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igbt 7
igbt 7 文章 進(jìn)入igbt 7技術(shù)社區(qū)
基于高通IPQ5322的Wi-Fi 7 沉浸式智慧家庭網(wǎng)路解決方案
- 隨著家庭高品質(zhì)影音、智慧家居IoT、高速網(wǎng)路游戲、元宇宙、VR等技術(shù)的發(fā)展,家庭網(wǎng)路對(duì)頻寬的需求也日益增加。從最初的數(shù)Kbps數(shù)據(jù)機(jī),到ADSL的數(shù)百M(fèi)bps,再到現(xiàn)在光纖入戶的基本1Gbps起跳,網(wǎng)路速度的飛躍不言而喻。?此外,隨著手機(jī)和平板等手持裝置的廣泛使用,越來越多的裝置選擇透過Wi-Fi連接家庭局域網(wǎng),而非使用乙太網(wǎng)路線。這意味著對(duì)家庭網(wǎng)路頻寬的增加需求,也直接推動(dòng)了對(duì)Wi-Fi頻寬的需求。從Wi-Fi 4到Wi-Fi 6,再到Wi-Fi 7,我們可以看到Wi-Fi技術(shù)的演進(jìn)速度之
- 關(guān)鍵字: 高通 IPQ5322 Wi-Fi 7 沉浸式 智慧家庭網(wǎng)路
一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算,圖文結(jié)合+計(jì)算公式步驟
- 今天給大家分享的是:IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算。與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度,有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。這里將主要介紹一下:如何測(cè)量功率計(jì)算二極管和IGBT芯片的溫升。一、損耗組成部分根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件,兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì)有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)
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Wi-Fi 7下半年加速發(fā)酵 多數(shù)芯片業(yè)者大量備貨迎旺季增長(zhǎng)
- 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》8日訊,Wi-Fi 7商機(jī)預(yù)計(jì)從今年下半開始就會(huì)加速發(fā)酵,符合原先多數(shù)廠商預(yù)估的時(shí)間表。包括聯(lián)發(fā)科、瑞昱、立積等在內(nèi)的多數(shù)芯片業(yè)者從2024年第二季開始就持續(xù)追加Wi-Fi 7的主芯片及射頻模塊訂單,提前補(bǔ)貨來應(yīng)對(duì)即將到來的出貨爆發(fā)。熟悉Wi-Fi芯片業(yè)界人士指出,Wi-Fi 7出貨的比重將會(huì)隨著時(shí)間愈來愈高。業(yè)界內(nèi)部估計(jì),如果市場(chǎng)對(duì)于新技術(shù)的接受度正面,且Wi-Fi 7的價(jià)格能有效地控制下來,2025年的下半年Wi-Fi 7就會(huì)變成主流的出貨規(guī)格,并在2026年達(dá)到和Wi-
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新思科技推出業(yè)界首款PCIe 7.0 IP解決方案,加速HPC和AI等萬億參數(shù)領(lǐng)域的芯片設(shè)計(jì)
- 摘要:●? ?業(yè)界唯一完整PCIe 7.0 IP,包含控制器、IDE安全模塊、PHY和驗(yàn)證IP,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)512 GB/s的數(shù)據(jù)傳輸速度;●? ?預(yù)先驗(yàn)證的PCIe 7.0控制器和PHY IP在保持信號(hào)的完整性的同時(shí),可提供低延遲數(shù)據(jù)傳輸,功耗效率比以前的版本最多可提高50%;●? ?新思科技PCIe 7.0 IDE安全模塊與控制器IP進(jìn)行預(yù)驗(yàn)證,提供數(shù)據(jù)保密性、完整性和重放保護(hù),能夠有效防止惡意攻擊?!? ?該解決方案以新思
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新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開關(guān)效率
- 英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合,在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件,并且推出了80 V和100 V型號(hào)的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對(duì)各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、制動(dòng)系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險(xiǎn)絲盒,以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動(dòng)汽車(LEV)、電動(dòng)二輪車、電動(dòng)踏板車、電動(dòng)摩
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安森美第7代IGBT模塊協(xié)助再生能源簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低成本
- 安森美(onsemi) 最新發(fā)布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊,與其他同類產(chǎn)品相比,該模塊的功率密度更高,且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù),帶來出色的效能表現(xiàn),有助于降低系統(tǒng)成本并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。在用于 150 千瓦的逆變器中時(shí),QDual3 模塊的損耗比同類競(jìng)品少 200 瓦(W),從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專為在惡劣條件下工作而設(shè)計(jì),非常適合用于大功率變流器
- 關(guān)鍵字: 安森美 IGBT 再生能源
FPGA核心板上市!紫光同創(chuàng)Logos-2和Xilinx Artix-7系列
- 隨著嵌入式的快速發(fā)展,在工控、通信、5G通信領(lǐng)域,F(xiàn)PGA以其超靈活的可編程能力,被越來越多的工程師選擇。近日,米爾電子發(fā)布2款FPGA的核心板和開發(fā)板,型號(hào)分別為:基于紫光同創(chuàng)Logos-2系列PG2L100H的MYC-J2L100H核心板及開發(fā)板、基于Xilinx Artix-7系列的MYC-J7A100T核心板及開發(fā)板。國(guó)產(chǎn)FPGA開發(fā)平臺(tái)紫光同創(chuàng)Logos-2紫光同創(chuàng)Logos2系列國(guó)產(chǎn)FPGA芯片,第一款高性價(jià)比FPGA產(chǎn)品PG2L100H及其全套自主軟件和IP方案,該系列芯片采用28nm CM
- 關(guān)鍵字: Logos-2 Artix-7 FPGA核心板 FPGA國(guó)產(chǎn) PG2L100H XC7A100T
