為了應對補貼下降帶來的影響，市場對光伏組件和光伏逆變器的成本降低的需求將加強。目前來看，1500V等更高電壓的光伏組件將在成本降低方面將會很大程度上彌補支付補貼的下降。因此，隨著市場的期待，諸如1500V等更高電壓的光伏組件將會加快進入到市場的步伐。另外，光伏發(fā)電的效率和可靠性等要求也將相應提高，以提高光伏電站的產(chǎn)出，并降低光伏電站和光伏逆變器的維護成本。因此，新技術在光伏電站和光伏逆變器中的應用需求將不斷加強，并且將促進光伏發(fā)電行業(yè)的良性競爭和健康發(fā)展。
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三菱電機 光伏逆變器 IGBT
英飛凌科技股份公司進一步壯大其62 mm 封裝IGBT模塊陣容。新推出的功率模塊可滿足提高功率密度而不增加封裝尺寸這一與日俱增的需求，這應歸功于將更大面積的芯片和經(jīng)改良的DCB襯底應用于成熟的62 mm封裝而得以實現(xiàn)。1200 V阻斷電壓模塊的典型應用包括：變頻器、太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)，1700 V阻斷電壓模塊則適用于中壓變頻器?！ ?200 V阻斷電壓的62 mm模塊的額定電流最高達到600A，1700 V
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英飛凌 IGBT
Alpha?and?Omega?Semiconductor?(AOS)為集設計、開發(fā)與銷售為一體的功率半導體供應商,AOS提供廣泛的功率半導體產(chǎn)品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC(Power?IC)產(chǎn)品系列。其在器件物理，工藝技術，電路設計及封裝設計上擁有豐富的經(jīng)驗。通過將這些經(jīng)驗整合用于產(chǎn)品性能以及成本控制的優(yōu)化，AOS在競爭中顯示出自身的特色。AOS的產(chǎn)品線設計的目標是滿足日益增長的高產(chǎn)量，高效能產(chǎn)品的應用需求，包括手提電腦、平板電視、
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e星球 IGBT
1月14日-15日，2017中國電動汽車百人會論壇在釣魚臺國賓館舉行，騰訊汽車作為戰(zhàn)略合作媒體將進行全程直播。會上，英飛凌科技(中國)有限公司大中華區(qū)副總裁徐輝進行了主題演講。
以下為發(fā)言實錄：
大家早上好!首先非常開心今天能再次來到百人會的論壇，能分享英飛凌對整個行業(yè)發(fā)展的看法和觀點。
今天在吳主任的領導下，演講嘉賓分工比較明確，今天我想談一談半導體如何支持整個汽車行業(yè)創(chuàng)新。正好中車的丁總也把功率半導體IGBT這方面講了，我更多從我們的角度出發(fā)，功能安全和信息安全正好分開了，不用重
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英飛凌 IGBT
我的匯報分三個部分。
首先簡單介紹汽車功率半導體器件的發(fā)展趨勢。
功率半導體器件最早都是由晶閘管后來變成GTO到MOSFET，到現(xiàn)在用得比較多的IGBT器件。IGBT器件跟傳統(tǒng)的器件相比，主要是驅(qū)動比較簡單，同時損耗比較小，比較適合用于牽引傳動包括電機控制器等。IGBT器件包括原來講的功率半導體器件，都被譽為傳統(tǒng)系統(tǒng)，在高鐵里一樣，把它稱之為“心臟”。它主要起到能量傳輸和能量的點的轉(zhuǎn)換，是電機控制系統(tǒng)的CPU。
目前電動汽車器件大概占到控制器總成本的30%左右
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IGBT 功率半導體
受益于新能源電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通的快速發(fā)展，未來IGBT市場將迎來爆發(fā)。
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IGBT
傳統(tǒng)工業(yè)如何乘著工業(yè)4.0的東風，加快智能制造裝備發(fā)展、加快構建工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)基礎、加強關鍵共性技術創(chuàng)新也成為現(xiàn)今的熱點問題，這次世強舉辦研討會，旨在幫助工程師了解工業(yè)4.0的相關器件產(chǎn)品、前沿技術方案，從而更好的解決其在創(chuàng)新時的問題。
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工業(yè)4.0 IGBT
IGBT芯片的研發(fā)成功意味著，按中國標準制造的高鐵上，將安裝具有我國完全自主知識產(chǎn)權的‘中國芯’。
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IGBT 芯片
根據(jù)湖南省經(jīng)濟和信息化委員會發(fā)布的消息，近日，中車株洲電力機車研究所有限公司(中車株洲所)自主研發(fā)的8英寸IGBT產(chǎn)品，成功中標印度機車市場，將用于該國電力貨運重載機車改造升級項目，這是該產(chǎn)品首次出口海外。
絕緣雙極性晶體管(IGBT)是目前技術最先進的電力電子器件，廣泛應用于家用電器、新能源裝備、軌道交通、直流輸電、自動化和智能控制領域，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。該技術一直由英飛凌、ABB、三菱等國外公司壟斷。中車株洲所在引進吸收的基礎上，建成世界第二條8英寸I
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IGBT
V1—V4組成橋式逆變器，兩端并聯(lián)RCD吸收支路，L為限流電感，Co為儲能電容，Lo用于限制Co對負載氙燈的放電電流，保護氙燈。此處將限流電感L放在變壓器原邊。這除了能實現(xiàn)功率管的零電壓開通外，例如在V1，V4關斷后，由于L的續(xù)流作用，D2...
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全橋型 IGBT 脈沖激光 電源電路
JS為軟啟動控制,避免上電時浪涌電流對整流模塊的沖擊。IGBT變頻電源電路:
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IGBT 變頻電源
IGBT實在BDMOS型功率場效應管的基礎上發(fā)展起來的。在VDMOS結構的漏極側(cè)N+層下，增加一個P+層發(fā)射極而行程pn，如圖1-31所示，就構成IGBT。
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IGBT 基本結構
IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開關特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制參數(shù)是柵源電壓，而不是基極電流。...
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IGBT 靜態(tài)特性
IGBT的保護措施，主要包括過壓保護和過流保護兩類。使用中，對于IGBT因關斷而產(chǎn)生的開關浪涌電壓，可以采用適當?shù)木彌_回路抑制它，使器件免于損壞。...
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IGBT 電路圖
igbt 介紹
什么是 IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合 [
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