- IGBT以其輸入阻抗高，開關速度快，通態(tài)壓降低等特性已成為當今功率半導體器件的主流器件，但在它的使用過程中，精確測量導通延遲時間，目前還存在不少困難。在介紹時間測量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎上，利用其優(yōu)良的特性，設計一套高精度的IGBT導通延遲時間的測量系統(tǒng)，所測時間間隔通過液晶顯示器直接讀取，是一套較為理想的測量方案。
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IGBT 導通 精確測量 方法
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅動器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。
AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場截止溝槽技術，大幅度降低了傳導和開關損耗。此外，這款新器件的焊前金屬可實現雙面冷卻，提高了散熱性能，
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IR IGBT 逆變器
- 9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內最大的大功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地在中國南車正式投產。
為滿足國民經濟發(fā)展的急切需求，打破國外公司的市場壟斷，推動大功率半導體產業(yè)上水平、上規(guī)模，中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司(南車時代電氣)依托公司良好的技術基礎，總投資近3.5億元，于2006年年底啟動大功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地的建設，歷經22個月后實現正式投產。
位于湖南株洲的生產基地總面積超2萬平方米，部分凈化級別達到了100級，由于產品對生產環(huán)境的要求極其苛刻
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半導體器件 IGBT 二極管
- 中國最大的大尺寸功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產。長期以來，高端半導體器件技術和市場一直被國外壟斷，該基地的投產運行將加速推動國產化大功率半導體器件產業(yè)化進程。
大尺寸功率半導體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導體器件)是變流器的關鍵元件，被譽為電力電子產品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風力發(fā)電)、化工、冶煉等領域。長期以來，國內高端半導體器件技術和產品主要依靠進口，價格昂貴，嚴重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。
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半導體 晶閘管 IGBT
- 從普通串級調速原理入手，簡要分析影響串級調速系統(tǒng)功率因數的主要因素。對三相四線雙晶閘管串級調速、新型GTO串級調速等高功率方案分析與比較的基礎上，提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級調速控制方案。
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IGBT 斬波 串級調速 系統(tǒng)
- 英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達7.8%?，F在，英飛凌在該市場上占據了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨占鰲頭，分別占據了22.8%和11.2%的市場份額。
隨著汽車、消費和工
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英飛凌 IGBT MOSFET
- 經濟領域有兩大活躍因子：技術與資本。走進鳳凰半導體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結合后迸發(fā)出的強勁效應。這家注冊于2008年7月的“530”企業(yè)，一期工廠已開始安裝設備。今年9月正式投產后,其生產的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補國內空白，告別同類產品依賴進口的局面。
剛滿“周歲”的鳳凰半導體就將進入產業(yè)化階段,其速度令人驚奇，但在總經理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士團隊擁有國際一流技術;二是擁有
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變頻開關 IGBT
- IGBT綜述
1．1 IGBT的結構特點
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應管的優(yōu)點而發(fā)展的一種新型復合電子器
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IGBT 600 系統(tǒng) 逆變器
- 引 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
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電路 研究 保護 驅動 EXB841 IGBT 基于 電源
- 在日益增長的變頻器市場，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關頻率而著稱的新IGBT技術施展的舞臺。在62毫米（當前模塊的標準尺寸）模塊中使用新IGBT技術使用戶可以因不必改變其機械
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IGBT 性能
- 摘要：本文通過分析IGBT的結構及其安全工作區(qū)，解釋了在實際應用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結合單片機的控制程序對弧焊逆變電源的IGBT采取相應措施進行保護，從而確保了IGBT安全可靠的工作。 敘詞：IGB
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技術 保護 IGBT 逆變電源 大功率 電源
- 摘要：絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應用廣泛的功率半導體器件，驅動器的合理設計對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計算用于開關IGBT的驅動器輸出性能的方法。 敘詞：IGBT，驅動
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計算 性能 輸出 驅動器 IGBT
- 新聞事件：
韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd
事件影響：
將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標準工業(yè)應用等前景好的市場
LS預計于2010年1月在天安市的生產基地開始量產CIPOS模塊
韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產與行銷。
合
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英飛凌 IGBT CIPOS 射極控制二極管技術 SOI
igbt 介紹
什么是 IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合 [
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