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IGBT開關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用

　　1. 概述　　HWKT—09型微機(jī)勵(lì)磁調(diào)節(jié)器是武漢洪山電工技術(shù)研究所研制的新型的由IGBT作為功率輸出器件的自并激微機(jī)勵(lì)磁調(diào)節(jié)器。它的最大特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，主控回路只需一塊面積為25×20(cm2)的印制電路板，以Intel公司準(zhǔn)16位單片機(jī)(8098)為核心，加上外圍接口芯片組成的控制系統(tǒng)。該裝置于2000年12月在我站#1、#5機(jī)上成功投運(yùn)，目前運(yùn)行良好。　　2. IGBT自并激勵(lì)磁系統(tǒng)的組成及主回路原理　　2.1 勵(lì)磁系統(tǒng)組成及接線方式　　自并激勵(lì)磁系統(tǒng)也就
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MIUI 7驚艷！小米新品發(fā)布會(huì)總回顧

小米新品發(fā)布會(huì)推出了里程碑式的作品MIUI 7，下面就來(lái)看下MIUI 7相較于MIUI 6有什么進(jìn)步。
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關(guān)于明天的小米發(fā)布會(huì)，劇透都在這里了

這次發(fā)布會(huì)很神秘，但是小編找到蛛絲馬跡，大家先睹為快。
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銷量疲軟 MIUI 7能成小米的救命稻草嗎？

　　花無(wú)百日紅，人無(wú)千日好。再絢爛的曾經(jīng)，或許一朝不慎，就會(huì)成為過(guò)去。在科技圈，諾基亞、黑莓等就是最好的例子。而對(duì)于看似蓬勃發(fā)展的小米來(lái)說(shuō)，這么早早地看衰似乎并不合乎時(shí)宜。畢竟出貨量在國(guó)內(nèi)智能手機(jī)上還是處于一線陣營(yíng)，各種智能硬件產(chǎn)品也層出不窮，儼然是創(chuàng)建龐大商業(yè)帝國(guó)的趨勢(shì)。　　但實(shí)事求是地說(shuō)，目前小米最核心的智能手機(jī)業(yè)務(wù)已經(jīng)出現(xiàn)下滑的苗頭，昔日的高速增長(zhǎng)已經(jīng)完全成為過(guò)去式。于是，當(dāng)初引領(lǐng)小米進(jìn)入智能手機(jī)行業(yè)并一鳴驚人的“先知”——MIUI系統(tǒng)跳出來(lái)，
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iPhone 7或?qū)⒒貧w金屬圓角設(shè)計(jì)？

　　未曾正式發(fā)售的產(chǎn)品總是會(huì)有各種曝光，大家總是對(duì)還沒(méi)出現(xiàn)的充滿好奇，總想提前探出點(diǎn)什么，本次關(guān)注iPhone 7或?qū)⒒貧w金屬圓角設(shè)計(jì)?魅族9月再開發(fā)布會(huì)發(fā)布MX5 Pro? U盤版Windows 10曝光了;谷歌亞馬遜將幫助NASA設(shè)計(jì)無(wú)人機(jī)交通管制系統(tǒng);英國(guó)3D打印無(wú)人機(jī)成功試飛：拼裝無(wú)需任何工具。一起來(lái)看一下具體詳情吧。　　1. 蘋果新專利曝光：iPhone 7要回歸經(jīng)典? 　　　　我們知道蘋果即將推出的iPhone6s外觀不會(huì)有什么新意了，跟iPhone6的幾乎不會(huì)有
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意法半導(dǎo)體（ST）的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能效

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源、太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器以及所有的硬開關(guān)(hard-switching)電路拓?fù)?0kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。　　采用意法半導(dǎo)體的第三代溝柵式場(chǎng)截止型(trench-gate field-stop)低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個(gè)全新溝柵(trench gate)和特殊設(shè)計(jì)的P-N-P垂直結(jié)構(gòu)，可以在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗之
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中國(guó)手機(jī)單款產(chǎn)品打天下時(shí)代已經(jīng)過(guò)去

