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iso2-cmos
iso2-cmos 文章 進(jìn)入iso2-cmos技術(shù)社區(qū)
超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)
- 隨著筆記本電腦、手機(jī)、PDA 等移動(dòng)設(shè)備的普及,對(duì)應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來(lái)越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線性穩(wěn)壓器由于具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、低噪聲、
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 穩(wěn)壓器 線性 CMOS 超低
該如何避免軌到軌CMOS放大器的不穩(wěn)定性
- 關(guān)鍵字: CMOS,放大器
巧焊場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路
- 焊接絕緣柵(或雙柵)場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí),因其輸入阻抗很高、極間電容小,少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓,導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法,取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
- 關(guān)鍵字: CMOS 焊 場(chǎng)效應(yīng)管 集成電路
威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器
- 威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器,這是USB3.0技術(shù)時(shí)代業(yè)內(nèi)首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。 USB3.0(即超速USB)的最大數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)5Gbps,是現(xiàn)有USB2.0設(shè)備傳輸速度的10倍;此外,該技術(shù)還能提高外部設(shè)備與主機(jī)控制器之間的互動(dòng)功能,包括能耗管理上的重要改進(jìn)。 VIA VL810由威盛集團(tuán)全資子公司VIA Labs研發(fā),它實(shí)現(xiàn)在一個(gè)USB接口上連接多個(gè)設(shè)備從而擴(kuò)展了計(jì)算機(jī)的USB性能。一個(gè)輸出接口及四個(gè)輸入接口不僅支持高
- 關(guān)鍵字: 威盛 USB3.0 CMOS
IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)
- IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù),面向22nm及以下節(jié)點(diǎn)。 在IEDM會(huì)議上,IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(zhǎng),非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場(chǎng)效應(yīng)管,IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。 該ETSOI技術(shù)包含了幾項(xiàng)工藝創(chuàng)新,包括源漏摻雜外延淀積(無(wú)需離子注入),以及提高的源漏架構(gòu)。 該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的S
- 關(guān)鍵字: IBM CMOS 22nm SOC
10~37 GHz CMOS四分頻器的設(shè)計(jì)
- 1 引言
隨著通信技術(shù)的迅猛發(fā)展,人們對(duì)通信系統(tǒng)中單元電路的研究也越來(lái)越多。而分頻器廣泛應(yīng)用于光纖通信和射頻通信系統(tǒng)中,因此,高速分頻器的研究也日益受到關(guān)注。分頻器按實(shí)現(xiàn)方式可分為模擬和數(shù)字兩種。模 - 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 四分 CMOS GHz 光纖通信系統(tǒng) CMOS工藝 動(dòng)態(tài)負(fù)載鎖存器 分頻器
東芝20nm級(jí)體硅CMOS工藝獲突破
- 東芝公司今天在美國(guó)馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)議上宣布,其20nm級(jí)CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破,開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門,成為業(yè)界首個(gè)能夠投入實(shí)際生產(chǎn)的20nm級(jí)CMOS工藝。東芝表示,他們通過(guò)對(duì)晶體管溝道的摻雜材料進(jìn)行改善,實(shí)現(xiàn)了這次突破。 在傳統(tǒng)工藝中,由于電子活動(dòng)性降低,通常認(rèn)為體硅(Bulk)CMOS在20nm級(jí)制程下已經(jīng)很難實(shí)現(xiàn)。但東芝在溝道構(gòu)造中使用了三層材料,解決了這一問(wèn)題,成功實(shí)現(xiàn)了20nm級(jí)的體硅CMOS。這三層材料
- 關(guān)鍵字: 東芝 CMOS 20nm
0.6μm CMOS工藝全差分運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)
- 關(guān)鍵字: 運(yùn)算放大器 偏置電路 CMOS
iso2-cmos介紹
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