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          使用TinySwitch-III的12W寬電壓輸入的恒壓適配

          • 使用TinySwitch-III的12W寬電壓輸入的恒壓適配器電路該電源為12V、1A輸出的寬電壓輸入反激式轉(zhuǎn)換器,采用了TinySwitch-III系列中的TNY278P器件。由于很多功能已經(jīng)集成在器件內(nèi)部,因此僅需要31個直插式元件(無表面...
          • 關(guān)鍵字: TinySwitch-III  寬電壓輸入  恒壓適配  

          CY3664-enCoRe III:無線鼠標(biāo)游戲手柄開發(fā)系統(tǒng)解決方案

          • Cypress公司的CY7C603xx系列是低壓enCoRe III PSoC器件,采用功能強(qiáng)大的哈佛架構(gòu),M8C處理器的速度高達(dá)12MHz,工作電壓2.4V~3.6V,具有可配置的外設(shè)如8位定時器,計(jì)數(shù)器和PWM,,全雙工主或從SPI,10位ADC,8位SAR ADC
          • 關(guān)鍵字: enCoRe  III  CY    

          電壓高(120VP-P)的功率MOSFET放大器電路及工作原理

          • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似,放大電路必須采用對稱電路,而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路,各級均為推挽對稱電路,可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  VP-P  電壓    

          μC/OS―III為縮短中斷關(guān)閉時間作出的改進(jìn)

          • μC/OS―III為縮短中斷關(guān)閉時間作出的改進(jìn),摘要:本文介紹了實(shí)時內(nèi)核的中斷機(jī)制,研究了mu;C/OS—III為縮短中斷關(guān)閉時間做出的改進(jìn)。通過對比mu;C/OS—II以及mu;C/OS—III的中斷管理辦法,分析mu;C/OS—III在哪些方面作出了改進(jìn)。
          • 關(guān)鍵字: μC/OS―III  實(shí)時內(nèi)核  臨界區(qū)  中斷管理  

          基于μC/OS―III和ARM的空心杯電機(jī)控制器設(shè)計(jì)

          • 基于μC/OS―III和ARM的空心杯電機(jī)控制器設(shè)計(jì),引言空心杯電機(jī)在結(jié)構(gòu)上采用了無鐵芯轉(zhuǎn)子,克服了有鐵芯電動機(jī)不可逾越的技術(shù)障礙,使其具備了更加突出的節(jié)能特性、靈敏方便的控制特性和穩(wěn)定的運(yùn)行特性。隨著工業(yè)技術(shù)的飛速發(fā)展,電動機(jī)的伺服特性要求不斷提高,空
          • 關(guān)鍵字: μC/OS―III  Cortex―M4  TM4C132GH6PM  空心杯電機(jī)  前饋PID  

          64位MIPS架構(gòu)為OCTEON III處理器提供低功耗、高吞

          • Imagination Technologies 宣布,該公司的64位MIPS架構(gòu)已獲得面向下一代企業(yè)、數(shù)據(jù)中心與服務(wù)提供商基礎(chǔ)架構(gòu)等應(yīng)用的Cavium新款低功耗OCTEON® III SoC處理器
          • 關(guān)鍵字: MIPS  OCTEON  III  Cavium   

          Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

          •   比利時奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式,發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。   目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道,并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向,3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝,而不必遵循微縮規(guī)則。   此外,Imec最近發(fā)現(xiàn),透過使用通道中的III-V材
          • 關(guān)鍵字: Imec  III-V  

          Weightless-P為IoT應(yīng)用擴(kuò)展雙向通訊標(biāo)準(zhǔn)

          •   Weightless特別興趣小組(Weightless SIG)正致力于開發(fā)低功耗廣域網(wǎng)路(LP-WAN)新標(biāo)準(zhǔn),瞄準(zhǔn)無法采用諸如Wi-Fi或ZigBee等現(xiàn)有無線網(wǎng)路的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關(guān)應(yīng)用類型。 新的Weightless-P標(biāo)準(zhǔn)主要針對具挑戰(zhàn)性的都會環(huán)境,可在高達(dá)2km的距離內(nèi)為以電池供電的行動裝置或基地臺提供雙向通訊。透過聯(lián)手SIG成員 云創(chuàng)科技(M2Communication;M2COMM)提供基于現(xiàn)場可驗(yàn)證的技術(shù),該新標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)可在今年第四季準(zhǔn)備就緒,并于2016年初推出首款硬 體產(chǎn)品。
          • 關(guān)鍵字: IoT  Weightless-P  

          如何將RTOS添加到您的Zynq SoC設(shè)計(jì)中

          •   1 什么是實(shí)時操作系統(tǒng)?   實(shí)時操作系統(tǒng)是確定的,意思是指系統(tǒng)需要在明確的截止時間內(nèi)做出響應(yīng)。這種確定性很重要,其原因有多種,例如,如果最終應(yīng)用正在監(jiān)控工業(yè)流程,那么必須在特定時段內(nèi)對事件做出響應(yīng),工業(yè)控制系統(tǒng)就屬于這類情況。   可根據(jù)滿足截止時間的能力對RTOS進(jìn)一步分類為三種不同類型的RTOS,每種類型都以不同方式滿足截止時間。在hard RTOS中,錯過截止時間被視為系統(tǒng)錯誤。而對于firm RTOS就不是這樣,偶爾錯過截止時間是可以接受的。在soft RTOS中,錯過一次截止時間會減少
          • 關(guān)鍵字: RTOS  SDK  信號量  Zynq  μC/OS-III  

