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          單片機學習之七:基本I/O口試驗三-左右跑馬燈

          •   一、 試驗現(xiàn)象:   二極管從左至右,然后從右至左作跑馬燈變換,燈光變換的間隔時間是1s。   二、 試驗目的    掌握帶進位左、右環(huán)移指令rlc,rrc的應用    進一步熟悉延時程序的應用   三、 試驗任務分析:   按照上一個試驗的思路,該程序的編寫思路如下:先作左跑馬燈,然后再作右跑馬燈,然后讓程序不斷循環(huán)即可。在這個試驗里,我們給大家介紹另外兩個左、右移指令,先看程序吧。   四、 試驗程序如下:   org 0000h   clr p1.5   start: mov
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          單片機學習之五:基本I/O口試驗-點亮二極管

          •   實驗一、基本I/O口試驗:點亮二極管   1、 試驗現(xiàn)象:   8個二極管間隔發(fā)光。   2、 試驗目的:   了解最簡單的單片機程序的編寫方法;   了解單片機I/O口驅(qū)動二極管的方法   3、 試驗任務分析:   要想讓二極管按照我們的要求發(fā)光,首先要搞清楚電路的連接形式,我們先只看和這部分內(nèi)容有關(guān)的電路。當JMP0跳線接在12位置時(選通二極管顯示),電路如下圖所示:        下面,我分別把單片機各管腳功能作一簡單解釋:   XTAL1和XTAL2端:
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          基于MPC8280的PCI驅(qū)動設(shè)計

          • 基于MPC8280的PCI驅(qū)動設(shè)計,摘要 芯片MPC8280的主頻最高為450 MHz,僅靠運行在其上的軟件雖可實現(xiàn)路由交換功能,但交換容量僅約為40 Mbitmiddot;s-1,無法滿足多路千兆交換性能要求。利用MPC8280的PCI口外接千兆交換芯片BCM56514,能突破這一
          • 關(guān)鍵字: MPC8280  PCI  驅(qū)動設(shè)計  內(nèi)存空間讀寫  配置空間讀寫  I/O空間讀寫  

          飛思卡爾i.MX51系列滿足擴大的嵌入式市場需求

          • 曾推動智能本市場快速發(fā)展的飛思卡爾 i.MX51產(chǎn)品系列,目前經(jīng)過進一步擴展后又推出新的處理器,以幫助客戶在汽車、工業(yè)和消費電子市場突出自身特
          • 關(guān)鍵字: 飛思卡爾  i.MX51系列  嵌入式   

          三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

          • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動器已經(jīng)開始進行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比,具有包
          • 關(guān)鍵字: 3D垂直閃存  V-NAND  固態(tài)硬盤   

          三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進化

          • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升,節(jié)省電力消耗,并提高了急需
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  3D  固態(tài)盤   

          AS-i 總線安全連接技術(shù)與主站產(chǎn)品發(fā)展現(xiàn)狀

          • 【從常規(guī) AS-i 總線到 AS-i Safety 技術(shù)】AS-i 總線技術(shù)已發(fā)展近 20 年,最初只是在現(xiàn)場層面,將傳感器和執(zhí)行元件簡單進行連接。而現(xiàn)在,傳感器和執(zhí)行元
          • 關(guān)鍵字: AS-i  總線安全連接   

          采用多單片機的液位監(jiān)控儀設(shè)計與實現(xiàn)

          •   采用單片機設(shè)計液位監(jiān)控儀是很通用的做法。如果要測量的液位有很多路(16路以上),每路要求能滾動顯示1年內(nèi)每班、每日、每月的輸入輸出總量(1日3班),正?;蛞馔馔k姅?shù)據(jù)不丟失,人機交互能力要強(要設(shè)置適當數(shù)量的按鍵及采用LCD顯示),并且每路液位要求對應2路控制輸出信號(液罐液體輸入控制和輸出控制),配置微型打印機端口,設(shè)置聲音報警,所有這些無疑需要很多的I/O端口來支持,單憑一個單片機是辦不到的,需要擴展I/O端口。在此設(shè)計中,筆者認為采用專用I/O擴展芯片有較多的弊端,權(quán)衡利弊,選擇了用單片機來代替
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          ATMEGA8A 單片機I/O口模擬串口

