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          UWB標準化努力再告失敗
          
                                                            
            
                    	
          • 超寬頻（ultrawideband，簡稱UWB）技術由於傳輸速率極高，一米的范圍內(nèi)達到500Mbps的傳輸率，或是十米內(nèi)110Mbps，因此被視為無線個人區(qū)域網(wǎng)路（WPAN）的下一代主流技術。在此態(tài)勢下，各大業(yè)者無不希??成為此技術的引領廠商，但也造成標準制定上的困擾
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          • 關鍵字：
                        UWB  英特爾  WPAN  MBOA                          
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          UWB標準制定進度受阻
          
                                                            
            
                    	
          • 由於超寬頻（ultrawideband；UWB）技術能大幅延伸無線個人區(qū)域網(wǎng)路（WPAN）的應用，因此受到市場極大的重視，但目前因產(chǎn)業(yè)界對IEEE所推動的802.15.3a標準還存在歧見，因此可能讓市場的采用進度受阻
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          • 關鍵字：
                        UWB  IEEE  WPAN  英特爾                          
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          IR公布2003財年第四季度業(yè)績
          
                                                            
            
                    	
          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 公布2003財年第四季度業(yè)績，季內(nèi)營業(yè)收益為2.284億美元，不包括早前公布有關遣散及重組活動的開支，模擬凈收入為1540萬美元 (或每股 0.24美元)。公司去年同季的凈收入為1610萬美元 (或每股 0.25美元)，營業(yè)收益則為2.01億美元。計入共380萬美元的遣散及重組開支后，IR第四季度的凈收入為1320萬美元 (或每股 0.20美元)。IR第四季度的營業(yè)收益在預定指標上端，比上季度增加超過6%，比去年同
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          • 關鍵字：
                        IR                          
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          IR全新16A額定集成功率模塊簡化電機驅(qū)動器設計且節(jié)能
          
                                                            
            
                    	
          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 在其PlugNDrive集成功率模塊系列中推出新成員IRAMX16UP60A，全面簡化變速電子電機控制電路。 最新16A額定IRAMX16UP60A模塊能為電子控制變速電機降低多達30%的能耗，并專為750W至1.2kW變速電機驅(qū)動應用而設計，如室內(nèi)空調(diào)系統(tǒng)、商用冷藏柜及大容量洗衣機。 新功率模塊屬于IR iMOTION集成設計平臺系列一部分，將一個三相逆變器功率平臺、柵驅(qū)動器和輔助電路結合在小巧的高性能絕緣型封裝
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          • 關鍵字：
                        IR  模塊                          
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          IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅(qū)動器性能
          
                                                            
            
                    	
          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝，采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能，有助降低傳導損耗，卻不增加開關損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設計的iMOTION集成設計平臺系列的一部分。新器件的工作結溫高達175°C，標準工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外，它們
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          • 關鍵字：
                        IR  封裝                          
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          IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性有效增強零電壓開關操作
          
                                                            
            
                    	
          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SMPS)電路中實現(xiàn)最大效率，并能提高功率輸出，適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間
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          • 關鍵字：
                        IR                          
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          IR推出性能經(jīng)改善良的電子繼電器
          
                                                            
            
                    	
          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早先前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻斷條件下的負載電流性能高出兩倍，器件通態(tài)電阻低出1/4，因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機電式繼電器，大大增加了操作壽命及可靠性，且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無彈跳 (無噪音) 切換功能，還能實現(xiàn)更低起動電流，以及高水平抗沖擊與振動性能，有助降低功耗。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國
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          • 關鍵字：
                        IR  繼電器                          
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          IR為交錯降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器推出XPhase可擴展性多相架構
          
                                                            
            
                    	
          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高度靈活和可擴展的XPhase架構，適用于需要一個或更多相位的多相交錯降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。首個Xphase芯片組配備了IR3081控制集成電路及IR3086相位集成電路，可提供超出CPU電壓調(diào)節(jié)組件 (VRM) 或VRD/EVRD 10.0要求的高性能解決方案，適用于服務器和高端臺式電腦內(nèi)最先進的微處理器。IR XPhase架構有別于其它只能驅(qū)動有限相位的多相方案，它提供可擴展的多相設計，滿足先進CPU瞬息萬
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          • 關鍵字：
                        IR                          
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          IR推出專攻高頻開關電源應用的經(jīng)濟型大功率150kHz IGBT
          
