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Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下開關(guān)功率MOSFET與IGBT

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。目標(biāo)應(yīng)用包括大型家用電器的驅(qū)動(dòng)電機(jī)、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)以及電動(dòng)自行車和無人駕駛飛機(jī)等以電池供電的運(yùn)載工具。新產(chǎn)品還適用于超過600W的電源，以及燃料電池、太陽(yáng)能和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用的反相器。　　DGD21xx系列具有可自舉到高達(dá)600V的浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器，使之適用于在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及電源常見
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七年 “自主芯”從一片空白到世界一流

愛之深、恨之切，因?yàn)槲覀兲谝鈬?guó)芯的自強(qiáng)，所以才會(huì)怒其不爭(zhēng)，不能憑自己的實(shí)力說話，而是需借助外力，收購(gòu)也許是最省力的辦法。
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世強(qiáng)簽約國(guó)際橋堆領(lǐng)軍企業(yè)新電元共拓工業(yè)汽車領(lǐng)域新版圖

　　全球先進(jìn)電子元件分銷商世強(qiáng)日前與國(guó)際橋堆制造領(lǐng)軍企業(yè)Shindengen簽訂分銷協(xié)議，前者正式代理包括橋堆、二極管、電源模塊、可控硅、IGBT、MOS等在內(nèi)的新電元全線產(chǎn)品?！　⌒?nbsp;電元工業(yè)株式會(huì)社于1949年成立以來，主要從事功率半導(dǎo)體和開關(guān)電源、電裝制品的制造和銷售，并以電力電子技術(shù)為主要領(lǐng)域。旗下的電源用肖特基二極管、橋堆等分立器件產(chǎn)品的市場(chǎng)占有率穩(wěn)居世界前列，在日本國(guó)內(nèi)占95%的市場(chǎng)份額。其整流橋在全世界占有接近40%的市場(chǎng)份額，素有“橋王”之稱?！　⌒?nbsp;電元的主打產(chǎn)品——
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Σ-Δ調(diào)制器提高運(yùn)動(dòng)控制效率

　　工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制涵蓋一系列應(yīng)用，包括基于逆變器的風(fēng)扇或泵控制、具有更為復(fù)雜的交流驅(qū)動(dòng)控制的工廠自動(dòng)化以及高級(jí)自動(dòng)化應(yīng)用(如具有高級(jí)伺服控制的機(jī)器人)。這些系統(tǒng)需要檢測(cè)多個(gè)變量，例如電機(jī)繞組電流或電壓、直流鏈路電流或電壓、轉(zhuǎn)子位置和速度。變量的選擇和所需的測(cè)量精度取決于終端應(yīng)用需求、系統(tǒng)架構(gòu)、目標(biāo)系統(tǒng)成本或系統(tǒng)復(fù)雜度。還有其他考慮因素，例如狀態(tài)監(jiān)控等增值特性。據(jù)報(bào)道，電機(jī)占全球總能耗的40%，國(guó)際法規(guī)越來越注重全體工業(yè)運(yùn)動(dòng)應(yīng)用的系統(tǒng)效率(參見圖1)?！　?nbsp; 　　圖1：工業(yè)
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模擬信號(hào)的隔離方法有哪些

　　模擬信號(hào)的隔離是非常頭疼的，有時(shí)候不得不需要隔離。大部分基于以下需要：　　1.隔離干擾源;　　2.分隔高電壓?！　「綦x數(shù)字信號(hào)的辦法很多，隔離模擬信號(hào)的辦法卻沒有想象的那么多，關(guān)鍵是隔離的成本，比想象的都要高出許多。特別是要求精確測(cè)量的場(chǎng)合，模擬信號(hào)的隔離，成本高得更加是離譜的無法想象。我從事這種系統(tǒng)開發(fā)多年，對(duì)自己所知道的隔離方法做個(gè)小小的總結(jié)：　　數(shù)字隔離方法：　　1. 光耦;　　2. ADI 的磁隔離芯片,ADuMXXXX(XXXX為數(shù)字代號(hào)，如 I2C的ADuM1250);　　3.自己用變壓器
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Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品S5系列IGBT率先登陸Mouser

　　貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品在175°C的溫度下，能夠提供業(yè)界領(lǐng)先的1.60 VCE(sat) 低典型飽和電壓，因此即使在高溫工作條件下，也能保持較高的能效?！　ouser分銷的Infineon TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提高了開關(guān)性能，可降低電路復(fù)雜度，此外由于不需要電容與齊納二極管，還可以降低整體系統(tǒng)成本
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IRS2005 HVIC壯大面向中低壓電機(jī)變頻器的英飛凌驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品陣容，帶來很高的電源效率并提高系統(tǒng)可靠性

　　英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其200 V驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品陣容，推出支持高壓、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驅(qū)動(dòng)IC能為具有嚴(yán)格空間限制的電機(jī)變頻器應(yīng)用提供全面保護(hù)，比如電動(dòng)園藝設(shè)備、高爾夫球車、電動(dòng)工具及代步車等。IRS200x家族產(chǎn)品包括高邊和低邊驅(qū)動(dòng)以及半橋式驅(qū)動(dòng)，采用英飛凌成熟而強(qiáng)大的高壓結(jié)隔離(HVJI)工藝，以實(shí)現(xiàn)小型封裝，同時(shí)保持對(duì)負(fù)瞬變電壓的耐受性。這種200 V器件專為低壓(24 V、36 V和48 V)和中壓(60 V、80 V和100 V)應(yīng)用量身定制
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最簡(jiǎn)單易用的7管封裝IGBT模塊

