之門。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
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          • 關鍵字：
                        貿澤電子  GaN                          
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