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IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路

由綜合放大電路板（ZHFD）產(chǎn)生的輸出信號(hào)被送入SG3526，產(chǎn)生PWM脈沖，此信號(hào)與反饋信號(hào)進(jìn)行邏輯運(yùn)算后送入HL403B厚膜驅(qū)動(dòng)器，當(dāng)IGBT產(chǎn)生過流、短路故障時(shí)，借助于IGBT內(nèi)部的短路、欠飽和、軟關(guān)斷、降柵壓保護(hù)功能，保護(hù)信號(hào)通過光...
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全橋型IGBT電源主電路圖

圖示出電源主電路，V1—V4組成橋式逆變器，兩端并聯(lián)RCD吸收支路，L為限流電感，Co為儲(chǔ)能電容，Lo用于限制Co對(duì)負(fù)載氙燈的放電電流，保護(hù)氙燈。圖全橋型IGBT電源主電路圖...
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igbt保護(hù)電路

igbt保護(hù)電路短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì):由對(duì)圖1所示電路的分析,可以得到igbt短路保護(hù)電路的原理
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IGBT短路保護(hù)電路原理圖

IGBT短路保護(hù)電路原理圖IGBT資料下載igbt工作原理
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120mA輸出電流的IGBT驅(qū)動(dòng)器電源QAxx1系列

　　QAxx1系列產(chǎn)品是專為IGBT驅(qū)動(dòng)器而設(shè)計(jì)的DC-DC電源模塊。該系列產(chǎn)品充分結(jié)合了驅(qū)動(dòng)IC的特點(diǎn)，提供不對(duì)稱輸出電壓+15/-8VDC，可以最大限度地降低驅(qū)動(dòng)損耗。其輸出電流高達(dá)120mA，可滿足大范圍的IGBT驅(qū)動(dòng)器功率要求。該系列產(chǎn)品效率高達(dá)81%，可在-40℃~+105℃溫度下工作，具有超小隔離電容6PF，最大容性負(fù)載1000uF、隔離電壓3000VAC等特性。該系列產(chǎn)品具有12VDC、15VDC、24VDC輸入電壓規(guī)格可選，目前已全面上市。　　應(yīng)用方案：　　
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電動(dòng)汽車逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)研究

　　電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與工業(yè)通用變頻器、風(fēng)能太陽能逆變器的驅(qū)動(dòng)電路有更為苛刻的技術(shù)要求，其中的電源電路受到空間尺寸小、工作溫度高等限制，面臨諸多挑戰(zhàn)。本文設(shè)計(jì)一種驅(qū)動(dòng)供電電源，并通過實(shí)際測(cè)試證明其可用性。　　常見的驅(qū)動(dòng)電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進(jìn)行設(shè)計(jì)。由于反激電源在開關(guān)關(guān)斷期間才向負(fù)載提供能量輸出的固有特性，使得其電流輸出特性和瞬態(tài)控制特性相對(duì)來說都比較
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英飛凌RC-E系列單管IGBT可直接升級(jí)現(xiàn)有設(shè)計(jì)，樹立性價(jià)比新基準(zhǔn)

　　感應(yīng)加熱電器通常采用諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要單管IGBT在18 kHz至40 kHz的開關(guān)頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出最佳性能。英飛凌科技股份公司推出能夠滿足這些需求的全新單管IGBT器件。全新RC-E系列的成本和功能經(jīng)專門優(yōu)化，可滿足高性價(jià)比電磁爐和電磁電飯煲的需求。　　單片集成逆導(dǎo)二極管　　全新RC-E系列IGBT采用單片集成逆導(dǎo)二極管實(shí)現(xiàn)諧振開關(guān)。這有助于降低器件的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。更低損耗支持設(shè)計(jì)師更輕松實(shí)現(xiàn)感應(yīng)加熱電器的效率和功率目標(biāo)，降低功耗，進(jìn)而降低消費(fèi)者的使用成本。該系列具備較低的關(guān)斷損耗(E
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4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用

制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應(yīng)用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對(duì)其性能進(jìn)行了優(yōu)化。這種芯片組的特點(diǎn)是導(dǎo)通電壓損耗非常低、具備大電流高電壓快速開通行為和高魯棒性的短路行為。在
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智能IGBT門驅(qū)動(dòng)耦合器接口ACPL-339J