現(xiàn)在一款好手機(jī)的火爆不僅要有好口碑，還要有不錯(cuò)的銷售渠道和宣傳攻勢(shì)，更主要廠商還要有不錯(cuò)的品牌溢價(jià)。
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意法半導(dǎo)體（ST）新款1200V IGBT是業(yè)內(nèi)性能最好的低頻晶體管

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當(dāng)開關(guān)頻率達(dá)到8kHz時(shí)，新系列雙極器件的導(dǎo)通和關(guān)斷綜合損耗創(chuàng)市場(chǎng)新低，大幅度提升不間斷電源、太陽(yáng)能發(fā)電、電焊機(jī)、工業(yè)電機(jī)等類似設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換效率。　　新S系列擁有當(dāng)前1200V IGBT市場(chǎng)上最低的飽和電壓(VCE(sat))，可確保更低的壓降與最小的功率耗散，從而簡(jiǎn)化熱管理系統(tǒng)。此外，正VCE(sat)溫度系數(shù)結(jié)合緊密的參數(shù)分布，不僅簡(jiǎn)化多支晶體管的并聯(lián)
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英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片可提高牽引和工業(yè)傳動(dòng)等高性能設(shè)備的可靠性

　　英飛凌科技股份公今日發(fā)布一款采用可控逆導(dǎo)型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和續(xù)流二極管的6.5 kV功率模塊。新發(fā)布的這款RCDC(二極管可控逆導(dǎo)型IGBT)IGBT芯片，非常適合現(xiàn)代高速列車和高性能電力機(jī)車，以及未來(lái)的HVDC輸電系統(tǒng)和傳動(dòng)裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊，采用RCDC IGBT的模塊電流密度提高了33%，散熱性能也有所增強(qiáng)。因此，它可以延長(zhǎng)產(chǎn)品工作壽命并提高可靠性，進(jìn)而最大限度降低系統(tǒng)維護(hù)工作量。　　通過(guò)推出RCDC IGBT芯片，英飛凌進(jìn)一步壯大其高性能6.5kV
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優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽(yáng)能逆變器

　　隨著綠色電力運(yùn)動(dòng)勢(shì)頭不減，包括家電、照明和電動(dòng)工具等應(yīng)用，以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽(yáng)能的優(yōu)點(diǎn)。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求，電源設(shè)計(jì)師正通過(guò)最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽(yáng)能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。　　要為這些應(yīng)用以高效率生產(chǎn)所需的交流輸出電壓和電流，太陽(yáng)能逆變器就需要控制、驅(qū)動(dòng)器和輸出功率器件的正確組合。要達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，在這里展示了一個(gè)針對(duì)500W功率輸出進(jìn)行優(yōu)化，并且擁有120V及60Hz頻率的單相正弦波的直流到交流逆變器設(shè)計(jì)。在這個(gè)設(shè)計(jì)中，有一個(gè)DC/D
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英飛凌推出新款A(yù)dvantage系列 IGBT產(chǎn)品，為逆變焊機(jī)的持續(xù)發(fā)展注入動(dòng)力

　　近年來(lái)，中國(guó)的逆變焊機(jī)技術(shù)已日趨成熟，逆變焊機(jī)本身的技術(shù)和性能在不斷提高，且得到各行業(yè)用戶的認(rèn)可，并逐漸進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)。作為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)軍者，英飛凌憑借豐富的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新實(shí)力，重視中國(guó)本土客戶的需求，全新推出針對(duì)于逆變焊機(jī)應(yīng)用的34毫米IGBT功率模塊Advantage系列，該系列產(chǎn)品包括1200V 50A、75A和100A, 具有高性價(jià)比，其品質(zhì)和可靠性達(dá)到英飛凌一貫高標(biāo)準(zhǔn)。　　電焊機(jī)在工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛，如焊接機(jī)器人、機(jī)械制造、造船、石油化工、電力建設(shè)、建筑業(yè)等，隨著對(duì)焊機(jī)的利用率的提高，這
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國(guó)產(chǎn)手機(jī)新一輪洗牌：高端市場(chǎng)進(jìn)入肉搏戰(zhàn)

