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          仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問題

          • 這篇微信文章,其實構(gòu)思已久。為了有所鋪墊,已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎篇。2022,讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問題。這篇微信文章,其實構(gòu)思已久。為了有所鋪墊,已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎篇:●    2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導通現(xiàn)象》●    2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯(lián)均流特性》2022,讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導通問題。特別提醒:仿真只是工具,仿真無法替代實驗,仿真只供參考。在展開
          • 關鍵字: 英飛凌  SiC  

          安森美的VE-Trac SiC系列為電動車主驅(qū)逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢

          • 雙碳目標正加速推進汽車向電動化發(fā)展,半導體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動車,新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優(yōu)勢將改變電動車的未來,如在關鍵的主驅(qū)逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠續(xù)航、更小損耗和更低的重量,以及向800 V遷移的趨勢中更能發(fā)揮它的優(yōu)勢,但面臨成本、封裝及技術(shù)成熟度等多方面挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)提供領先的智能電源方案,在SiC領域有著深厚的歷史積淀,是世界上少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商之一,其創(chuàng)新的VE TracTM Direct SiC
          • 關鍵字: 安森美  SiC  逆變器  

          CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強聯(lián)手開發(fā)高功率密度碳化硅(SiC)逆變器

          • 高溫半導體和功率模塊領域的領導者CISSOID宣布,公司已與NAC Group和Advanced Conversion(為要求嚴苛的應用提供高性能電容器的領導者)開展合作,以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅(SiC)功率堆棧。該功率堆棧結(jié)合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐(DC-Link)電容器,可進一步與控制器板和液體冷卻器集成,為電機驅(qū)動器的高功率密度和高效率SiC逆變器(見下圖)的設計提供完整的硬件和軟件平臺。CIS
          • 關鍵字: CISSOID  SiC  

          安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設計挑戰(zhàn)

          • 隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應用和大型設備的不斷發(fā)展,市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位,且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展,設計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權(quán)衡取舍的挑戰(zhàn),安森美(onsemi)基于新一代半導體材料碳化硅(SiC)的方案,有助于變革性地優(yōu)化UPS設計。安森美是領先的智能電源方案供應商之一,也是全球少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商,提供先進的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊技術(shù),以及廣泛的分立器件、門極驅(qū)動器等周邊器件,滿足低
          • 關鍵字: 安森美  SiC  

          SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討

          • 隨著制備技術(shù)的進步,在需求的不斷拉動下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及儲能等應用領域的發(fā)展,更是不容小覷。富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務,為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域,富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗,落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考,并期待與您進一步的交流。作為系列文章的第一部分,本文將先就SiC
          • 關鍵字: 富昌電子  SiC  MOSFET  

          GaN Systems HD半橋雙極驅(qū)動開關評估板在貿(mào)澤開售

          • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動開關評估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強模式 (e-mode) 半橋評估板性能優(yōu)異,同時減少了組件總數(shù),節(jié)省了寶貴的電路板空間。 貿(mào)澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個HEY1011-L12C GaN FET驅(qū)動器和兩
          • 關鍵字: 貿(mào)澤電子  GaN  半橋雙極驅(qū)動開關  

          Qorvo 助力簡化 GaN PA 偏置

          • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布推出 ACT41000-104-REF1,這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設計,可加強 Qorvo GaN PA 的設計與測試。GaN 器件是耗盡型 FET,運行時需要施加負柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統(tǒng)中,需要以特定的順序進行偏置:提高漏極偏置電壓之前,必須施加負柵極電壓,以保護器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內(nèi)置可配置
          • 關鍵字: GAN  PA  

          學貫中西(8):從GAN領悟人機協(xié)同創(chuàng)新之道

          • 1 回顧:GAN里的兩個角色在上一期里,詳細介紹了 GAN( 生成對抗網(wǎng) ) 里的 兩個角色:生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。 其中的生成者,又稱為創(chuàng)新者,而判別者又稱為鑒賞者。 在常見的圖像繪畫領域,其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是: G( 創(chuàng)新者 ) 負責創(chuàng)作圖片;而 D( 鑒賞者 ) 負責辨別一 張圖像的真或假,然后引領 G 逐步改進,止于完美逼 近目標。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式,屬于 AI 機器與機器之 間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而,在 AI 科技不斷
          • 關鍵字: 202206  GAN  人機協(xié)同  

          EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺

          • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推線上論壇,為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇",為工程師提供產(chǎn)品信息和技術(shù)支持,從而了解氮化鎵(GaN)技術(shù)的應用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業(yè)學生和所有氮化鎵技術(shù)愛好者而設,為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外,用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外,
          • 關鍵字: GaN  宜普  

          貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET,為各類電源應用提供更好的支持

          • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品,此第四代器件具有出色的導通電阻特性,適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案,如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。?貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了
          • 關鍵字: SiC  FET  

          毫米波技術(shù)需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產(chǎn)品

          • 5G 通信正在改變我們的生活,同時也在促進產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型,為工業(yè)、汽車和消費電子等行業(yè)提供了巨大的應用想象空間與市場機會,例如實現(xiàn)創(chuàng)建人與機器人和諧共存的環(huán)境,高質(zhì)量醫(yī)療,并且加速實現(xiàn)安全的自動駕駛汽車,等等?!?打造未來智能工廠——5G 無線網(wǎng)絡可以幫助工廠實現(xiàn)更高的可靠性,例如縮短延遲時間、提高生產(chǎn)效率。在人與機器人共存的世界里,更強的連接可以改善人機互動,并降低事故風險。● 提供高質(zhì)量的醫(yī)療服務——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實施遠程監(jiān)測,進行生命體征檢測,并將信息傳輸給基于云的診斷
          • 關鍵字: 202206  毫米波  5G  GAN  

          第三代半導體引領5G基站技術(shù)全面升級

          • 5G 受到追捧是有充足的理由的。根據(jù)CCS Insight 的預測,到2023 年,5G 用戶數(shù)量將達10 億;2022 年底,5G蜂窩基礎設施將承載近15%的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎設施對射頻半導體器件的硬性要求。對于整個第三代半導體技術(shù),尤其是氮化鎵(GaN),5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比,GaN 器件的開關頻率、輸出功率和工作溫度更高,適合1-110 GHz的高頻通信應用,涵蓋移動通信、無線網(wǎng)絡、點對點和點對多點微波通
          • 關鍵字: 202206  第三代半導體  GaN  

          TI:運用GaN技術(shù)可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率

          • 德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮,26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示,TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵(GaN)技術(shù)的潛力,以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴建 – 以氮化鎵技術(shù)實現(xiàn)更高效率」為題,分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數(shù)據(jù)中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示,隨著各產(chǎn)業(yè)領導者期盼透過數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新,從而也提高了運算能力的需求,TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力,以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。他也強調(diào),
          • 關鍵字: TI  GaN  數(shù)據(jù)中心  能源效率  

          SiC MOSFET驅(qū)動電壓測試結(jié)果離譜的六大原因

          • _____開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一,由器件在開關過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試,而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形,為了得到正確的結(jié)論,獲得精準的開關過程波形至關重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度,同時還能夠降低系統(tǒng)成本,受到廣大電源工程師的青睞,越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關器件的一個重要區(qū)別是它
          • 關鍵字: Tektronix  SiC  MOSFET  

          學貫中西(7):介紹生成對抗網(wǎng)路(GAN)

          • 1? ?GAN與NFT的結(jié)合在上一期里,我們說明了天字第一號模型:分類器。接著本期就來看看它的一項有趣應用:GAN(generative adversarial networks,生成對抗網(wǎng)絡)。自從2014 年問世以來,GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領域,就開始涌現(xiàn)了許多極具吸引力的創(chuàng)作和貢獻。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫筆,使用GAN 進行創(chuàng)作特別令人振奮,常常創(chuàng)作出很特別的效果,給人們許多驚喜的感覺,例如圖1。?圖1近年來,非同質(zhì)化代幣NFT(
          • 關鍵字: 202205  生成對抗網(wǎng)路  GAN  
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