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電子元器件需求強(qiáng)勁
- 由于全球金融危機(jī)和半導(dǎo)體行業(yè)的周期性波動(dòng)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量從 08年4季度到09年1季度經(jīng)歷了大幅下滑，主要經(jīng)濟(jì)體的半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量都降到5年以來(lái)的最低水平。隨著經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇，半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁復(fù)蘇并步入景氣上升階段，到09年4季度半導(dǎo)體產(chǎn)品的出貨量基本恢復(fù)到08年的最高水平。 在2010年，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了非常高的景氣階段，全球各主要經(jīng)濟(jì)體的半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量都屢創(chuàng)新高，進(jìn)入3季度以后，需求依然非常強(qiáng)勁，出貨量仍在高點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 電子元器件 IGBT
IGBT的一種驅(qū)動(dòng)和過(guò)流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
- 本文主要研究了IGBT的驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)問(wèn)題，就其工作原理進(jìn)行分析，設(shè)計(jì)出具有過(guò)流保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路，并進(jìn)行了仿真研究。
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 電路 保護(hù) 驅(qū)動(dòng) IGBT
中國(guó)自主研發(fā)的IGBT產(chǎn)品下線
- 上周，中國(guó)首批具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)產(chǎn)品，在山西北車永濟(jì)新時(shí)速電機(jī)電器公司下線，成功打破了國(guó)外對(duì)該項(xiàng)技術(shù)的長(zhǎng)期壟斷。 中國(guó)北車永濟(jì)新時(shí)速電機(jī)電器有限責(zé)任公司董事長(zhǎng)徐印平說(shuō)，首批投入封裝生產(chǎn)線并成功封裝、順利通過(guò)動(dòng)靜態(tài)試驗(yàn)的“6500V/600A”IGBT產(chǎn)品是目前世界上電壓等級(jí)最高的產(chǎn)品，各項(xiàng)技術(shù)參數(shù)與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)相同。
- 關(guān)鍵字： 自動(dòng)控制 IGBT
利用2SD315AI設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)大功率IGBT原理
- 引言
IGBT常用的驅(qū)動(dòng)模塊有TLP250，以及EXB841/840系列的驅(qū)動(dòng)模塊。但在燃料電池城市客車DC/DC變換器的研制過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，由于車載DC/DC變換器常常工作在大功率或超大功率的狀態(tài)中，而處在這種狀態(tài)下的IGBT瞬時(shí)驅(qū)動(dòng) - 關(guān)鍵字： IGBT 原理 大功率 驅(qū)動(dòng) 2SD315AI 設(shè)計(jì) 利用
金風(fēng)科技與英飛凌簽署變流器模塊技術(shù)引進(jìn)協(xié)議
- 英飛凌科技股份有限公司與中國(guó)風(fēng)電設(shè)備研發(fā)和制造的領(lǐng)軍企業(yè) - 新疆金風(fēng)科技股份有限公司，今日簽署了一份核心模塊技術(shù)引進(jìn)協(xié)議。金風(fēng)科技獲權(quán)在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)兆瓦級(jí)風(fēng)力發(fā)電機(jī)組變流器所需的英飛凌模塊。 此外，英飛凌將向金風(fēng)科技供應(yīng)自產(chǎn)所需的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)部件。這些半導(dǎo)體能夠高效地將發(fā)電機(jī)的變頻輸出轉(zhuǎn)換為適合相應(yīng)地區(qū)電網(wǎng)的固定頻率。 金風(fēng)科技董事長(zhǎng)武鋼先生在簽約儀式上表示：“該項(xiàng)技術(shù)引進(jìn)及后續(xù)自產(chǎn)將有效確保變
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT 變流器模塊
IR推出高功率、高速度、高密度的分立解決方案
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出適用于DC-DC節(jié)能汽車應(yīng)用的 AUIRS2191S 600V 驅(qū)動(dòng) IC 和 AUIRGP50B60PD1 600V 非穿通型 (NPT) 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 。 新器件具有非?？斓拈_關(guān)速度和高功率密度，非常適合高頻 DC-DC 應(yīng)用，包括用于電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車的高功率 DC-DC 開關(guān)電源 (SMPS) 轉(zhuǎn)換器。 AUIRS2191S
- 關(guān)鍵字： IR IGBT
柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性的性能影響分析
- 1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(
- 關(guān)鍵字： IGBT 柵極電阻 開關(guān)特性 分析
igbt 介紹
什么是 IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合 [ 查看詳細(xì) ]
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