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          一文讀懂Linux下如何訪問(wèn)I/O端口和I/O內(nèi)存

          •   一、I/O端口  端口(port)是接口電路中能被CPU直接訪問(wèn)的寄存器的地址。幾乎每一種外設(shè)都是通過(guò)讀寫設(shè)備上的寄存器來(lái)進(jìn)行的。CPU通過(guò)這些地址即端口向接口電路中的寄存器發(fā)送命令,讀取狀態(tài)和傳送數(shù)據(jù)。外設(shè)寄存器也稱為“I/O端口”,通常包括:控制寄存器、狀態(tài)寄存器和數(shù)據(jù)寄存器三大類,而且一個(gè)外設(shè)的寄存器通常被連續(xù)地編址。  二、IO內(nèi)存  例如,在PC上可以插上一塊圖形卡,有2MB的存儲(chǔ)空間,甚至可能還帶有ROM,其中裝有可執(zhí)行代碼?! ?nbsp;     三、IO端口和I
          • 關(guān)鍵字: Linux  I/O  

          【E問(wèn)E答】單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)應(yīng)該考慮哪些問(wèn)題?

          •   (1)存儲(chǔ)器擴(kuò)展:容量需求,在選擇時(shí)就考慮到單片機(jī)的內(nèi)部存儲(chǔ)器資源,如能滿足要求就不需要進(jìn)行擴(kuò)展,在必須擴(kuò)展時(shí)注意存儲(chǔ)器的類型、容量和接口,一般盡量留有余地,并且盡可能減少芯片的數(shù)量。選擇合適的方法、ROM和RAM的形式,RAM是否要進(jìn)行掉電保護(hù)等?! ?2)I/O接口的擴(kuò)展:?jiǎn)纹瑱C(jī)應(yīng)用系統(tǒng)在擴(kuò)展I/O接口時(shí)應(yīng)從體積、價(jià)格、負(fù)載能力、功能等幾個(gè)方面考慮。應(yīng)根據(jù)外部需要擴(kuò)展電路的數(shù)量和所選單片機(jī)的內(nèi)部資源(空閑地址線的數(shù)量)選擇合適的地址譯碼方法。  (3)輸入通道的設(shè)計(jì):輸入通道設(shè)計(jì)包括開關(guān)量和模擬輸
          • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  I/O  

          高云半導(dǎo)體宣布加入RISC-V基金會(huì)

          •   廣東佛山,2017年10月18日訊,作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的可編程邏輯器件供應(yīng)商,廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“高云半導(dǎo)體”)今天宣布加入RISC-V基金會(huì),成為該組織成員中第一家中國(guó)FPGA供應(yīng)商。此舉是繼2016年加入MIPI聯(lián)盟后高云半導(dǎo)體又一次加入國(guó)際性行業(yè)聯(lián)盟組織,進(jìn)一步向業(yè)界表達(dá)其致力于發(fā)展成為全球FPGA供應(yīng)商的愿景?! ISC-V是一種新型的指令集架構(gòu)(ISA),其初衷是支持計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)研究與教育,目前在RISC-V基金會(huì)的領(lǐng)導(dǎo)下已經(jīng)成為行業(yè)通用的標(biāo)準(zhǔn)開放架構(gòu)。RISC-V&nb
          • 關(guān)鍵字: 高云  RISC-V  

          Molex推出通過(guò)ODVA 完整合規(guī)測(cè)試認(rèn)證 M8 級(jí)別全連通性 IP67 DeviceNet I/O 模塊

          • Molex推出通過(guò)ODVA 完整合規(guī)測(cè)試認(rèn)證 M8 級(jí)別全連通性 IP67 DeviceNet I/O 模塊-Molex推出市場(chǎng)上第一種Brad DeviceNet HarshIO M8 模塊,該模塊通過(guò) ODVA 的完整合規(guī)測(cè)試并獲得認(rèn)證,針對(duì)電源、I/O 和 DeviceNet 現(xiàn)場(chǎng)總線提供 M8 級(jí)別的全連通性,是一種 IP67 等級(jí)的、獨(dú)一無(wú)二的小形狀系數(shù)解決方案,可實(shí)現(xiàn)高密度的機(jī)器上 I/O 連接,適合數(shù)控機(jī)床和機(jī)器人,以及材料加工和裝瓶設(shè)備應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: molex  ip67  i/o  

          1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世

          •   三星計(jì)劃在明年推出容量達(dá)1-Tbit的V-NAND芯片,以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。   三星(Samsung)計(jì)劃明年推出容量達(dá)1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND,以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示,去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣,據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達(dá)到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。   三星的Tbit NAND可支持高達(dá)每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率,并在一個(gè)堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達(dá)4
          • 關(guān)鍵字: V-NAND  NVMe  

          三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達(dá)1Tb

          •   相較于2.5寸SATA,M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢(shì),如果總線走PCIe,速度上更是完爆。   在舊金山的閃存峰會(huì)上,三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒,容量高達(dá)1Tb,用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。   三星表示,今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品,即一整顆芯片封裝16Tb Die,繼續(xù)減小體積。   如此精巧之后,連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了,三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標(biāo)準(zhǔn)。   其
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          三星電子全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線投產(chǎn)

          •   據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND,月產(chǎn)能可達(dá)20萬(wàn)片,并計(jì)劃持續(xù)擴(kuò)充生產(chǎn)設(shè)備,解決近年來(lái)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)上供不應(yīng)求的局面。   據(jù)了解,位于韓國(guó)京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動(dòng)工建設(shè),日均投入1.2萬(wàn)名施工人員,耗時(shí)兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。   三星宣布,至2021年為止,要對(duì)位于平澤市的NAND型快閃存儲(chǔ)器廠房投入14.4萬(wàn)億韓圜(約合125.4億美元),并對(duì)華城市新建的半導(dǎo)體生產(chǎn)線投入6
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          UltraSoC宣布推出業(yè)界首款支持RISC-V的處理器跟蹤技術(shù)

