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技術(shù)洞察 | 邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響
- 作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級(jí)總監(jiān)校對(duì)宋清亮 英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)高級(jí)首席工程師過(guò)去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩(wěn)步增長(zhǎng)，并且預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)還將持續(xù)。這種增長(zhǎng)是線下與線上活動(dòng)共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計(jì)，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時(shí)（TWh）。近年來(lái)，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長(zhǎng) [1] 。圖1：1910年以來(lái)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 GaN
春晚科技 「秧」 光：人形機(jī)器人未來(lái)已來(lái)
- 在科技浪潮的推動(dòng)下，人形機(jī)器人正逐漸從幕后走向臺(tái)前。在 2025 央視春晚中，著名電影導(dǎo)演張藝謀攜手杭州宇樹科技、新疆藝術(shù)學(xué)院帶來(lái)了一個(gè)名為《秧 BOT》的節(jié)目。舞臺(tái)上，宇樹科技的人形機(jī)器人與新疆藝術(shù)學(xué)院的舞蹈演員們默契共舞，人機(jī)互動(dòng)的奇妙場(chǎng)景，不僅帶來(lái)了一場(chǎng)別開生面的視覺(jué)盛宴，展現(xiàn)出一種前所未有的科技美感，更讓觀眾真切感受到人形機(jī)器人時(shí)代的腳步正越來(lái)越近。這群 BOT 什么來(lái)頭？春晚舞臺(tái)上的《秧 BOT》節(jié)目，由 16 個(gè)靈動(dòng)的 BOT（機(jī)器人 robot 的簡(jiǎn)稱）與 16 名技藝精湛的新疆藝術(shù)學(xué)院舞蹈
- 關(guān)鍵字： 人形機(jī)器人 GaN CIS 傳感器
日常生活中的工業(yè)技術(shù)：助力智能生活的幕后力量
- 大多數(shù)人在想象工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)時(shí)，想到的是大型的機(jī)械和復(fù)雜的制造流程，這似乎與日常生活毫無(wú)關(guān)聯(lián)。然而通過(guò)實(shí)時(shí)控制，系統(tǒng)可以在規(guī)定的時(shí)間范圍內(nèi)收集、處理數(shù)據(jù)并自行更新。智能感應(yīng)可以檢測(cè)人員和機(jī)械，而邊緣人工智能 (AI) 可以快速、高效地做出決策。這些技術(shù)涵蓋從制造到物流的方方面面。它們就像超人一樣，從我們?cè)缟掀鸫驳酵砩纤X(jué)休息的這段時(shí)間里，在幕后悄悄地執(zhí)行著各種各樣的任務(wù)，讓我們的世界正常運(yùn)轉(zhuǎn)。對(duì)我們的日常生活來(lái)說(shuō)，在工業(yè)應(yīng)用中使用的技術(shù)與智能手機(jī)一樣重要且有益。它們?yōu)槲覀児?jié)省了時(shí)間，增加了便利性；保護(hù)我
- 關(guān)鍵字： 工業(yè)技術(shù) 智能生活 德州儀器 C2000 GaN
國(guó)產(chǎn)1700V GaN器件進(jìn)一步打開應(yīng)用端市場(chǎng)
- 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見(jiàn)的電流崩塌問(wèn)題，他們采用特有的極化超級(jí)結(jié)（PSJ: Polarization Super Junction）技術(shù)，并對(duì)工藝進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。本次測(cè)試采用遠(yuǎn)山半導(dǎo)體提供的1700V/100mΩ規(guī)格GaN樣品,其可以輕松應(yīng)對(duì)1000V輸入電壓下的開關(guān)測(cè)試需求，在靜態(tài)測(cè)試條件下，1700V時(shí)測(cè)得
- 關(guān)鍵字： GaN 電流崩塌 功率器件
邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響
- 過(guò)去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩(wěn)步增長(zhǎng)，并且預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)還將持續(xù)。這種增長(zhǎng)是線下與線上活動(dòng)共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計(jì)，2022 年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340 太瓦時(shí)（TWh）。近年來(lái)，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持續(xù)增長(zhǎng)[1]。圖1 1910年以來(lái)全球二氧化碳排放量（單位：千兆噸）：總量（上）；按行業(yè)劃分（下）隨著能源消耗的增加，相關(guān)的二氧化碳排放量也在2022年達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的37 千兆噸。為應(yīng)對(duì)這一問(wèn)題，
- 關(guān)鍵字： 202412 GaN CoolGaN
深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？
- / 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動(dòng)，高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品，對(duì)他們的結(jié)構(gòu)、特性、兩者的應(yīng)用差異等方面進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。引 言作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 GaN SiC 電氣工程師
想提高高壓LED照明中的效率和功率密度？上GaN技術(shù)！
- 文章 概述本文介紹了 寬帶隙（ GaN ）技術(shù)在高壓 LED照明 中的應(yīng)用，以及如何解決效率和功率密度挑戰(zhàn)。文章重點(diǎn)討論了利用GaN技術(shù)的LED驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)的降壓部分，展示了如何通過(guò)寬帶隙技術(shù)提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能功率BCD工藝柵極驅(qū)動(dòng)器與高電壓GaN晶體管結(jié)合，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并提高了功率密度。事實(shí)證明， 高壓LED照明可以有效地取代高強(qiáng)度放電 (HID
- 關(guān)鍵字： Digikey LED照明 GaN
“LiDAR激光雷達(dá)”為智慧物流賦能，羅姆“激光器+GaN”帶來(lái)安全精準(zhǔn)
- 1? ?LiDAR（3D感測(cè)和距離感測(cè)）備受矚目在物流行業(yè)，物流需求持續(xù)擴(kuò)大，但同時(shí)也面臨著嚴(yán)重的勞動(dòng)力短缺問(wèn)題。越來(lái)越多的業(yè)內(nèi)企業(yè)開始考慮引進(jìn)智慧物流系統(tǒng)，利用AGV（無(wú)人搬運(yùn)車）和AMR（自主移動(dòng)機(jī)器人）等執(zhí)行工作。然而，也有很多企業(yè)擔(dān)心安全性和系統(tǒng)管理等方面的問(wèn)題。實(shí)際上，ISO 對(duì)功能安全的要求也很高，能夠確保安全性的智能感測(cè)技術(shù)和模塊已經(jīng)逐漸成為不可或缺的存在。在這種背景下，旨在構(gòu)建更安全、更安心的智慧物流系統(tǒng)，并且能夠更精準(zhǔn)地感測(cè)更遠(yuǎn)的距離、不易受到陽(yáng)光干擾的激光雷達(dá)LiD
- 關(guān)鍵字： 202411 LiDAR 激光雷達(dá) 智慧物流 羅姆 激光器 GaN
