imec 文章 進(jìn)入imec技術(shù)社區(qū)
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗(yàn)室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī)，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計(jì)劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
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imec展示單片式CFET功能組件 成功垂直堆棧金屬接點(diǎn)
- 于本周舉行的2024年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium）上，比利時(shí)微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補(bǔ)式場(chǎng)效晶體管（CFET）組件，該組件包含采用垂直堆棧技術(shù)形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點(diǎn)（contact）。雖然此次研究的成果都在晶圓正面進(jìn)行接點(diǎn)圖形化，不過imec也展示了改從晶圓背面處理接點(diǎn)圖形的可行性—這能大幅提升頂層組件的存活率，將其從11%提升到79%。 CMOS互補(bǔ)式場(chǎng)效晶體管（CFET）組件搭配中間介電層（MDI）以及
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imec展示56Gb波束成形發(fā)射機(jī) 實(shí)現(xiàn)高功率零中頻的D頻段傳輸
- 于本周舉行的國際電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)（IEEE）射頻集成電路國際會(huì)議（RFIC Symposium）上，比利時(shí)微電子研究中心（imec）發(fā)表了一款基于CMOS技術(shù)的先進(jìn)波束成形發(fā)射機(jī)，用來滿足D頻段的無線傳輸應(yīng)用。該發(fā)射器具備優(yōu)異的輸出功率及能源效率，同時(shí)支持每通道56Gb/s的超高數(shù)據(jù)傳輸率。該組件也是比利時(shí)微電子研究中心（imec）研究人員目前正在開發(fā)的四路波束成形收發(fā)機(jī)芯片之核心構(gòu)件。運(yùn)用這項(xiàng)技術(shù)，他們希望可以協(xié)助部署新一代100GHz以上的高頻短距無線傳輸服務(wù)。 imec先進(jìn)CMOS波束成
- 關(guān)鍵字： imec 波束成形 發(fā)射機(jī) 高功率 零中頻 D頻段傳輸
imec助推歐洲芯片法 2納米芯片試驗(yàn)將獲25億歐元投資
- 比利時(shí)微電子研究中心(imec)于本周舉行的2024年全球技術(shù)論壇（ITF World 2024)，宣布即將推出納米芯片（NanoIC）試驗(yàn)制程。鑒于歐盟《芯片法案》的發(fā)展愿景，該試驗(yàn)制程致力于加速創(chuàng)新、驅(qū)動(dòng)經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)，并強(qiáng)化歐洲半導(dǎo)體生態(tài)系。此納米芯片試驗(yàn)制程聚焦開發(fā)2納米以下的系統(tǒng)單芯片，將為歐洲汽車、電信、健康衛(wèi)生等各大產(chǎn)業(yè)提供支持，以利用最新的芯片創(chuàng)新設(shè)計(jì)來開發(fā)經(jīng)得起未來考驗(yàn)的產(chǎn)品。imec現(xiàn)有的試驗(yàn)制造廠區(qū)已建立了數(shù)十年，該試驗(yàn)制程將作為其擴(kuò)建的廠房。政府及民間單位預(yù)計(jì)將注入高達(dá)25億歐元的共同投
- 關(guān)鍵字： imec 歐洲芯片法 2納米
運(yùn)用能量產(chǎn)率模型 突破太陽能預(yù)測(cè)極限
- 能量產(chǎn)率模型（Energy Yield Model）由歐洲綠能研究組織EnergyVille成員—比利時(shí)微電子研究中心（imec）和比利時(shí)哈瑟爾特大學(xué)（UHasselt）所開發(fā)，該模型利用由下而上（bottom-up）設(shè)計(jì)方法，精準(zhǔn)巧妙地結(jié)合太陽能板的光學(xué)、溫度及電氣動(dòng)力學(xué)，正在為太陽能預(yù)測(cè)帶來全新氣象。在追求永續(xù)能源方面，太陽能扮演著關(guān)鍵角色，然而，太陽能具備難以預(yù)測(cè)的特性，挑戰(zhàn)了準(zhǔn)確預(yù)測(cè)能量（和財(cái)務(wù)）產(chǎn)率的實(shí)現(xiàn)。比利時(shí)微電子研究中心（imec）和比利時(shí)哈瑟爾特大學(xué)（UHasselt），透過他們?cè)跉W洲綠