          •   最近調(diào)試GPS的一個模塊,需要把數(shù)據(jù)從GPS讀取,再通過串口發(fā)送給PC機等一些功能。要用到2個串口,我使用了AMTEGA8A單片機,所以用普通IO模擬做了一個串口。花了我兩個晚上的時間,才調(diào)試好模擬串口程序,也遇到不少的問題,今天終于搞定了。但是還只是波特率1200,校驗位N 數(shù)據(jù)8 停止1 ,以后再慢慢完善。   模擬串口主要是先要考慮到波特率和數(shù)據(jù)格式。我采用的1200的波特率,所以一個位的時間是:1s/1200=833.3333333us .這里我沒用定時器,我是用延時來實現(xiàn)定時的,一個位的延
          • 關(guān)鍵字: ATMEGA8A  I/O  

          單片機音樂中音調(diào)和節(jié)拍的確定方法

          •   單片機音樂中音調(diào)和節(jié)拍的確定方法:調(diào)號-音樂上指用以確定樂曲主音高度的符號。   很明顯一個八度就有12個半音。   A、B、C、D、E、F、G。經(jīng)過聲學家的研究,全世界都用這些字母來表示固定的音高。比如,A這個音,標準的音高為每秒鐘振動440周。   升C調(diào):1=#C,也就是降D調(diào):1=BD;277(頻率)   升D調(diào):1=#D,也就是降E調(diào):1=BE;311   升F調(diào):1=#F,也就是降G調(diào):1=BG;369   升G調(diào):1=#G,也就是降A(chǔ)調(diào):1=BA;415   升A調(diào):1=#
          • 關(guān)鍵字: 單片機  I/O  

          三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

          •   備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了,TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。   三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M,并強調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD),也預計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現(xiàn)了,我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。        圖1:三星T3 2TB S
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展?

          •   三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元,屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片,預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當中,將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術(shù)實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元,意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          “I”型三電平逆變器開關(guān)管不均壓研究

          • 為解決“I”型三電平逆變拓撲中內(nèi)、外開關(guān)管的不均壓問題,在逆變拓撲開關(guān)管的控制方式及硬件電路上提出了優(yōu)化的方案。開關(guān)管發(fā)波控制中,在原有的時序控制中加入開機和關(guān)機的時序邏輯,開機時保證內(nèi)管先于外管開通,關(guān)機時保證外管先于內(nèi)管關(guān)斷,避免內(nèi)、外管承受電壓不一致的情況。在硬件電路中,對內(nèi)管增加阻容網(wǎng)絡,消除了內(nèi)、外管同時關(guān)斷時由于其寄生參數(shù)不一致而導致的內(nèi)、外管承受電壓不一致的現(xiàn)象。實驗結(jié)果表明,該方法可以徹底解決“I”型三電平拓撲中內(nèi)、外管承受電壓不一致的問題。
          • 關(guān)鍵字: “I”型三電平  絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)  內(nèi)、外管  不均壓  201607  

          谷歌欲全面接管我們的生活 喜還是憂?

          •   谷歌一年一度的開發(fā)者I/O大會讓眾多媒體狗徹夜未眠。   美國時間5月18日,谷歌在美國山景城(Mountain View)總部預發(fā)布了一系列人工智能產(chǎn)品與服務,谷歌CEO Sundar Pichai在會后隨即發(fā)布了題為“谷歌下一輪進化”的博客。   17年前,谷歌從一個創(chuàng)業(yè)公司起步,10年前推出了I/O開發(fā)者大會。當時,全球僅有3億多用戶通過PC連網(wǎng),如今卻有30億互聯(lián)用戶,且絕大多數(shù)是通過手機上網(wǎng)——準確的說是移動互聯(lián)網(wǎng)用戶。Sundar Pic
          • 關(guān)鍵字: 谷歌  I/O  

          谷歌i/o大會——爭霸“后智能手機”時代

          • 在一年一度的開發(fā)者大會上,Google徹底展現(xiàn)出其爭霸“后智能手機”的野心——成為一個超級智能平臺。
          • 關(guān)鍵字: 谷歌  I/O  
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