2024 IIC創(chuàng)實(shí)技術(shù)再獲獎(jiǎng) 分享供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)下的自我成長(zhǎng)
- 11月5日-6日，由全球電子行業(yè)知名媒體AspenCore主辦的國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田會(huì)展中心7號(hào)館圓滿落幕。作為業(yè)界頗具影響力的系統(tǒng)設(shè)計(jì)峰會(huì)，IIC Shenzhen 2024再次為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)搭建了一個(gè)專業(yè)的交流平臺(tái)，聚集國(guó)內(nèi)外電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖、管理人員、設(shè)計(jì)精英及決策者，聚焦重大前沿新興技術(shù)及產(chǎn)品、市場(chǎng)應(yīng)用以及供應(yīng)鏈發(fā)展變遷和趨勢(shì)，以此助推產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新穩(wěn)健發(fā)展。在同期舉行的“2024年度全球電子元器件分銷商卓越表現(xiàn)獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)盛典上，業(yè)內(nèi)領(lǐng)先電子元器件分銷商深
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可實(shí)現(xiàn)更高功率密度的基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器
- Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進(jìn)一步壯大其不斷擴(kuò)展的電源IC產(chǎn)品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設(shè)備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。?NEX806xx/NEX808xx是準(zhǔn)諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應(yīng)同步整流控制器。這些IC可與N
- 關(guān)鍵字： Nexperia AC/DC反激式控制器 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器
如何在設(shè)計(jì)中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~
- 如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來(lái)電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認(rèn)為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三代半導(dǎo)體界的“雙雄”。其中，SiC在高耐壓和大電流應(yīng)用方面優(yōu)勢(shì)突出，近年來(lái)在新能源汽車、可再生能源等功率電子領(lǐng)域風(fēng)頭無(wú)兩；而GaN則憑借出色的擊穿場(chǎng)強(qiáng)特性和電子飽和速度，提供出色的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)（高頻率工作）性能，在
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德州儀器擴(kuò)大氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍
- 新聞亮點(diǎn)：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個(gè)工廠的GaN半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍?！? ?德州儀器基于GaN的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市?！? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導(dǎo)體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品?！? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應(yīng)用GaN制造工藝的試點(diǎn)項(xiàng)目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開始投產(chǎn)。隨著會(huì)津工廠投產(chǎn)，
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 氮化鎵 GaN
三相集成GaN技術(shù)如何更大限度地提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能
- 在應(yīng)對(duì)消費(fèi)類電器、樓宇暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)和工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置的能耗挑戰(zhàn)中，業(yè)界積極響應(yīng)，通過(guò)實(shí)施諸如季節(jié)性能效比(SEER)、最低能效標(biāo)準(zhǔn)(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項(xiàng)目推進(jìn)建立系統(tǒng)能效評(píng)級(jí)體系。變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD) 可為加熱和冷卻系統(tǒng)提供出色的系統(tǒng)效率，特別是在這些系統(tǒng)具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機(jī)轉(zhuǎn)速，并進(jìn)行高頻脈寬調(diào)制(PWM)開關(guān)，可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效
- 關(guān)鍵字： 202409 三相集成GaN 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 GaN
AI芯片獨(dú)角獸最新產(chǎn)品 比英偉達(dá)GPU快20倍
- 綜合外媒報(bào)導(dǎo)，人工智能（AI）芯片巨頭英偉達(dá)（Nvidia）的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手、全球最大AI芯片獨(dú)角獸 Cerebras Systems宣布，推出Cerebras Inference，據(jù)稱是全世界最快AI解決方案，較英偉達(dá)目前這一代GPU快20倍，價(jià)格更便宜只有GPU的五分之一。Cerebras的AI推論工具可為大語(yǔ)言模型Llama 3.1 8B，每秒生成1,800個(gè) tokens，比超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的英偉達(dá)GPU解決方案快20倍。而且Cerebras價(jià)格以每百萬(wàn)tokens收10美分起跳，與英偉達(dá)GPU解決方案
- 關(guān)鍵字： AI芯片 英偉達(dá) GPU Cerebras Systems
新潔能SiC/GaN功率器件及封測(cè)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目延期
- 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測(cè)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項(xiàng)目的工程建設(shè)、設(shè)備采購(gòu)及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無(wú)法在計(jì)劃時(shí)間內(nèi)完成。據(jù)悉，此次延期項(xiàng)目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資約2.23億元，2022年開建，原計(jì)劃2024年建設(shè)完成。項(xiàng)目建成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱，本次募投項(xiàng)目延期僅涉及項(xiàng)目進(jìn)度的
- 關(guān)鍵字： 新潔能 SiC GaN 功率器件 封測(cè)
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