- 關(guān)鍵字： 量產(chǎn)率模型 太陽能 imec
半大馬士革集成中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)面臨的挑戰(zhàn)
- l 隨著芯片制造商向3nm及以下節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，后段模塊處理迎來挑戰(zhàn)l 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)可能有助于縮短電阻電容的延遲時(shí)間 隨著器件微縮至3nm及以下節(jié)點(diǎn)，后段模塊處理迎來許多新的挑戰(zhàn)，這使芯片制造商開始考慮新的后段集成方案。 在3nm節(jié)點(diǎn)，最先進(jìn)的銅金屬化將被低電阻、無需阻擋層的釕基后段金屬化所取代。這種向釕金屬化的轉(zhuǎn)變帶來減成圖形化這一新的選擇。這個(gè)方法也被稱為“半大馬士革集成”，結(jié)合了最小間距互連的減成圖形化與通孔結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)大馬士革。
- 關(guān)鍵字： 半大馬士革 空氣間隙結(jié)構(gòu) 泛林 imec
革命性醫(yī)療成像 imec用非侵入超音波監(jiān)測(cè)心臟
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec）的研究人員，推出為超音波成像應(yīng)用所開發(fā)的創(chuàng)新第二代壓電式微機(jī)械超音波換能器（PMUT）數(shù)組。該數(shù)組具備一層氮化鋁鈧（AlScN）壓電層，在水中實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的影像擷取，波束控制深度達(dá)到10cm。此次取得的技術(shù)突破為曲面感測(cè)、革命性醫(yī)療成像及監(jiān)測(cè)這類復(fù)雜的超音波應(yīng)用提供了發(fā)展條件。近期imec攜手其衍生新創(chuàng)Pulsify Medical，一同推動(dòng)心臟監(jiān)測(cè)技術(shù)朝向非侵入式且無需醫(yī)師操作的方向發(fā)展。超音波成像的技術(shù)進(jìn)展在非侵入性的情況下，透過超音波成像來呈現(xiàn)腹中胎兒影像的聲波應(yīng)用廣為人
- 關(guān)鍵字： 超音波 感測(cè) 醫(yī)療成像 imec
IMEC發(fā)布1nm以下制程藍(lán)圖：FinFET將于3nm到達(dá)盡頭
- 近日，比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍(lán)圖，分享對(duì)應(yīng)晶體管架構(gòu)研究和開發(fā)計(jì)劃。外媒報(bào)導(dǎo)，IMEC制程藍(lán)圖顯示，F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達(dá)盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術(shù)，預(yù)計(jì)2024年進(jìn)入量產(chǎn)，之后還有FSFET和CFET等技術(shù)。△Source：IMEC隨著時(shí)間發(fā)展，轉(zhuǎn)移到更小的制程節(jié)點(diǎn)會(huì)越來越貴，原有的單芯片設(shè)計(jì)方案讓位給小芯片(Chiplet)設(shè)計(jì)。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲(chǔ)器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
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imec觀點(diǎn)：微影圖形化技術(shù)的創(chuàng)新與挑戰(zhàn)
- 此篇訪談中，比利時(shí)微電子研究中心（imec）先進(jìn)圖形化制程與材料研究計(jì)劃的高級(jí)研發(fā)SVP Steven Scheer以近期及長(zhǎng)期發(fā)展的觀點(diǎn)，聚焦圖形化技術(shù)所面臨的研發(fā)挑戰(zhàn)與創(chuàng)新。本篇訪談內(nèi)容，主要講述這些技術(shù)成果的背后動(dòng)力，包含高數(shù)值孔徑（high NA）極紫外光（EUV）微影技術(shù)的進(jìn)展、新興內(nèi)存與邏輯組件的概念興起，以及減少芯片制造對(duì)環(huán)境影響的需求。怎么看待微影圖形化這塊領(lǐng)域在未來2年的發(fā)展？Steven Scheer表示：「2019年，極紫外光（EUV）微影技術(shù)在先進(jìn)邏輯晶圓廠進(jìn)入量產(chǎn)，如今動(dòng)態(tài)隨機(jī)存
