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          “e星球”領先展商 系列報導——Alpha and Omega 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Alpha?and?Omega?Semiconductor?(AOS)為集設計、開發(fā)與銷售為一體的功率半導體供應商,AOS提供廣泛的功率半導體產品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC(Power?IC)產品系列。其在器件物理，工藝技術，電路設計及封裝設計上擁有豐富的經驗。通過將這些經驗整合用于產品性能以及成本控制的優(yōu)化，AOS在競爭中顯示出自身的特色。AOS的產品線設計的目標是滿足日益增長的高產量，高效能產品的應用需求，包括手提電腦、平板電視、
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          • 關鍵字：
                        e星球  IGBT                          
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          英飛凌徐輝：半導體是未來技術創(chuàng)新發(fā)展的基礎
          
                                                            
            
                    	
          • 　　1月14日-15日，2017中國電動汽車百人會論壇在釣魚臺國賓館舉行，騰訊汽車作為戰(zhàn)略合作媒體將進行全程直播。會上，英飛凌科技(中國)有限公司大中華區(qū)副總裁徐輝進行了主題演講。
　　以下為發(fā)言實錄：
　　大家早上好!首先非常開心今天能再次來到百人會的論壇，能分享英飛凌對整個行業(yè)發(fā)展的看法和觀點。
　　今天在吳主任的領導下，演講嘉賓分工比較明確，今天我想談一談半導體如何支持整個汽車行業(yè)創(chuàng)新。正好中車的丁總也把功率半導體IGBT這方面講了，我更多從我們的角度出發(fā)，功能安全和信息安全正好分開了，不用重
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  IGBT                          
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          中國工程院院士丁榮軍：汽車功率半導體器件的發(fā)展趨勢
          
                                                            
            
                    	
          • 　　我的匯報分三個部分。
　　首先簡單介紹汽車功率半導體器件的發(fā)展趨勢。
　　功率半導體器件最早都是由晶閘管后來變成GTO到MOSFET，到現(xiàn)在用得比較多的IGBT器件。IGBT器件跟傳統(tǒng)的器件相比，主要是驅動比較簡單，同時損耗比較小，比較適合用于牽引傳動包括電機控制器等。IGBT器件包括原來講的功率半導體器件，都被譽為傳統(tǒng)系統(tǒng)，在高鐵里一樣，把它稱之為“心臟”。它主要起到能量傳輸和能量的點的轉換，是電機控制系統(tǒng)的CPU。
　　目前電動汽車器件大概占到控制器總成本的30%左右
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          • 關鍵字：
                        IGBT  功率半導體                          
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          解析國內IGBT增量需求主力何在
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 受益于新能源電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通的快速發(fā)展，未來IGBT市場將迎來爆發(fā)。
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          • 關鍵字：
                        IGBT                          
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          助力工業(yè)4.0發(fā)展 世強創(chuàng)新應用研討會圓滿舉行
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 傳統(tǒng)工業(yè)如何乘著工業(yè)4.0的東風，加快智能制造裝備發(fā)展、加快構建工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)基礎、加強關鍵共性技術創(chuàng)新也成為現(xiàn)今的熱點問題，這次世強舉辦研討會，旨在幫助工程師了解工業(yè)4.0的相關器件產品、前沿技術方案，從而更好的解決其在創(chuàng)新時的問題。
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          • 關鍵字：
                        工業(yè)4.0  IGBT                          
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          無刷直流電機控制器硬件設計和實現(xiàn)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 0引言無刷直流電機(以下簡稱BLDCM)用電子換相器取代機械換向器，根除了電刷和換向器接觸磨損所導致的壽命周期短、電氣絕緣低、火花干擾強
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          • 關鍵字：
                        BLDC  無刷直流電機  IGBT  旋轉變壓                          
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          研發(fā)、制造、應用 高鐵IGBT芯片實現(xiàn)全面國產化
          
                                                            
            
                    	
          • IGBT芯片的研發(fā)成功意味著，按中國標準制造的高鐵上，將安裝具有我國完全自主知識產權的‘中國芯’。
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          • 關鍵字：
                        IGBT  芯片                          
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          我國IGBT首次出口海外市場
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)湖南省經濟和信息化委員會發(fā)布的消息，近日，中車株洲電力機車研究所有限公司(中車株洲所)自主研發(fā)的8英寸IGBT產品，成功中標印度機車市場，將用于該國電力貨運重載機車改造升級項目，這是該產品首次出口海外。
　　絕緣雙極性晶體管(IGBT)是目前技術最先進的電力電子器件，廣泛應用于家用電器、新能源裝備、軌道交通、直流輸電、自動化和智能控制領域，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。該技術一直由英飛凌、ABB、三菱等國外公司壟斷。中車株洲所在引進吸收的基礎上，建成世界第二條8英寸I
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          • 關鍵字：
                        IGBT                          
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          全橋型IGBT脈沖激光電源電路
          
                                                            
            
                    	
          • V1—V4組成橋式逆變器，兩端并聯(lián)RCD吸收支路，L為限流電感，Co為儲能電容，Lo用于限制Co對負載氙燈的放電電流，保護氙燈。此處將限流電感L放在變壓器原邊。這除了能實現(xiàn)功率管的零電壓開通外，例如在V1，V4關斷后，由于L的續(xù)流作用，D2...
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          • 關鍵字：
                        全橋型  IGBT  脈沖激光  電源電路                          
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          IGBT變頻電源電路
          
                                                            
            
                    	
          • JS為軟啟動控制,避免上電時浪涌電流對整流模塊的沖擊。IGBT變頻電源電路:
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          • 關鍵字：
                        IGBT  變頻電源                          
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          IGBT基本結構及電路圖
          
                                                            
            
                    	
          • IGBT實在BDMOS型功率場效應管的基礎上發(fā)展起來的。在VDMOS結構的漏極側N+層下，增加一個P+層發(fā)射極而行程pn，如圖1-31所示，就構成IGBT。
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          • 關鍵字：
                        IGBT  基本結構                          
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          IGBT靜態(tài)特性與參數(shù)及電路圖
          
                                                            
            
                    	
          • IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉移特性和靜態(tài)開關特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制參數(shù)是柵源電壓，而不是基極電流。...
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          • 關鍵字：
                        IGBT  靜態(tài)特性                          
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          IGBT的保護及電路圖
          
                                                            
            
                    	
          • IGBT的保護措施，主要包括過壓保護和過流保護兩類。使用中，對于IGBT因關斷而產生的開關浪涌電壓，可以采用適當?shù)木彌_回路抑制它，使器件免于損壞。...
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          • 關鍵字：
                        IGBT  電路圖                          
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          VMOS、IGBT逆變充電電路圖
          
                                                            
            
                    	
          • 逆變器中的開關元件選用VMOS或IGBT時，組成的充電電路，比用晶閘管作開關元件的充電電路的工作頻率高。
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          • 關鍵字：
                        VMOS  IGBT  逆變充電  電路圖                          
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          中國IGBT產品首次單獨批量打入海外機車市場
          
                                                            
            
                    	
          • IGBT芯片技術含量極高，制造難度非常大，其研發(fā)、制造、應用是衡量一個國家科技創(chuàng)新和高端制造業(yè)水平的重要標志。
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          • 關鍵字：
                        IGBT                          
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          igbt 介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	什么是 IGBT　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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