<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
          EEPW首頁 >> 主題列表 >> iso2-cmos

          安森美推出0.18微米CMOS工藝技術

          •   全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴展定制晶圓代工能力,推出新的具價格競爭力、符合業(yè)界標準的0.18微米(µm) CMOS工藝技術。   這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號專用集成電路(ASIC)的極佳平臺,用于汽車、工業(yè)及醫(yī)療應用?;贠NC18工藝的方案將在安森美半導體位于美國俄勒岡州Gresham的8英寸晶圓制造廠制造,因此,預期對于尋求遵從國際武器貿(mào)易規(guī)章(ITAR)的合作伙伴、在美國國內(nèi)生產(chǎn)的美國軍事應用設計人
          • 關鍵字: 安森美  CMOS  晶圓制造  

          諾貝爾獎當之無愧,CCD傳感器已無處不在

          •   1969年,貝爾實驗室(Bell Laboratories)的科學家Willard S. Boyle和George E. Smith發(fā)明了第一個成功的數(shù)字影像傳感器技術:電荷耦合組件(CCD)。40年后,隨著影像傳感器逐漸發(fā)展成為一個年出貨量達13億顆的龐大市場,這兩位技術先鋒也在2009年獲頒諾貝爾物理獎,以表揚他們在數(shù)字成像領域的貢獻。   “影像傳感器技術對世界和整個社會帶來了巨大且深遠的影響,”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說。“影像
          • 關鍵字: CCD  CMOS  影像傳感器  

          采用0.18micro;m CMOS設計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)

          • 本文采用0.18µm CMOS工藝設計了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復用器電路。該電路采用數(shù)?;旌系姆椒ㄟM行設計,第一級用數(shù)字電路實現(xiàn)16:4的復用,第二級用模擬電路實現(xiàn)4:1的復用,從而實現(xiàn)16:1的復用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型,使用Virtuoso AMS Simulator 工具進行了仿真。仿真結果表明,當電源電壓為1.8V,溫度范圍為0~70℃時,電路可以工作在2.5b/s,功耗約為6mW。
          • 關鍵字: micro  0.18  CMOS  2.5    

          臺積電與AMCC結盟 取得嵌入式微處理器訂單

          •   臺積電宣布與AMCC(應用微電路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)結盟,AMCC的Power Architecture嵌入式微處理器將以臺積電90奈米CMOS制程生產(chǎn),未來將進一步推進到65奈米及40奈米制程。這意味著臺積電在 CPU代工領域再下一城。   AMCC為全球能源及通訊解決方案商,臺積電表示,這次雙方的合作,是AMCC Power Architecture嵌入式微處理器首次采用非SOI制程技術,受惠于臺積電成熟的bulk CMOS技術
          • 關鍵字: 臺積電  CPU代工  CMOS  

          一種新型CMOS圖像傳感器的設計

          • 為了提高CMOS圖像傳感器的圖像質量,通過對圖像主要的噪聲源以及圖像失真的分析,提出一種新型的CMOS有源像素圖像傳感器。該CMOS圖像傳感器使用4T有源像素,大大提高了圖像傳感器的靈敏度。通過在傳感器中集成圖像預處理功能,對改善圖像的質量起到了很好的效果。
          • 關鍵字: CMOS  圖像傳感器    

          華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進入量產(chǎn)

          •   世界領先的純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)日前宣布成功開發(fā)了0.162微米CMOS 圖像傳感器 (CIS162) 工藝技術,已進入量產(chǎn)階段。   華虹NEC和關鍵客戶合作共同開發(fā)的CIS162工藝是基于標準0.162微米純邏輯工藝,1.8V的核心器件,3.3V的輸入輸出電路。經(jīng)過精細調(diào)整集成了4個功能晶體管和光電二極管(photo diode) 的像素單元可以提供超低的漏電和高清優(yōu)質的圖像。而特別處理的后端布線工藝保證了像素區(qū)高敏感性,可
          • 關鍵字: 華虹NEC  晶圓代工  CMOS  圖像傳感器  

          CMOS射頻接收機系統(tǒng)與電路

          • CMOS技術作為設計射頻接收機電路的一種主要技術,正在得到廣泛研究。本文首先總結了當前射頻接收機的幾種常用結構和主要的工作特性、參數(shù),然后介紹了三種最新的不同結構形式的CMOS射頻前端電路。
          • 關鍵字: 電路  系統(tǒng)  接收機  射頻  CMOS  CAN  

          基于CMOS圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng)設計

          • 為滿足納型衛(wèi)星的遙感系統(tǒng)要求, 設計了一套基于互補型金屬氧化物半導體CMOS 圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng), 采用PC 機模擬星上數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的功能, 通過控制器局域網(wǎng)CAN總線實現(xiàn)了對CMOS 相機的控制和圖像傳輸?shù)裙δ堋Mㄟ^熱循環(huán)實驗, 得到了該CMOS 相機平均暗輸出和暗不一致性隨溫度的變化曲線, 預測其適于在10~25 ℃的空間溫度環(huán)境中工作, 并可經(jīng)受- 25~60 ℃的衛(wèi)星艙內(nèi)溫度變化。
          • 關鍵字: CMOS  圖像傳感器  納型衛(wèi)星  遙感    