　　過(guò)去的幾年，中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)季度出貨量始終保持在20%以上的增長(zhǎng)率。然而，最新的各方數(shù)據(jù)均表明，這個(gè)增速已經(jīng)放緩開始接近飽和。對(duì)于手機(jī)廠商而言，要想占領(lǐng)、站穩(wěn)市場(chǎng)，就要在硬件和軟件方面有所突破，并不斷構(gòu)建自己的生態(tài)圈。　　于是，我們看到在即將過(guò)去的半年里，手機(jī)廠商使出渾身解數(shù)：無(wú)邊框、曲面?zhèn)绕?、絕無(wú)預(yù)裝軟件、內(nèi)容生態(tài)鏈……國(guó)產(chǎn)手機(jī)紛紛著力增加品牌附加價(jià)值，提升用戶體驗(yàn)，市場(chǎng)進(jìn)入白熱化廝殺階段。在渠道、定價(jià)、品牌等多個(gè)環(huán)節(jié)的不斷變化中，一場(chǎng)真正的洗牌正在逐漸拉開。　　
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SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動(dòng)電源

　　摘要：本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。　　關(guān)鍵詞：SiC Mosfet管;隔離驅(qū)動(dòng)電路;驅(qū)動(dòng)電源模塊;QA01C 　　一、引言　　以Si為襯底的Mosfet管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，?qū)動(dòng)功率小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，具有靠多數(shù)載流子工作導(dǎo)電特性，沒(méi)有少數(shù)載流子導(dǎo)電工作所需要的存儲(chǔ)時(shí)間，因而開關(guān)速度快，工作頻率
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一種智能型全自動(dòng)快速充電機(jī)的設(shè)計(jì)

　　1 充電機(jī)的現(xiàn)狀　　目前，礦用電機(jī)車蓄電池的充電，無(wú)論是恒流充電、恒壓充電或是先恒流再恒壓的分段式充電，都有一個(gè)共同的問(wèn)題，就是這種小電流慢充方式，蓄電池初充需70小時(shí)以上，進(jìn)行普通充電也需10小時(shí)以上，這種充電方式在充電過(guò)程的初期，充電電流遠(yuǎn)小于蓄電池可接受的充電電流，因而拉長(zhǎng)了充電時(shí)間，造成電能的浪費(fèi)。而在充電過(guò)程的后期，充電電流又大于蓄電池可接受的電流，蓄電池內(nèi)部溫度升高，產(chǎn)生大量析氣，并形成內(nèi)部硫化結(jié)晶，大大縮短了蓄電池的循環(huán)使用壽命，甚至有可能永久性地?fù)p壞電池。這不僅造成了浪費(fèi)，也增加了
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IGBT產(chǎn)業(yè)基地有望掛上“國(guó)字號(hào)”牌子

　　今年省“兩會(huì)”期間，駐株省政協(xié)委員張國(guó)浩、余群明、謝一明等聯(lián)名提交了《關(guān)于在株洲建設(shè)IGBT項(xiàng)目千億產(chǎn)業(yè)園的建議》。5月22日，省經(jīng)信委有關(guān)人員就該建議來(lái)株答復(fù)委員。　　正申報(bào)國(guó)家新型工業(yè)化示范基地　　駐株省政協(xié)委員提出“將IGBT產(chǎn)業(yè)園作為省重點(diǎn)工業(yè)園”，省經(jīng)信委電子產(chǎn)業(yè)處副處長(zhǎng)彭濤答復(fù)時(shí)表示，由于相關(guān)政策規(guī)定，IGBT產(chǎn)業(yè)建設(shè)產(chǎn)業(yè)園，可以以新型工業(yè)化示范基地或園中園形式建立。省經(jīng)信委將在項(xiàng)目用地、資金、政策等方面優(yōu)先保障。　　據(jù)悉，目前，
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