一文搞懂IGBT
- 01IGBT是什么?IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;(因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大(跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)))MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。(因?yàn)镸OS管有Rds,如果Ids比較大,就會(huì)導(dǎo)致Vds很大)IGBT綜合了以上兩種器件的
- 關(guān)鍵字: IGBT 功率半導(dǎo)體
Wi-Fi 7測(cè)試方興未艾 測(cè)試軟件扮演成功關(guān)鍵
- 由于我們?nèi)粘;顒?dòng)均高度依賴無線解決方案,若失去了無線網(wǎng)絡(luò),這世界便幾乎無法正常運(yùn)轉(zhuǎn)。無論是工作、上學(xué)或日常通訊,無線連接無所不在地為世界提供動(dòng)能。這項(xiàng)技術(shù)的躍進(jìn)連帶推動(dòng)了其他技術(shù)、研究和創(chuàng)新理念的發(fā)展。無線裝置無疑是讓各種技術(shù)在這不斷變化世界中大步邁進(jìn)的重要驅(qū)動(dòng)力。高效能無線解決方案如 5G 和 Wi-Fi 5相繼問世,有些產(chǎn)業(yè)甚至開始使用 802.11ax(Wi-Fi 6)。6G、IEEE 802.11be 和 Wi-Fi 7 等無線解決方案的演進(jìn)步伐未曾停歇。從前幾代無線標(biāo)準(zhǔn)的經(jīng)驗(yàn)來看,部分人士認(rèn)為效
- 關(guān)鍵字: Wi-Fi 7 測(cè)試軟件
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
- Nexperia近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品,它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴(kuò)展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布,Nexperia正在滿足市場(chǎng)對(duì)采用D2
- 關(guān)鍵字: Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。IX4352NE的主要優(yōu)勢(shì)在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序,同時(shí)將開關(guān)損耗降至最低。 內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)偏置,以實(shí)現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅(qū)動(dòng)器
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET IGBT 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
Power Integrations推出適用于1.2kV至2.3kV“新型雙通道”IGBT模塊的單板即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器
- 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出SCALE-iFlex? XLT系列雙通道即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器,適配單個(gè)LV100(三菱)、XHPTM 2(英飛凌)、HPnC(富士電機(jī))以及耐壓高達(dá)2300V的同等半導(dǎo)體功率模塊,該模塊適用于儲(chǔ)能系統(tǒng)以及風(fēng)電和光伏可再生能源應(yīng)用。該款超緊湊單板驅(qū)動(dòng)器可對(duì)逆變器模塊進(jìn)行主動(dòng)溫升管理,從而提高系統(tǒng)利用率,并簡(jiǎn)化物料清單(BOM)以提高逆變器系統(tǒng)的可靠性。Power Integrations產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理Thors
- 關(guān)鍵字: Power Integrations IGBT 門極驅(qū)動(dòng)器
PCIe 7.0有什么值得你期待!
- 也許64 GT/s已經(jīng)很快了,但對(duì)那些每天面對(duì)超級(jí)巨量數(shù)據(jù)的應(yīng)用來說,這可能只是暫時(shí)的權(quán)宜之計(jì)而已,尤其是全球數(shù)據(jù)量正日日夜夜地急速膨脹,下一代的高速傳輸標(biāo)準(zhǔn)必須要盡早就位,所以PCIe 7.0來了。說PCIe 7.0來了其實(shí)不正確,因?yàn)樗栽谥贫ㄖ?,PCI-SIG約是在2023年啟動(dòng)PCIe 7.0的制定作業(yè),并預(yù)計(jì)2025年才會(huì)完成并頒布,而要落實(shí)到實(shí)際應(yīng)用,最快也要等到2028年,目前最新的進(jìn)度是4月初才剛剛完成了「0.5版」。為什么需要PCIe 7.0?對(duì)PCI-SIG來說,每3年倍增一次I/O帶
- 關(guān)鍵字: 高速傳輸 PCIe 7.0
從零了解汽車電控IGBT模塊
- 當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視,那就是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分,則是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片)。想要從零了解汽車電控IGBT模塊看這一篇就夠了!根據(jù)乘聯(lián)會(huì)數(shù)據(jù),2022年6月新能源車國(guó)內(nèi)零售滲透率27.4%,并且2022年6月29日歐盟對(duì)外宣布,歐盟27個(gè)成員國(guó)已經(jīng)初步達(dá)成一致,歐洲
- 關(guān)鍵字: 汽車 電控 IGBT
車規(guī)級(jí)IGBT模塊,持續(xù)放量
- 3 月 28 日的發(fā)布會(huì)上,小米雷軍對(duì)外正式公布了小米 SU7 各版本的售價(jià)。同時(shí),雷軍宣布特別推出 5000 臺(tái)小米 SU7 創(chuàng)始版。創(chuàng)始版除可選標(biāo)準(zhǔn)版及 Max 版基本配置外,還有專屬車標(biāo)、配件等權(quán)益。由于提前生產(chǎn),不可選配,故相關(guān)車型可最先交付,而非創(chuàng)始版的小米 SU7 標(biāo)準(zhǔn)版與 Max 版于 4 月底啟動(dòng)交付,Pro 版在 5 月底啟動(dòng)交付。幾天后的 4 月 3 日,小米汽車創(chuàng)始版迎來首批交付。在北京亦莊小米汽車工廠總裝車間的交付現(xiàn)場(chǎng),雷軍親手將車交給車主并和車主合影留念,再揮手目送每位車主離開。
- 關(guān)鍵字: IGBT
igbt 7介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條igbt 7!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)igbt 7的理解,并與今后在此搜索igbt 7的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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