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          超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)

          •  隨著筆記本電腦、手機(jī)、PDA 等移動(dòng)設(shè)備的普及,對(duì)應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來(lái)越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線性穩(wěn)壓器由于具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、低噪聲、
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  穩(wěn)壓器  線性  CMOS  超低  

          巧焊場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路

          • 焊接絕緣柵(或雙柵)場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí),因其輸入阻抗很高、極間電容小,少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓,導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法,取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
          • 關(guān)鍵字: CMOS    場(chǎng)效應(yīng)管  集成電路    

          監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對(duì)比

          • CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡(jiǎn)稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
          • 關(guān)鍵字: 傳感器  對(duì)比  圖像  CCD  CMOS  監(jiān)控  

          監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器技術(shù)對(duì)比

          • CCD(ChargeCoupledDevice)圖像傳感器(以下簡(jiǎn)稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOSImageSensor以下簡(jiǎn)稱CIS)的主要...
          • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  CCD  圖像傳感器  CIS  

          威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器

          •   威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器,這是USB3.0技術(shù)時(shí)代業(yè)內(nèi)首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。   USB3.0(即超速USB)的最大數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)5Gbps,是現(xiàn)有USB2.0設(shè)備傳輸速度的10倍;此外,該技術(shù)還能提高外部設(shè)備與主機(jī)控制器之間的互動(dòng)功能,包括能耗管理上的重要改進(jìn)。   VIA VL810由威盛集團(tuán)全資子公司VIA Labs研發(fā),它實(shí)現(xiàn)在一個(gè)USB接口上連接多個(gè)設(shè)備從而擴(kuò)展了計(jì)算機(jī)的USB性能。一個(gè)輸出接口及四個(gè)輸入接口不僅支持高
          • 關(guān)鍵字: 威盛  USB3.0  CMOS  

          基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

          • 基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法,1. 引言

            對(duì)于需要大的片上存儲(chǔ)器的各種不同的應(yīng)用,F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲(chǔ)器陣列。通過(guò)不同的配置選擇,嵌入式存儲(chǔ)器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口,雙端口
          • 關(guān)鍵字: RAM  重構(gòu)  模塊  設(shè)計(jì)  方法  FPGA  平臺(tái)  0.13  微米  CMOS  工藝  

          一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護(hù)電路

          • 0 引 言
            隨著集成電路技術(shù)的廣泛應(yīng)用及集成度的不斷增加,超大規(guī)模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內(nèi)部的溫度不斷提高,溫度保護(hù)電路已經(jīng)成為了眾多芯片設(shè)計(jì)中必不可少的一部分。本文在CSMC 0.5/μm CMOS工藝下,
          • 關(guān)鍵字: 電路  保護(hù)  溫度  CMOS  功能  

          IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)

          •   IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù),面向22nm及以下節(jié)點(diǎn)。   在IEDM會(huì)議上,IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(zhǎng),非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場(chǎng)效應(yīng)管,IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。   該ETSOI技術(shù)包含了幾項(xiàng)工藝創(chuàng)新,包括源漏摻雜外延淀積(無(wú)需離子注入),以及提高的源漏架構(gòu)。   該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的S
          • 關(guān)鍵字: IBM  CMOS  22nm  SOC  

          兩種高頻CMOS壓控振蕩器的設(shè)計(jì)與研究

          • 鎖相環(huán)在通訊技術(shù)中具有重要的地位,在調(diào)制、解調(diào)、時(shí)鐘恢復(fù)、頻率合成中都扮演著不可替代的角色??煽卣袷幤魇擎i相環(huán)的核心部分。最近,鑒于對(duì)集成電路低功耗和高集成度的追求,越來(lái)越多的研究人員投人到基于CMOS工
          • 關(guān)鍵字: CMOS  高頻  壓控振蕩器    

          10~37 GHz CMOS四分頻器的設(shè)計(jì)

          東芝20nm級(jí)體硅CMOS工藝獲突破

          •   東芝公司今天在美國(guó)馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)議上宣布,其20nm級(jí)CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破,開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門,成為業(yè)界首個(gè)能夠投入實(shí)際生產(chǎn)的20nm級(jí)CMOS工藝。東芝表示,他們通過(guò)對(duì)晶體管溝道的摻雜材料進(jìn)行改善,實(shí)現(xiàn)了這次突破。   在傳統(tǒng)工藝中,由于電子活動(dòng)性降低,通常認(rèn)為體硅(Bulk)CMOS在20nm級(jí)制程下已經(jīng)很難實(shí)現(xiàn)。但東芝在溝道構(gòu)造中使用了三層材料,解決了這一問(wèn)題,成功實(shí)現(xiàn)了20nm級(jí)的體硅CMOS。這三層材料
          • 關(guān)鍵字: 東芝  CMOS  20nm  

          高性能片內(nèi)集成CMOS線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

          • 0 引言
            電源管理技術(shù)近幾年已大量應(yīng)用于便攜式和手提電源中。電源管理系統(tǒng)包括線性穩(wěn)壓器、開關(guān)穩(wěn)壓器和控制邏輯等子系統(tǒng)。本文主要針對(duì)低壓差線性穩(wěn)壓器進(jìn)行研究。低壓差線性穩(wěn)壓器是電源管理系統(tǒng)中的一個(gè)基
          • 關(guān)鍵字: 穩(wěn)壓器  設(shè)計(jì)  線性  CMOS  集成  高性能  
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          iso2-cmos介紹

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