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聯(lián)電與星國微電子開發(fā)TSV技術(shù)
- 聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布，將合作進(jìn)行應(yīng)用在背面照度式CMOS影像感測(cè)器的TSV技術(shù)開發(fā)，透過這項(xiàng)技術(shù)，包括智慧手機(jī)、數(shù)位相機(jī)與個(gè)人平板電腦等行動(dòng)電子產(chǎn)品，里面所采用的數(shù)百萬像素影像感測(cè)器，都可大幅提升產(chǎn)品效能、降低成本、體積減少。 聯(lián)電指出，市場(chǎng)上對(duì)于持續(xù)縮小像素，又能兼顧效能的需求，日益增強(qiáng)，帶動(dòng)CMOS影像感測(cè)技術(shù)興起，而背面照度式技術(shù)則普遍被視為能夠讓微縮到微米級(jí)大小的像素，仍保有優(yōu)異效能的解決方案。 聯(lián)電指出，這次專案目標(biāo)，希望提影像感測(cè)器靈敏度，支援更
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)華 CMOS 微電子
IMEC探討10nm以下制程變異
- 在可預(yù)見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點(diǎn)后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動(dòng)技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時(shí)舉行的IMEC Technology Forum上表示。 明天的智慧系統(tǒng)將會(huì)需要更多的運(yùn)算能力和儲(chǔ)存容量，這些都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動(dòng)了我們對(duì)晶片微縮技術(shù)的需求。 在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動(dòng)晶片微縮。在10nm之后，或許還
- 關(guān)鍵字： IMEC CMOS 10nm
基于DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： PLL DSP CMOS 環(huán)形振蕩器
詳解背照式CMOS傳感器結(jié)構(gòu)和原理
- 背照式CMOS傳感器詳細(xì)解讀時(shí)代發(fā)展，技術(shù)進(jìn)步。數(shù)碼相機(jī)的各種新技術(shù)層出不窮，導(dǎo)致消費(fèi)者面對(duì)廠家宣傳或者是相機(jī)參數(shù)列表中的一些專業(yè)詞匯，一般都會(huì)感到非常難于理解，以致影響到購機(jī)前的判斷。所以我們數(shù)碼相機(jī)頻
- 關(guān)鍵字： 原理 結(jié)構(gòu) 傳感器 CMOS 詳解
基于CMOS工藝的新型集成運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)
- 集成電路，即integrated circuit，這是一種微型電子器件或部件，按功能可劃分為數(shù)字和模擬兩大類。而模擬集成電路一般用于模擬信號(hào)的產(chǎn)生和處理，有很多種種類，比如集成運(yùn)算放大器、集成鎖相環(huán)、集成功率放大器、集
- 關(guān)鍵字： CMOS 工藝 放大器設(shè)計(jì) 集成運(yùn)算
ARM9平臺(tái)下的CMOS圖像傳感器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
- 引言隨著CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的發(fā)展及市場(chǎng)需求的增加，CMOS圖像傳感器得以迅速發(fā)展。由于采用了C ...
- 關(guān)鍵字： ARM9 CMOS 圖像傳感器 數(shù)據(jù)采集
Rfaxis手持設(shè)備CMOS Wi-Fi射頻前端設(shè)計(jì)
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： 移動(dòng)手持設(shè)備 CMOS RFaxis Wi-Fi 射頻前端
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