                                                            
            
                    	
          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT，額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關斷性能經(jīng)特別改良，適用于電信和服務器系統(tǒng)中的大電流、高頻開關電源電路。全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能價格比，提供理想的性能和效率。這些IGBT與 HEXFRED二極管組合封裝，性能高于功率MOSFET中的集成體二極管。新器件采用TO-247及TO-220封裝。IR中國及香港銷售總監(jiān)
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          • 關鍵字：
                        IR  模擬IC  電源                          
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          IR推出多用途80V MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF1312 型HEXFET功率MOSFET，額定電壓達80V，可用作隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器中的原邊和付邊MOSFET，專攻網(wǎng)絡通信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)領域。作為原邊MOSFET時，IRF1312能用于高達60V最大輸入電壓，因此最適用于36V至60V及48V穩(wěn)壓輸入母線隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器應用中的半橋或全橋結構。與同類75V MOSFET相比，其80V額定電壓提供額外6% 的防護帶，使設計更加堅固耐用。IR中國
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          • 關鍵字：
                        IR                          
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          IR推出運行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊
          
                                                            
            
                    	
          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新MTP隔離式開關模塊系列，它們以氮化鋁陶瓷層進行絕緣，在結點與外殼間發(fā)揮更佳導熱性能。該絕緣層的熱傳導性 (冷卻能力) 比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600V和1200V，它們把高速IGBT和優(yōu)化的二極管結合在同一封裝內(nèi)，有助節(jié)省空間和降低組裝成本，可取代分立式解決方案。新器件專為大電流工業(yè)電源而設計，適用于高頻弧焊機及不間斷電源 (UPS)。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富先生
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          • 關鍵字：
                        IR  模塊                          
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          IR推出可替代機電式繼電器的300V MOSFET功率器件
          
                                                            
            
                    	
          • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新產(chǎn)品IRF3000。它是一個300V、N溝道HEXFET功率MOSFET，用于取代多種電信及網(wǎng)絡應用中的機電式繼電器。新器件是一種固態(tài)半導體，無機械部分，故可提高整體系統(tǒng)可靠性，且體積比機電式繼電器低30%之多。IRF3000比機電式繼電器更具效率，導通電阻比機械繼電器低90%以上，最大限度地減低了傳導損耗。新器件的柵電荷極低，可最大程度減低開關損耗。IRF3000比繼電器更易驅(qū)動，有助簡化電路設計并降低整體
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          • 關鍵字：
                        IR  繼電器                          
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          IR披露最高集成度智能功率模塊
          
                                                            
            
                    	
          • 國際整流器公司 (International Rectifier)披露首個iNTERO可編程隔離式智能功率模塊 (PI-IPM)，在單一封裝內(nèi)將功率平臺整合到嵌入式驅(qū)動器板上，納入一個可編程數(shù)字信號處理器。新器件型號為PIIPM50P12B004，額定值為1200V和50A，具備電流傳感、隔離、柵驅(qū)動器及功率平臺保護功能，可直接與電機驅(qū)動器主機及輸入平臺接口，方案內(nèi)設有基本應用指令集及開發(fā)工具，效率高、堅固耐用，噪音低。該模塊電流反饋環(huán)路頻寬5kHz，提供平直的安全操作區(qū)，融合了IGBT技術，采用EMP封
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          • 關鍵字：
                        IR  模塊                          
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          IR推出更小的集成式開關(6.29)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出高效、低成本強化集成開關IRIS系列，將HEXFET功率MOSFET與控制集成電路結合在單一封裝內(nèi)，可簡化電路設計，減少了印制電路板尺寸及25%的元件數(shù)目。與交流-直流開關電源的分立電路相比，效率相同，甚至更佳。
　　全新IRIS集成開關系列將一個低損耗全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET與一個雙電壓及電流控制集成電路結合在單一封裝內(nèi)，適用于通用輸入及單輸入60W至180W開關電源的反激變換技術。
　
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          • 關鍵字：
                        IR  模擬IC  電源                          
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