          DALSA與IBM等多方合作 創(chuàng)立新微電子創(chuàng)新中心

          •   日前,由謝布克大學、加拿大魁北克政府以及IBM(加拿大)和DALSA公司攜手成立的新微電子創(chuàng)新中心在加拿大魁北克Bromont高科技園區(qū)正式落成。該研究中心將對下一代硅片集成以及MEMS系統(tǒng)進行深入研究與開發(fā)。   新的微電子創(chuàng)新中心對于DALSA未來的發(fā)展尤為關鍵,尤其是在MEMS與WLP相關設備的安裝和未來操作職責上擔負主要角色。   Dalsa是一家MEMS、高壓CMOS和先進CCD制造代工廠。
          • 關鍵字: IBM  MEMS  CMOS  

          2009年全球圖像傳感器市場規(guī)模預測

          •   市場研究機構StrategiesUnlimited指出,全球圖像傳感器市場將在09年縮水11%,來到64億美元規(guī)模,不過接下來將逐漸恢復正常成長。該機構預期,未來數(shù)年該市場的平均年成長率會維持在個位數(shù);到09年為止,其十年來的復合年成長率高達22%。   圖像傳感器市場在2009年的衰退主要是受到全球經(jīng)濟景氣循環(huán)影響,而這樣的負面影響恐怕會持續(xù)下去,特別是在該市場因為幾乎所有手機都內(nèi)建相機而經(jīng)歷爆炸性成長之后。未來幾年,預計圖像傳感器的銷售量仍將呈現(xiàn)成長,但短期需求波動、供應過?;虺跃o,以及沉重的價
          • 關鍵字: CCD  傳感器  CMOS  

          基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescop

          • 近年來,軟件無線電(Software Radio)的技術受到廣泛的關注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣,但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高,技術上所限難以實現(xiàn),而多采用中頻采樣的方法。而對
          • 關鍵字: Telescopic  0.13  CMOS  工藝    

          高性能CMOS集成電壓比較器設計


          • 電壓比較器是對輸入信號進行鑒幅與比較的電路,其功能是比較一個模擬信號和另一個模擬信號(參考信號),并以輸出比較得到的二進制信號。其在A/D轉換器、數(shù)據(jù)傳輸器、切換功率調(diào)節(jié)器等設備中有著廣泛的應用。在
          • 關鍵字: CMOS  性能  集成  電壓比較器    

          耶魯大學與SRC公司聯(lián)合開發(fā)下一代內(nèi)存芯片技術FeDRAM

          •   SRC公司與耶魯大學的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著提高內(nèi)存芯片性能的新技術。這項技術使用鐵電體層來替換傳統(tǒng)內(nèi)存芯片中的電容結構作為基本的存儲 單元,科學家們將這種內(nèi)存稱為鐵電體內(nèi)存(FeDRAM),這種內(nèi)存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結構,不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質材料制作。   這種技術能使存儲單元的體積更小,信息的保存時間比傳統(tǒng)方式多1000倍左右,刷新的時間間隔可以更大,因此耗電量也更小,還可以像閃存芯片中那樣在一個存儲單元中存儲多位數(shù)據(jù)。此外,有關的制
          • 關鍵字: 內(nèi)存芯片  CMOS  FeDRAM  

          CMOS圖像傳感器集成A/D轉換器技術的研究

          • 片上集成A/D轉換器是CMOS圖像傳感器的關鍵部件,文章分析和比較了三類不同集成方式:芯片級,列級和象素級的原理,性能和特點。最后,展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉換器的未來發(fā)展趨勢。
          • 關鍵字: CMOS  圖像傳感器  集成  轉換器    

          國產(chǎn)芯片已達國際主流芯片品質

          •   今年國內(nèi)拉動內(nèi)需,特別是3G的啟動建設和FTTH進入實質性的發(fā)展階段,使光模塊市場一片紅火,預計今年我們可實現(xiàn)60%的業(yè)務增長。   由于對IC行業(yè)來說光通信市場不大,所以光收發(fā)IC芯片的供應商并不是很多,在國內(nèi)我們是第一家量產(chǎn)高速收發(fā)芯片的IC公司。   國內(nèi)芯片企業(yè)的優(yōu)勢主要是在成本上,研發(fā)成本、管理成本、銷售成本都比國外企業(yè)要低。對IC來說,基于同樣的工藝,制造成本幾乎是一樣的。要取得制造成本的優(yōu)勢必須發(fā)揮技術優(yōu)勢,采用相對低成本的工藝,做出同樣的產(chǎn)品性能。我們采用CMOS工藝的收發(fā)IC芯片
          • 關鍵字: 3G  CMOS  IC設計  FTTH  
          共936條 49/63 |‹ « 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 » ›|

          iso2-cmos介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條iso2-cmos!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對iso2-cmos的理解,并與今后在此搜索iso2-cmos的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門主題

          ISO2-CMOS    樹莓派    linux   
          關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();