簡介ACPL-339J是一種先進(jìn)的智能IGBT門驅(qū)動(dòng)耦合器接口，支持1.0A雙輸出，易于使用。ACPL-339J 經(jīng)獨(dú)特設(shè)計(jì)支持具有靈活電流額定值的MOSFET的電流緩沖器，使得系統(tǒng)設(shè)計(jì)師能夠更加輕松地通過互換MOSFET緩沖器和功率IGB
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Littelfuse的新型半橋IGBT模塊將額定電流提升至600A，確保靈活、高效、可靠的電源轉(zhuǎn)換

　　Littelfuse, Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最高額定電流(450A)，新型半橋IGBT模塊系列(1200V，600A)可為設(shè)計(jì)師提供顯著更高的額定電流，能夠依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)可靠、靈活地提供高效快速的開關(guān)速度。該模塊的緊湊(152 x 62 x 17毫米)封裝可簡化熱管理，并支持更加簡單、精密的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該多芯片模塊能夠降低焊點(diǎn)與PC電路板空間要求。本次發(fā)布的產(chǎn)品采
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基于雙DSP的無刷直流電機(jī)控制器硬件設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)

根據(jù)無刷直流電機(jī)理論和系統(tǒng)的要求，以雙TMS320F2812 DSP處理器為核心，針對(duì)系統(tǒng)的高可靠性要求，進(jìn)行了無刷直流電機(jī)控制器的硬件電路設(shè)計(jì)并對(duì)核心電路進(jìn)行分析、仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證；結(jié)果表明，該硬件電路可實(shí)現(xiàn)無刷直流電機(jī)正常調(diào)速的控制需求，相應(yīng)性能指標(biāo)可滿足系統(tǒng)需求。
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Power Integrations推出全新SCALE-2即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，可支持多種IGBT模塊

　　中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integration今日推出1SP0350V SCALE?-2單通道+15/-10 V即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器。1SP0350門極驅(qū)動(dòng)器非常適合要求高可靠性應(yīng)用的HVDC和軌道交通工業(yè)領(lǐng)域，并且可安全可靠地驅(qū)動(dòng)4500V Press-Pack IGBT和IEGT以及其他IGBT和IEGT產(chǎn)品。新驅(qū)動(dòng)器基于Power Integrations使用最廣的SCALE?-2芯片組，并且裝備了動(dòng)態(tài)高級(jí)有源鉗位(
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流程改進(jìn)提高效率IGBT為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

當(dāng)選擇的IGBT，設(shè)計(jì)者面臨著一些架構(gòu)選擇，可以有利于IGBT的一種形式中，如對(duì)稱與不對(duì)稱阻塞，在另一個(gè)的。本文將回顧由不同的IGBT架構(gòu)所提供的設(shè)
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2015年中國集成電路產(chǎn)業(yè)專利布局解讀

國內(nèi)IC設(shè)計(jì)企業(yè)應(yīng)著眼未來系統(tǒng)公司和消費(fèi)者的需求，增強(qiáng)在研發(fā)上的投入與技術(shù)創(chuàng)新，持續(xù)加強(qiáng)前瞻性專利布局，更加注重專利申請(qǐng)質(zhì)量，酌情結(jié)合業(yè)務(wù)并購等外購必要得專利，以提升市場與技術(shù)的競爭優(yōu)勢(shì)。
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使機(jī)器尺寸減小40%的功率模塊，你值得擁有！

　　全球先進(jìn)電子元件分銷商世強(qiáng)與國際橋堆制造領(lǐng)軍企業(yè)Shindengen簽訂分銷協(xié)議，正式全線代理新電元的橋堆、二極管、電源模塊、IGBT及MOS等產(chǎn)品。而新電元工業(yè)株式會(huì)社一直以來都將由多個(gè)功率半導(dǎo)體器件構(gòu)成的功率模塊產(chǎn)品的開發(fā)作為重點(diǎn)。通過功率電路零部件的集成化，為電子設(shè)備的小型化和制造過程的生產(chǎn)效率改善作出貢獻(xiàn)。　　其中最具代表性的功率模塊為 Shindengen的800V的功率模塊MG020200和MG020201，產(chǎn)品示意圖和內(nèi)部電路圖如圖1、圖2所示，其結(jié)構(gòu)均是由一個(gè)三相 Conver
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igbt 介紹

什么是 IGBT　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合 [ 查看詳細(xì) ]