          經(jīng)典再續(xù):μC/OS-III

          •   μC/OS-III相比于μC/OS-II做了很多的改進(jìn),是一款全新的內(nèi)核,在效率方面有了很大提升,并且支持任務(wù)的時間片輪轉(zhuǎn)調(diào)度,摒棄了一些不必要的內(nèi)容,如消息郵箱,對于熟悉μC/OS-II的工程師來說,上手μC/OS-III還是比較容易的,先來了解一下μC/OS-III做了哪些具體的改進(jìn)。   一、時鐘節(jié)拍的改進(jìn)   在RTOS中,任務(wù)可通過調(diào)用延時函數(shù)(如OSTimeDly( )函數(shù))將自己延時掛起一段時間,任務(wù)在延時的過程中會釋放CPU,延時的任務(wù)不占用寶貴的CP
          • 關(guān)鍵字: RTOS  μC/OS-III  μC/OS-II  

          打造光通信“中國芯”:烽火P-OTS芯片煉成史

          •   芯片曾被形象地比喻為國家的“工業(yè)糧食”,是信息產(chǎn)業(yè)的核心,是所有整機(jī)設(shè)備的心臟。在計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子等幾大領(lǐng)域,芯片幾乎起著生死攸關(guān)的作用。然而,我國芯片產(chǎn)業(yè)起步較晚,許多核心技術(shù)受制于人,關(guān)鍵設(shè)備、原材料等長期依賴進(jìn)口。   2013年,一則消息震驚了國人:來自海關(guān)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表明,2013年我國集成電路進(jìn)口高達(dá)2313億美元,超過石油進(jìn)口排名高居首位。事實(shí)上,中國有十余年集成電路進(jìn)口額超過石油,長期居各類進(jìn)口產(chǎn)品之首。   國際貨幣基金組織曾測算過,芯
          • 關(guān)鍵字: 烽火  P-OTS  

          LG Display公布柔性P-OLED顯示屏長期研發(fā)計(jì)劃

          •   LG Display公司公布其P-OLED屏幕計(jì)劃。P-OLED屏幕將用于智能手機(jī)、平板電腦、電腦和電視。該塑料OLED顯示屏在LG G Watch R智能手表上正式登場,而G Watch R最近已在全球范圍內(nèi)發(fā)售。之前LG曾在G Flex曲面智能手機(jī)上使用該屏幕的一個版本。   以下是為什么繼續(xù)研發(fā)P-OLED顯示屏是一件好事的幾個原因。這款屏幕比起用玻璃制成的OLED屏幕更輕更薄,在設(shè)計(jì)上更為簡單,而且更為生態(tài)友好型。塑料材質(zhì)比起玻璃也更為強(qiáng)韌,不會在猛烈碰撞中粉碎。   P-OLED顯示屏還
          • 關(guān)鍵字: LG  P-OLED  

          基于μC/OS-III及STM32的多功能控制器設(shè)計(jì)

          •   電動軌道車控制系統(tǒng)一般分為多個子系統(tǒng),子系統(tǒng)受一個主控器控制。這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)繁瑣,編程復(fù)雜。采用μC/OS-III操作系統(tǒng)、STM32F103RC微控制器、12864液晶屏、PVC按鍵、無線串口模塊、鋰電池等實(shí)現(xiàn)具有人機(jī)界面、無線串口功能的總線主控器。該控制器具有人機(jī)界面、軌道車主控器、遙控接收器、遙控面板等多種功能,并且能在不同項(xiàng)目中使用。(※ μC/OS-III從官網(wǎng)上下載,文件名為Micrium_uC-Eval-STM32F107_uCOS-III,版本為V1.29.01.00。)
          • 關(guān)鍵字: μC/OS-III  STM32  12864  

          超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET

          •   最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術(shù)研討會上的研究人員們表示,未來,這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。   在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中,美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
          • 關(guān)鍵字: III-V族  MOSFET  

          Vitesse為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)提供一攬子解決方案

          •   為電信網(wǎng)、企業(yè)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)網(wǎng)絡(luò)提供先進(jìn)芯片解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Vitesse Semiconductor公司(納斯達(dá)克股票代碼:VTSS)日前宣布:推出其最新一代的SparX-III?以太網(wǎng)交換芯片,包括VSC7420-04、VSC7421-04和VSC7422-04 等,它們專門為包括樓宇自動化、制造自動化、智能化交通、智能能源以及視頻監(jiān)控/安防等工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而優(yōu)化。通過Vitesse全新的SparX-III系列、一攬子以太網(wǎng)硬件和軟件參考系統(tǒng)以及原始設(shè)計(jì)制造商模型,用戶可將其產(chǎn)品上市時間
          • 關(guān)鍵字: Vitesse  IoT  SparX-III  
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          ha30(iii)p/tsdl介紹

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