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探索埃米世代導(dǎo)線材料 金屬化合物會(huì)擊敗銅嗎？
- 自1990年代中期，銅（Cu）一直用于后段制程，作為內(nèi)連導(dǎo)線（interconnect）與通孔（via）的主流金屬材料。這些年來，銅材在雙鑲嵌整合制程上展現(xiàn)了長(zhǎng)年不敗的優(yōu)良導(dǎo)電性與可靠度，因此過去認(rèn)為在芯片導(dǎo)線應(yīng)用上無需替換這位常勝軍。但隨著技術(shù)世代演進(jìn)，局部導(dǎo)線層持續(xù)微縮，關(guān)鍵組件層的線寬降至10nm以下。偏偏在這樣的小尺寸下，銅材的電阻會(huì)急遽增加，進(jìn)而影響電路的整體性能。銅世代告終？此外，銅材需要阻障層（barrier）、襯墊層（liner）與覆蓋層（cap layer）才能維持良好的可靠度；這些外加
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imec全球首創(chuàng)高光譜照相系統(tǒng) 鎖定動(dòng)態(tài)全彩成像應(yīng)用
- 于本周舉行的國際光電工程學(xué)會(huì)（SPIE）美西光電展（Photonics West）上，比利時(shí)微電子研究中心（imec）展示全球首款高光譜多傳感器照相系統(tǒng)，涵蓋可見光與近紅外光的波長(zhǎng)范圍，還兼具高分辨率RGB色彩傳感器。即使在動(dòng)態(tài)情境下，這套系統(tǒng)也能支持高幀數(shù)影像的數(shù)據(jù)擷取，還可以協(xié)助評(píng)估特定應(yīng)用在使用單一裝置的情況下最適合采用的分辨率與光譜范圍。越來越多的企業(yè)正在研究如何利用高光譜影像技術(shù)來提升他們的產(chǎn)品或服務(wù)。有些企業(yè)一開始就知道各自所需的光譜范圍，但其他企業(yè)卻必須經(jīng)歷一段測(cè)試多臺(tái)相機(jī)的過程。盡管目前市
- 關(guān)鍵字： imec 高光譜照相 動(dòng)態(tài)全彩成像
最新超導(dǎo)量子位研究 成功導(dǎo)入CMOS制程
- 量子計(jì)算機(jī)可望在特定應(yīng)用領(lǐng)域帶來巨變，包含材料合成、藥物開發(fā)、網(wǎng)絡(luò)安全等等。在量子電路的運(yùn)算模型中，量子邏輯閘（簡(jiǎn)稱量子閘）利用少數(shù)量子來進(jìn)行基本運(yùn)算，與傳統(tǒng)數(shù)字電路里的邏輯閘雷同。量子是量子電路的基本構(gòu)件。全球正在努力開發(fā)具備不同類型量子位的量子運(yùn)算平臺(tái)，期望能將應(yīng)用從實(shí)驗(yàn)室擴(kuò)展到全球。其中一項(xiàng)前景看好的量子運(yùn)算技術(shù)透過超導(dǎo)電路運(yùn)行。Anton Potocnik是深耕量子運(yùn)算領(lǐng)域的imec資深研究員，他表示：「超導(dǎo)量子位的能量狀態(tài)相對(duì)容易操控，經(jīng)過這幾年，研究人員已能將越來越多的量子進(jìn)行耦合，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更
- 關(guān)鍵字： 超導(dǎo)量子位 CMOS制程 imec
隔空觸覺應(yīng)用看漲 imec開發(fā)微型超音波數(shù)組技術(shù)
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec），于本周舉行的2022年IEEE國際超音波會(huì)議（International Ultrasonics Symposium），展示了新型壓電式微型超音波換能器（pMUT）數(shù)組，它能與平面顯示器（FPD）制程技術(shù)兼容。新型數(shù)組可以隔空感測(cè)高于1kPa的聲壓，滿足隔空觸覺與指向聲波應(yīng)用。 （A）包含22個(gè)直徑為500μm環(huán)形pMUT的相控?cái)?shù)組大范圍影像（B）細(xì)部影像此次開發(fā)的pMUT技術(shù)不再聚焦晶圓制程，而是朝向與平面顯示器技術(shù)兼容的方向發(fā)展，方便將來與隔空感測(cè)應(yīng)用整合，
- 關(guān)鍵字： 隔空觸覺 imec 超音波數(shù)組
imec介紹
IMEC,全稱為Interuniversity Microelectronics Centre, 微電子研究中心.
IMEC成立于1984年，目前是歐洲領(lǐng)先的獨(dú)立研究中心，研究方向主要集中在微電子，納米技術(shù)，輔助設(shè)計(jì)方法，以及信息通訊系統(tǒng)技術(shù)（ICT）. IMEC 致力于集成信息通訊系統(tǒng)設(shè)計(jì)；硅加工工藝；硅制程技術(shù)和元件整合；納米技術(shù)，微系統(tǒng)，元件及封裝；太陽能電池；以及微電子領(lǐng)域的高級(jí)培訓(xùn) [ 查看詳細(xì) ]
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