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寧波比亞迪半導(dǎo)體虧損調(diào)查：生產(chǎn)線可稱老古董

　　這是一個(gè)結(jié)果尚不明朗的賭注，巴菲特和王傳福站在一邊，巴菲特已經(jīng)賭贏了，但是王傳福暫時(shí)還沒有。　　初冬的傍晚天黑得早，寧波北侖港保稅港區(qū)的比亞迪(73.4,-0.70,-0.95%,經(jīng)濟(jì)通實(shí)時(shí)行情)寧波半導(dǎo)體公司(原寧波中緯)依舊冒著騰騰的熱氣，公司墻上貼滿了新員工的名字，由于人數(shù)眾多，許多人還來不及辦理入廠證件。大批身穿比亞迪廠服的員工走出工廠大門，投入茫茫夜色，這里有許多來自深圳的年輕工程師，他們正試圖適應(yīng)在寧波度過的第一個(gè)寒冷冬天。　　這些員工身上，承載著王傳福的野心和夢(mèng)想。“
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功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒中國(guó)企業(yè)加快步伐

　　過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔?，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動(dòng)相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個(gè)系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 MOSFET IGBT

關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的精確測(cè)量方法

IGBT以其輸入阻抗高，開關(guān)速度快，通態(tài)壓降低等特性已成為當(dāng)今功率半導(dǎo)體器件的主流器件，但在它的使用過程中，精確測(cè)量導(dǎo)通延遲時(shí)間，目前還存在不少困難。在介紹時(shí)間測(cè)量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎(chǔ)上，利用其優(yōu)良的特性，設(shè)計(jì)一套高精度的IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的測(cè)量系統(tǒng)，所測(cè)時(shí)間間隔通過液晶顯示器直接讀取，是一套較為理想的測(cè)量方案。
關(guān)鍵字： IGBT 導(dǎo)通精確測(cè)量方法

IR 推出采用焊前金屬的汽車級(jí)絕緣柵雙極晶體管

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動(dòng)汽車 (EV) 、混合電動(dòng)汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動(dòng)器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。　　AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場(chǎng)截止溝槽技術(shù)，大幅度降低了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。此外，這款新器件的焊前金屬可實(shí)現(xiàn)雙面冷卻，提高了散熱性能，
關(guān)鍵字： IR IGBT 逆變器

晶閘管及IGBT在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用

關(guān)鍵字：靜止變頻技術(shù) 功率器件晶閘管 IGBT

中國(guó)南車建成大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地

　　9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國(guó)內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國(guó)南車正式投產(chǎn)。　　為滿足國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的急切需求，打破國(guó)外公司的市場(chǎng)壟斷，推動(dòng)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模，中國(guó)南車旗下的株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司(南車時(shí)代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎(chǔ)，總投資近3.5億元，于2006年年底啟動(dòng)大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè)，歷經(jīng)22個(gè)月后實(shí)現(xiàn)正式投產(chǎn)。　　位于湖南株洲的生產(chǎn)基地總面積超2萬(wàn)平方米，部分凈化級(jí)別達(dá)到了100級(jí)，由于產(chǎn)品對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的要求極其苛刻
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體器件 IGBT 二極管

中國(guó)最大大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)

　　中國(guó)最大的大尺寸功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長(zhǎng)期以來，高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和市場(chǎng)一直被國(guó)外壟斷，該基地的投產(chǎn)運(yùn)行將加速推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。　　大尺寸功率半導(dǎo)體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導(dǎo)體器件)是變流器的關(guān)鍵元件，被譽(yù)為電力電子產(chǎn)品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風(fēng)力發(fā)電)、化工、冶煉等領(lǐng)域。長(zhǎng)期以來，國(guó)內(nèi)高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和產(chǎn)品主要依靠進(jìn)口，價(jià)格昂貴，嚴(yán)重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體晶閘管 IGBT

基于雙IGBT的斬波式串級(jí)調(diào)速系統(tǒng)的研究

從普通串級(jí)調(diào)速原理入手，簡(jiǎn)要分析影響串級(jí)調(diào)速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對(duì)三相四線雙晶閘管串級(jí)調(diào)速、新型GTO串級(jí)調(diào)速等高功率方案分析與比較的基礎(chǔ)上，提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級(jí)調(diào)速控制方案。
關(guān)鍵字： IGBT 斬波串級(jí)調(diào)速系統(tǒng)

英飛凌再度稱雄功率電子市場(chǎng)

　　英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場(chǎng)》報(bào)告稱，2008年，此類器件的全球市場(chǎng)增長(zhǎng)了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長(zhǎng)率高達(dá)7.8%?，F(xiàn)在，英飛凌在該市場(chǎng)上占據(jù)了10.2%的份額，其最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨(dú)占鰲頭，分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場(chǎng)份額。　　隨著汽車、消費(fèi)和工
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IGBT在客車DC600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)

關(guān)鍵字：絕緣柵雙極管(IGBT) 鐵路客車 DC 600 V 供電系統(tǒng) 應(yīng)用保護(hù)

本土資本與高新產(chǎn)業(yè)完美結(jié)合 “鳳凰模式”借讀

　　經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域有兩大活躍因子：技術(shù)與資本。走進(jìn)鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結(jié)合后迸發(fā)出的強(qiáng)勁效應(yīng)。這家注冊(cè)于2008年7月的“530”企業(yè)，一期工廠已開始安裝設(shè)備。今年9月正式投產(chǎn)后,其生產(chǎn)的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，告別同類產(chǎn)品依賴進(jìn)口的局面。　　剛滿“周歲”的鳳凰半導(dǎo)體就將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,其速度令人驚奇，但在總經(jīng)理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士團(tuán)隊(duì)擁有國(guó)際一流技術(shù);二是擁有
關(guān)鍵字：變頻開關(guān) IGBT

IGBT在客車DC 600 V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)

IGBT綜述
1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
關(guān)鍵字： IGBT 600 系統(tǒng) 逆變器

基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路研究

引言多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
關(guān)鍵字：電路研究保護(hù) 驅(qū)動(dòng) EXB841 IGBT 基于電源

新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能

在日益增長(zhǎng)的變頻器市場(chǎng)，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺(tái)。在62毫米（當(dāng)前模塊的標(biāo)準(zhǔn)尺寸）模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機(jī)械
關(guān)鍵字： IGBT 性能

大功率弧焊逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)

摘要：本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹腎GBT采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。敘詞：IGB
關(guān)鍵字：技術(shù) 保護(hù) IGBT 逆變電源大功率電源

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igbt 介紹

什么是 IGBT　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合 [ 查看詳細(xì) ]