          •   領(lǐng)先的嵌入式分析技術(shù)開發(fā)商UltraSoC日前宣布:公司已經(jīng)開發(fā)出處理器跟蹤技術(shù),可支持基于開源RISC-V架構(gòu)的產(chǎn)品。UltraSoC公司已經(jīng)為處理器跟蹤技術(shù)開發(fā)了一套規(guī)范,將提供給RISC-V基金會(huì)(RISC-V Foundation)作為整個(gè)開源規(guī)范的一部分。此外,UltraSoC如今成為了首家可提供此項(xiàng)功能的生態(tài)系統(tǒng)參與者。  5家內(nèi)核(core)供應(yīng)商也已經(jīng)宣布他們支持新的跟蹤規(guī)范,使該規(guī)范成為軟件開發(fā)人員的一項(xiàng)關(guān)鍵功能,而不必?fù)?dān)心其使用的是何種處理器;該規(guī)范的交付是RISC-V生
          • 關(guān)鍵字: UltraSoC  RISC-V  

          PCB板的ESD

          • 總之,ESD雖然可怕,甚至?xí)?lái)嚴(yán)重后果,但是,只有保護(hù)好電路上電源和信號(hào)線,那么就能有效的防止ESD的電流流入PCB中。其中,我老大經(jīng)常說(shuō)的一句“一個(gè)板子的良好接地才是王道”,希望這句話也能給大家?guī)?lái)打破天窗的效果。
          • 關(guān)鍵字: PCB  ESD  I/O  

          電路設(shè)計(jì)中的八大誤區(qū)

          • 電路設(shè)計(jì)中的八大誤區(qū):一這板子的PCB設(shè)計(jì)要求不高,就用細(xì)一點(diǎn)的線,自動(dòng)布吧;二,這些總線信號(hào)都用電阻拉一下,感覺(jué)放心些;三,CPU和FPGA的這些不用的I/O口怎么處理呢?先讓它空著吧,以后再說(shuō);四,這款FPGA還剩這么多門用不完,可盡情發(fā)揮吧;五,這些小芯片的功耗都很低,不用考慮……
          • 關(guān)鍵字: 電路設(shè)計(jì)  PCB  自動(dòng)布線  I/O口  FPGA  

          單片機(jī)的鍵盤接口

          • 在開發(fā)單片機(jī)的應(yīng)用系統(tǒng)中,鍵盤接口是最常用的人機(jī)接口。鍵盤按照是否進(jìn)行硬件編碼可分為編碼鍵盤與非編碼鍵盤,PC機(jī)上的鍵盤是典型的編碼鍵盤,而單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中的鍵盤一般采用非編碼鍵盤便可滿足需要。
          • 關(guān)鍵字: 鍵盤接口  I/O引線  單片機(jī)  

          現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列的供電

          • FPGA概述  現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)是一種可編程邏輯器件,由成千上萬(wàn)個(gè)完全相同的可編程邏輯單元組成,周圍是輸入/輸出單元構(gòu)成的外設(shè)。制造完成后,F(xiàn)PGA可以在工作現(xiàn)場(chǎng)編程,以
          • 關(guān)鍵字: I/O模塊  VCCINT  FPGA  

          MAX II 器件的I/O擴(kuò)展

          • 為了能夠有效地?cái)U(kuò)展標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的通用I/O功能,許多系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)都必須大量采用低成本I/O引腳。MAX? II 器件靈活的低成本I/O是目前I/O引腳受限ASSP和微控制器的完美補(bǔ)充。
          • 關(guān)鍵字: MAXII  I/O擴(kuò)展  

          利用FPGA實(shí)現(xiàn)外設(shè)通信接口之:FPGA在外設(shè)接口實(shí)現(xiàn)方面的優(yōu)勢(shì)

          • FPGA的一個(gè)重要的應(yīng)用領(lǐng)域就是數(shù)據(jù)采集和接口邏輯設(shè)計(jì)。隨著芯片封裝技術(shù)的提高,現(xiàn)在的FPGA已經(jīng)可以在單位面積上提供更多的I/O管腳資源。
          • 關(guān)鍵字: 外設(shè)接口  I/O資源  FPGA  

          基于ARM和CPLD的橫機(jī)機(jī)頭電路測(cè)試系統(tǒng)

          • 為解決電腦橫機(jī)機(jī)頭控制系統(tǒng)信號(hào)的測(cè)試可靠性問(wèn)題,基于低成本、高效率的考慮,研究設(shè)計(jì)了機(jī)頭控制系統(tǒng)電路板的批量測(cè)試系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用TI公司的LM 3S5R31芯片作為系統(tǒng)的核心部分,通過(guò)CPLD進(jìn)行I/O擴(kuò)展及輔助控制,使得系統(tǒng)功能靈活強(qiáng)大。將同一信號(hào)通路中的前后級(jí)元件信號(hào)進(jìn)行編碼,向待測(cè)板發(fā)送握手信號(hào)并使之發(fā)送反饋信號(hào),該系統(tǒng)將反饋信號(hào)進(jìn)行采樣并在程序中比較計(jì)算,制作了實(shí)物并進(jìn)行了大量實(shí)驗(yàn)。
          • 關(guān)鍵字: 故障測(cè)試  I/O擴(kuò)展  CPLD  
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