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          SiC助力軌道交通駛向“碳達峰”
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 當前，全球主要國家和地區(qū)都已經宣布了“碳達峰”的時間表。在具體實現(xiàn)的過程中，軌道交通將是一個重要領域。由于用能方式近乎100%為電能，且?guī)哟罅炕A設施建設，因此軌道交通的“碳達峰”雖然和工業(yè)的“碳達峰”路徑有差異，但總體實現(xiàn)時間將較為接近。在中國，這個時間節(jié)點是2030年之前。當然，“碳達峰”在每一個領域都有狹義和廣義的區(qū)分，比如在工業(yè)領域，一方面是重點企業(yè)自身通過節(jié)能+綠電的方式實現(xiàn)“碳達峰”，另一方面也需要圍繞重點企業(yè)的產業(yè)鏈上下游全面實現(xiàn)能耗降低。對于軌道交通也是如此，狹義層面的軌交工具，以及廣義
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          • 關鍵字：
                        Mouser  SiC                          
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          碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅動技術助力實現(xiàn)“萬物電氣化”
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設計轉型。碳化硅（SiC）是引領這一趨勢的核心技術，可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統(tǒng)，為機載交流發(fā)電機、執(zhí)行機構和輔助動力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護需求。但是，SiC技術最顯著的貢獻體現(xiàn)在其所肩負實現(xiàn)商用運輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
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          • 關鍵字：
                        碳化硅  SiC  電源管理  可配置數(shù)字柵極驅動  萬物電氣化                          
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          士蘭明鎵SiC功率器件生產線初步通線，首個SiC器件芯片投片成功
          
                                                            
            
                    	
          • 10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產線已實現(xiàn)初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產品各項參數(shù)指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產2000片6英寸SiC芯片的生產能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發(fā)，性能指標達到業(yè)內同類器件結構的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上，參數(shù)指標較好，繼續(xù)完成評測，即將向客戶送樣。據(jù)了解，2017年12月1
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          • 關鍵字：
                        士蘭微  士蘭明鎵  SiC  功率器件                          
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          格芯獲得3000萬美元政府基金研發(fā)GaN芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網(wǎng)等領域。格芯稱，電動汽車的普及、電網(wǎng)升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導體帶來需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
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          • 關鍵字：
                        格芯獲  GaN                          
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          GaN IC縮小電機驅動器并加快eMobility、電動工具、 機器人和無人機的上市時間
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅動系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時簡化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內含柵極驅動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
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          • 關鍵字：
                        GaN IC  電機驅動器                          
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          世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
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          • 關鍵字：
                        GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi                          
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          功率GaN RF放大器的熱考慮因素
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。其中許多應用需要很長的使用壽
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          • 關鍵字：
                        Wolfspeed  放大器  GaN                          
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          使用TI功能安全柵極驅動器提高SiC牽引逆變器的效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 隨著電動汽車 (EV) 制造商競相開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統(tǒng)效率的壓力，這樣可以延長行駛里程并在市場中獲得競爭優(yōu)勢。功率損耗越低則效率越高，因為它會影響系統(tǒng)熱性能，進而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著開發(fā)的逆變器功率級別更高，每輛汽車的電機數(shù)量增加，以及卡車朝著純電動的方向發(fā)展，人們將持續(xù)要求降低系統(tǒng)功率損耗。過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導體技術的進步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高
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          • 關鍵字：
                        TI  功能安全  柵極驅動器  SiC  逆變器                          
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          使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現(xiàn)。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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          • 關鍵字：
                        TI  GaN                          
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          貿澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子  (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經優(yōu)化適合車載充電器、軟開關DC/DC
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          • 關鍵字：
                        貿澤  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET                          
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          大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi和GaN System產品的PD快充電源方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2022年9月20日，致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產品以及氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機、電腦為代表的移動智能設備已經成為人們日常生活的重要工具，然而隨著這些設備所覆蓋的功能越來越多，設備有限的續(xù)航能力已經無法滿足用戶對
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          • 關鍵字：
                        大聯(lián)大友尚  onsemi  GaN System  PD快充電源                          
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          使用集成GaN解決方案提高功率密度
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現(xiàn)。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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          • 關鍵字：
                        德州儀器  GaN  功率密度                          
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          GaN將在數(shù)據(jù)服務器中挑起效率大梁
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 雖然增加可再生能源是全球的大趨勢，但這還不夠，能源效率是另一個重點領域，這是因為服務器及其冷卻系統(tǒng)對能源消耗，占據(jù)了數(shù)據(jù)中心將近40%的運營成本。GaN具有獨特的優(yōu)勢，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數(shù)據(jù)中心的配電和轉換、節(jié)能、減少對冷卻系統(tǒng)的需求，并最終使數(shù)據(jù)中心更具成本效益和可擴展性。數(shù)字化和云端服務的快速建置推動了全球數(shù)據(jù)服務器的產業(yè)規(guī)模的成長。今天，數(shù)據(jù)服務器消耗了全球近1%的電力，這個數(shù)字預計會不斷的成長下去。次世代的產業(yè)趨勢，例如虛擬世界、增強實境和虛擬現(xiàn)實，所消耗大量電力將遠超現(xiàn)今地球上所能
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          • 關鍵字：
                        GaN  數(shù)據(jù)服務器  效率                          
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          東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。  新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
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          • 關鍵字：
                        東芝  SiC MOSFET                          
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          殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在電力電子應用中，為了滿足更高能效和更高開關頻率的要求，功率密度正在成為關鍵的指標之一?；诠瑁⊿i）的技術日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應用之門。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
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          • 關鍵字：
                        貿澤電子  GaN                          
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