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          IGBT串聯(lián)用的有源電壓控制技術(shù)

          • 1 引言絕緣柵雙極晶體管IGBT自上世紀(jì)80年代問世以來,由于其輸入阻抗高、開關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大的性能,在電力電子領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。然而,由于半導(dǎo)體器件本身的材料和結(jié)構(gòu)原因,IG
          • 關(guān)鍵字: 控制  技術(shù)  電壓  有源  串聯(lián)  IGBT  

          安森美半導(dǎo)體推出高性能場截止型IGBT

          • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)推出新系列的場截止型(Field Stop) 絕緣門雙極結(jié)晶體管(IGBT),目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)電機(jī)控制及消費(fèi)類產(chǎn)品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應(yīng)用于高性能電源轉(zhuǎn)換方案,適合多種要求嚴(yán)格的應(yīng)用,包括電磁爐、電飯煲及其它廚房小家電應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT  NGTB15N120  

          采用塑料封裝和IMS襯底的混合動力汽車功率IGBT模塊

          • 混合動力電動汽車(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2,最新車型甚至可能把排放量降得更多。但是,HEV需要大功率的成本效益型電源開關(guān),到目前為止,大功率開關(guān)產(chǎn)品因?yàn)槌杀靖?,可靠性達(dá)不到汽車應(yīng)用的期望,而無法適
          • 關(guān)鍵字: IGBT  IMS  塑料封裝  襯底    

          IGBT-汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的佼佼者

          • 新一代點(diǎn)火系統(tǒng)IGBT為火花塞系統(tǒng)的線圈度身定制,正快速成為主流點(diǎn)火拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。幾何學(xué)和摻雜分布圖的進(jìn)步可使電路小片和封裝的尺寸更小型化,且無需犧牲最重要的閂鎖電阻和雪崩能量容量的穩(wěn)健性。如今,IGBT的產(chǎn)品已
          • 關(guān)鍵字: IGBT  汽車點(diǎn)火  系統(tǒng)    

          智能IGBT在汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • 要產(chǎn)生火花,你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點(diǎn)火線圈),以及用于控制變壓器初級電流的開關(guān)。電子學(xué)教科書告訴我們V=Ldi/dt。因此,如果線圈初級繞組中的電流發(fā)生瞬間變化(即di/dt值很大),初級繞組上將產(chǎn)生高
          • 關(guān)鍵字: IGBT  汽車點(diǎn)火  系統(tǒng)  中的應(yīng)用    

          新型IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)的解決方案

          • IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù),將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、低飽和電壓
          • 關(guān)鍵字: IGBT  系統(tǒng)  電路保護(hù)  方案    

          IGBT在大功率斬波問題中的應(yīng)用分析

          • 斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù),其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制,因其波形如同斬切般整齊、對稱,故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位,它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能,而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和
          • 關(guān)鍵字: 分析  應(yīng)用  問題  大功率  IGBT  

          飛兆半導(dǎo)體650V場截止IGBT

          • 太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨提高能效,滿足散熱法規(guī),同時減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對光伏逆變器應(yīng)用的650V IGBT產(chǎn)品,幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對這一行業(yè)挑戰(zhàn)。
          • 關(guān)鍵字: 飛兆  光伏逆變器  IGBT  

          電焊機(jī)之IGBT系列焊機(jī)工作原理

          • 逆變電焊機(jī)的基本工作原理:逆變電焊機(jī)主要是逆變器產(chǎn)生的逆變式弧焊電源,又稱弧焊逆變器,是一種新型...
          • 關(guān)鍵字: 電焊機(jī)  IGBT  焊機(jī)工作  

          下橋臂IGBT驅(qū)動電路圖-原理圖

          • 在利用下臂驅(qū)動器驅(qū)動比150 A/1 200 V更大的IGBT時,可外接電流緩沖器,以擴(kuò)大其驅(qū)動能力。由圖2的工作時序可知, ...
          • 關(guān)鍵字: 下橋臂  IGBT  驅(qū)動電路圖  原理圖  

          IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)

          • 1引言開關(guān)電源中大功率器件驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)一向是電源領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。普通大功率三極管和絕緣柵功...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  IGBT  隔離驅(qū)動  光電耦合器  脈沖變壓器  

          改進(jìn)的開關(guān)性能快速IGBT帶來新的挑戰(zhàn)

          • 1前言降低動態(tài)功耗需要快速地開關(guān)功率半導(dǎo)體器件。一個典型的系統(tǒng)包括幾10個并聯(lián)的功率半導(dǎo)體器件,這...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  開關(guān)性能  過電壓  

          IGBT模塊的檢測方法

          • 以兩單元為例:用模擬萬用表測量  靜態(tài)測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示 ...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  模塊  檢測方法  

          大功率IGBT驅(qū)動模塊2ED300的特性及其應(yīng)用

          • 摘要:針對大功率ICBT的驅(qū)動問題,詳細(xì)介紹了一種大功率IGBT專用驅(qū)動模塊2ED300的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、參數(shù)設(shè)置及性能特點(diǎn)。以驅(qū)動800A/120 0V的IGBT為例,設(shè)計(jì)了2ED300在直接模式下的外圍應(yīng)用電路。并對應(yīng)用中需要注意的關(guān)鍵
          • 關(guān)鍵字: 特性  及其  應(yīng)用  2ED300  模塊  IGBT  驅(qū)動  大功率  

          基于IGBT光伏發(fā)電逆變電路的設(shè)計(jì)

          • 摘要:為滿足高壓大容量逆變系統(tǒng)的要求,設(shè)計(jì)采用絕緣柵雙極晶體管IGBT組成逆變電路的光伏發(fā)電系統(tǒng)。通過對太陽能光伏發(fā)電原理的簡單了解,比較場效應(yīng)管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構(gòu)成的逆變電路,針對IGBT構(gòu)成的
          • 關(guān)鍵字: 電路  設(shè)計(jì)  逆變  發(fā)電  IGBT  基于  
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          igbt 介紹

          什么是 IGBT  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合 [ 查看詳細(xì) ]

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