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WOA山雨欲來Intel能否招架?
- ARM架構(gòu)系統(tǒng)單晶片已在智慧手機市場嘗到成功滋味，進而廣為平板所采用。由于ARM架構(gòu)系統(tǒng)單晶片已在平板領(lǐng)域展現(xiàn)省電特色，再加上即將推出的ARM架構(gòu)PC，ARM架構(gòu)系統(tǒng)單晶片可望進軍次世代NB市場。Windows為PC市場主流平臺，而微軟這項產(chǎn)品也為ARM陣營系統(tǒng)單晶片廠打開了機會之窗。 然而，為了提升市占，ARM陣營系統(tǒng)單晶片廠必須盡快攻占產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)中英特爾尚未拿下的部份。更重要的是，支援ARM架構(gòu)的Windows作業(yè)系統(tǒng)(WOA)若要在市場上獲得成功，微軟必須確保各種關(guān)鍵應(yīng)用程式
- 關(guān)鍵字： Intel 架構(gòu)
Intel以無線充電再戰(zhàn)ARM移動市場地位
- 英特爾公司(Intel)日前宣布采用Integrated Device Technology (IDT)的發(fā)射器與接收器晶片，用于實現(xiàn)其無線共振能量鏈接( WREL )技術(shù)，并計劃進一步使這項無線充電技術(shù)成為支持其行動運算與通訊產(chǎn)品發(fā)揮市場影響力的重要元素。 IDT預將在2012年底前出樣該共振接收器晶片，2013上半年供應(yīng)發(fā)射器IC樣片。英特爾與IDT公司并計劃針對Ultrabook 、 PC、智慧型手機與獨立式充電器等應(yīng)用推出共振無線充電參考設(shè)計。 英特爾一直致力于推動這項
- 關(guān)鍵字： Intel 無線充電
嵌入式系統(tǒng)原理及開發(fā)
- 《嵌入式系統(tǒng)原理及開發(fā)》一書是由上海交通大學應(yīng)忍冬、蔣樂天、徐國治編著。本書主要介紹嵌入式系統(tǒng)軟硬件架構(gòu)技術(shù)及嵌入式系統(tǒng)優(yōu)化技術(shù)。內(nèi)容涵蓋了嵌入式系統(tǒng)從底層到上層的軟硬件設(shè)計技術(shù)，在硬件方面分別介紹了嵌入式系統(tǒng)底層設(shè)備接口、處理器子系統(tǒng)，以及總線結(jié)構(gòu)。并以Intel的ATOM處理器為例，介紹了高性能嵌入式系統(tǒng)的架構(gòu)設(shè)計特點；在軟件方面分別介紹了嵌入式系統(tǒng)編程模式、軟件優(yōu)化技術(shù)、嵌入式操作系統(tǒng)原理、驅(qū)動程序原理，以及基于MeeGo的用戶界面編程技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： 嵌入式 Intel
新漢推出全新升級網(wǎng)絡(luò)安全平臺NSA 5130系列
- 基于全新升級的Intel? Xeon? Processor E3-1200v2家族處理器，新漢1U網(wǎng)絡(luò)安全平臺NSA 5130, NSA 5130HA 和 NSA 5131較之前運行更快、更加安全可靠。網(wǎng)絡(luò)運行和計算性能大大增強，同時增加了一些新的安全功能，帶寬利用率顯著提高—且功耗降低。
- 關(guān)鍵字： 新漢 Intel 網(wǎng)絡(luò)安全
拆解：揭秘Ivy Bridge超頻溫度高原因
- 關(guān)于Ivy Bridge在超頻時溫度大大高于Sandy Bridge這一點早已被證實。關(guān)于具體原因此前分析大概有兩種說法，一種是Ivy Bridge制程升級導致核心面積變小后和頂蓋接觸面積變小，能量/面積的密度提高;另外一種說法直接把矛頭指向Intel 22nm FinFET/tri-gate技術(shù)。Overclockers網(wǎng)站分析認為，后一種說法缺乏有說服力的依據(jù)，前一種說法看似合理，但不至于導致超頻時Ivy Bridge溫度比Sandy Bridge高出20度之多。那么具體原因究竟為何?自己動手才有
- 關(guān)鍵字： Intel Ivy Bridge
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