hdr-cmos 文章 進(jìn)入hdr-cmos技術(shù)社區(qū)
如何提高抗干擾能力和電磁兼容性
- 在研制帶處理器的電子產(chǎn)品時(shí)，如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結(jié)了一些方法?！ ∫弧⑾旅娴囊恍┫到y(tǒng)要特別注意抗電磁干擾： 1、微控制器時(shí)鐘頻率特別高，總線周期特別快的系統(tǒng)?！ ?、系統(tǒng)含有大功率，大電流驅(qū)動(dòng)電路，如產(chǎn)生火花的繼電器，大電流開關(guān)等?！ ?、含微弱模擬信號(hào)電路以及高精度A/D變換電路的系統(tǒng)?！ 《?、為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施： 1、選用頻率低的微控制器： 選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比
- 關(guān)鍵字： 電磁兼容 CMOS
模擬IC與數(shù)字IC異同
- 處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號(hào)的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號(hào)都具有連續(xù)性，可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究。而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號(hào)，都是脈沖方波。 模擬IC按技術(shù)類型來分有只處理模擬信號(hào)的線性IC和同時(shí)處理模擬與數(shù)字信號(hào)的混合IC。模擬IC按應(yīng)用來分可分為標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬 IC。標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調(diào)節(jié)與參考對(duì)比(VoltageRegulator/Reference)、信號(hào)界面(Interface)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(Data
- 關(guān)鍵字： 模擬IC CMOS
CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理方法
- 本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現(xiàn)多余輸入端的解決方法，并且對(duì)每種情況進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，希望大家能從本文得到有用的知識(shí)，解決輸入端多余的問題?！ MOS門電路 CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法： 與門和與非門電路 由
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
干貨分享：工程師教你如何設(shè)計(jì)D類放大器
- D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對(duì)于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計(jì)一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問題?！ ∫纛l放大器背景 音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號(hào)。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當(dāng)驅(qū)動(dòng)頻帶有限的揚(yáng)聲器時(shí)頻率
- 關(guān)鍵字： D類放大器 CMOS
對(duì)比工業(yè)成像中的CCD及CMOS技術(shù)
- 在工業(yè)應(yīng)用的成像系統(tǒng)中，CCD是采用定制的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)，高度優(yōu)化于成像應(yīng)用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)用于后續(xù)處理。具有高效的電子快門能力、寬動(dòng)態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內(nèi)，來進(jìn)行電荷——電壓轉(zhuǎn)換。這令電壓在整個(gè)器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
- 關(guān)鍵字： 成像系統(tǒng) 圖像傳感器 CCD CMOS 201604
什么是TTL電平、CMOS電平？?jī)烧叩膮^(qū)別
- TTL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強(qiáng)型PMOS晶體管和增強(qiáng)型NMOS管按照互補(bǔ)對(duì)稱形式連接的，下面來說一下兩者的區(qū)別?！ ∈裁词荰TL電平 TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價(jià)于邏輯"1"，0V等價(jià)于邏輯"0"，這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng)，這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。 TTL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍
- 整合光子與電子元件的半導(dǎo)體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無法廣泛應(yīng)用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國(guó)加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。 據(jù)HPC Wire網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，這顆整合7，000萬個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)和電子設(shè)計(jì)工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內(nèi)建的光電發(fā)射器和接收器
- 關(guān)鍵字： 芯片 CMOS
亞馬遜計(jì)劃和LG合作進(jìn)軍HDR視頻市場(chǎng)
- 最近推出的電視新品中，多了一個(gè)全新的概念：“HDR電視”。 電視上的HDR是一種新的標(biāo)準(zhǔn)、一種新格式，可以提供更多的動(dòng)態(tài)范圍和圖像細(xì)節(jié)，能夠更好地反映出真實(shí)環(huán)境中的視覺效果。在HDR的作用下，電視所呈現(xiàn)的色彩更加生動(dòng)，黑色更深邃，畫面中的物體也更加清晰明了。 針對(duì)HDR電視，索尼、LG等傳統(tǒng)的電視制造品牌都開始推出自己的HDR電視新品。至于內(nèi)容，亞馬遜的視頻流媒體服務(wù)也開始著手相關(guān)的內(nèi)容制作。他們透露，自己的流媒體為服務(wù)會(huì)與杜比Dolby合作，推出“Do
- 關(guān)鍵字： LG HDR
使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長(zhǎng)，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問題?！ ?、電源問題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路
量子點(diǎn)和HDR技術(shù)是電視廠商們的“新寵”
- 隨著內(nèi)容質(zhì)量的不斷提升，我們常見的720P、1080P的畫質(zhì)似乎已經(jīng)無法滿足消費(fèi)升級(jí)時(shí)代用戶對(duì)內(nèi)容品質(zhì)的要求了，于是4K洶涌來襲。而這一切的背后，其實(shí)是硬件生產(chǎn)者電視廠商們?cè)谕苿?dòng)。比如這次上海AWE，以三星為首的電視廠商們開始瘋狂地對(duì)外推介量子點(diǎn)和HDR技術(shù)，在電視畫質(zhì)色彩顯示標(biāo)準(zhǔn)上又往前邁了一大步。隨便到一家電商廠商的展臺(tái)，無不在對(duì)外“安利”HDR技術(shù)對(duì)畫質(zhì)的巨大改善，難怪有業(yè)內(nèi)人士感嘆，本屆AWE，量子點(diǎn)和HDR技術(shù)快被電視廠商們“玩壞”了!
- 關(guān)鍵字： 量子點(diǎn) HDR
歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)
- 歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項(xiàng)為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計(jì)劃，這項(xiàng)研發(fā)經(jīng)費(fèi)高達(dá)470萬美元的計(jì)劃重點(diǎn)是在標(biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來的5G規(guī)格要求，以及瞄準(zhǔn)頻寬更廣、影像解析度更高的雷達(dá)系統(tǒng)。 除了IBM (瑞士)，該計(jì)劃將由德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國(guó)LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
- 關(guān)鍵字： 5G CMOS
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