　　IGBT的優(yōu)勢(shì)在于輸入阻抗很高，開關(guān)速率快，導(dǎo)通態(tài)電壓低，關(guān)斷時(shí)阻斷電壓高，集電極和發(fā)射機(jī)承受電流大的特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為電力電子行業(yè)的功率半導(dǎo)體發(fā)展的主流器件。IGBT已經(jīng)由第三代發(fā)展到第五代了，由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎(chǔ)上同步發(fā)展，單管模塊，半橋模塊，6管模塊，到現(xiàn)在的7管模塊。IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)上比較復(fù)雜，需要考慮較多的因素，諸如合理的選擇驅(qū)動(dòng)電壓Uge和門極驅(qū)動(dòng)電阻Rg，過流過壓保護(hù)等都是很重要的。IGBT模塊廣泛用于UPS，感應(yīng)加熱，逆變焊機(jī)電源，變頻器等領(lǐng)域。　　
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中國(guó)高鐵最核心電能芯片成功國(guó)產(chǎn)：世界最高難度

IGBT這技術(shù)國(guó)內(nèi)確實(shí)不夠，現(xiàn)在量產(chǎn)并使用在高鐵上，也是一大飛躍。
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IGBT開關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用

　　1. 概述　　HWKT—09型微機(jī)勵(lì)磁調(diào)節(jié)器是武漢洪山電工技術(shù)研究所研制的新型的由IGBT作為功率輸出器件的自并激微機(jī)勵(lì)磁調(diào)節(jié)器。它的最大特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，主控回路只需一塊面積為25×20(cm2)的印制電路板，以Intel公司準(zhǔn)16位單片機(jī)(8098)為核心，加上外圍接口芯片組成的控制系統(tǒng)。該裝置于2000年12月在我站#1、#5機(jī)上成功投運(yùn)，目前運(yùn)行良好。　　2. IGBT自并激勵(lì)磁系統(tǒng)的組成及主回路原理　　2.1 勵(lì)磁系統(tǒng)組成及接線方式　　自并激勵(lì)磁系統(tǒng)也就
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問專家--智能功率模塊(IPM)如何應(yīng)用于汽車中

　　安森美半導(dǎo)體應(yīng)用專家在此解答您的設(shè)計(jì)問題。這視頻將向您介紹智能功率模塊(IPM)如何應(yīng)用于汽車中。安森美半導(dǎo)體用于汽車的智能功率模塊，是一個(gè)創(chuàng)新的3相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器模塊，由于無線路板(PCB-less)的設(shè)計(jì)，顯著減少電機(jī)控制的空間、重量和成本。
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意法半導(dǎo)體（ST）的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能效

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源、太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器以及所有的硬開關(guān)(hard-switching)電路拓?fù)?0kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。　　采用意法半導(dǎo)體的第三代溝柵式場(chǎng)截止型(trench-gate field-stop)低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個(gè)全新溝柵(trench gate)和特殊設(shè)計(jì)的P-N-P垂直結(jié)構(gòu)，可以在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗之
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意法半導(dǎo)體（ST）新款1200V IGBT是業(yè)內(nèi)性能最好的低頻晶體管

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當(dāng)開關(guān)頻率達(dá)到8kHz時(shí)，新系列雙極器件的導(dǎo)通和關(guān)斷綜合損耗創(chuàng)市場(chǎng)新低，大幅度提升不間斷電源、太陽(yáng)能發(fā)電、電焊機(jī)、工業(yè)電機(jī)等類似設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換效率。　　新S系列擁有當(dāng)前1200V IGBT市場(chǎng)上最低的飽和電壓(VCE(sat))，可確保更低的壓降與最小的功率耗散，從而簡(jiǎn)化熱管理系統(tǒng)。此外，正VCE(sat)溫度系數(shù)結(jié)合緊密的參數(shù)分布，不僅簡(jiǎn)化多支晶體管的并聯(lián)
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英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片可提高牽引和工業(yè)傳動(dòng)等高性能設(shè)備的可靠性

　　英飛凌科技股份公今日發(fā)布一款采用可控逆導(dǎo)型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和續(xù)流二極管的6.5 kV功率模塊。新發(fā)布的這款RCDC(二極管可控逆導(dǎo)型IGBT)IGBT芯片，非常適合現(xiàn)代高速列車和高性能電力機(jī)車，以及未來的HVDC輸電系統(tǒng)和傳動(dòng)裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊，采用RCDC IGBT的模塊電流密度提高了33%，散熱性能也有所增強(qiáng)。因此，它可以延長(zhǎng)產(chǎn)品工作壽命并提高可靠性，進(jìn)而最大限度降低系統(tǒng)維護(hù)工作量。　　通過推出RCDC IGBT芯片，英飛凌進(jìn)一步壯大其高性能6.5kV
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優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽(yáng)能逆變器

　　隨著綠色電力運(yùn)動(dòng)勢(shì)頭不減，包括家電、照明和電動(dòng)工具等應(yīng)用，以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽(yáng)能的優(yōu)點(diǎn)。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求，電源設(shè)計(jì)師正通過最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽(yáng)能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。　　要為這些應(yīng)用以高效率生產(chǎn)所需的交流輸出電壓和電流，太陽(yáng)能逆變器就需要控制、驅(qū)動(dòng)器和輸出功率器件的正確組合。要達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，在這里展示了一個(gè)針對(duì)500W功率輸出進(jìn)行優(yōu)化，并且擁有120V及60Hz頻率的單相正弦波的直流到交流逆變器設(shè)計(jì)。在這個(gè)設(shè)計(jì)中，有一個(gè)DC/D
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