jfet-mosfet 文章 進入jfet-mosfet技術社區(qū)
短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究
- 近年來隨著介觀物理和納米電子學對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結構，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會產(chǎn)生散粒噪聲，并且可能攜帶內(nèi)部結構的信息。這使人們對宏觀電子元器件中散粒噪聲研究產(chǎn)生了極大的興趣。另一方面，隨著器件尺寸的不斷縮小，MOSFET器件中散粒噪聲成分也越來越顯著，已經(jīng)嚴重影響器件以及電路的噪聲水平，人們必須要了解電子元器件中散粒噪聲的產(chǎn)生機理和特性，以便更好的抑制器件的散粒噪聲，實現(xiàn)器件和電路的
- 關鍵字： MOSFET
CISSOID 公司推出 HADES v2
- CISSOID公司推出第二代 HADES®，一款高度集成的隔離式柵極驅(qū)動器產(chǎn)品。HADES® 旨在面向基于快速開關碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統(tǒng)功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉換器、電機驅(qū)動器和致動器應用。憑借 CISSOID 產(chǎn)品無與倫比的耐用性，柵極驅(qū)動器 HADES® 在嚴酷的環(huán)境下可實現(xiàn)更高可靠性和更長的使用壽命，從而滿足系統(tǒng)設計者對航空、汽車、工業(yè)、石油和天然氣市場的應用需求。 HADES®包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種，前者可以在溫
- 關鍵字： CISSOID MOSFET
聯(lián)合收獲機凹板間隙調(diào)節(jié)系統(tǒng)研究
- 摘要：聯(lián)合收獲機凹板間隙的大小是影響聯(lián)合收獲機脫離質(zhì)量的關鍵因素之一，本文設計了一款基于聯(lián)合收獲機的凹板結構，通過控制線性驅(qū)動器對凹板間隙進行自動調(diào)節(jié)的系統(tǒng)，實現(xiàn)了聯(lián)合收獲機凹板間隙自動調(diào)節(jié)，通過試驗研究結果表明：該系統(tǒng)調(diào)節(jié)方便實用，且調(diào)節(jié)精度在5%以內(nèi)。 引言 谷物聯(lián)合收獲機的作業(yè)性能指標，主要包括總損失率、破損率和含雜率等。脫粒與分離滾筒是谷物聯(lián)合收獲機的重要工作部件。脫粒與分離滾筒由高速旋轉的滾筒和固定的弧型凹板配合，使谷物從滾筒與凹板之問通過，經(jīng)脫粒元件的打擊、揉搓、碾壓和梳刷，通
- 關鍵字： 凹板間隙 CAN PWM MOSFET BTS7960 201504
打造合作共贏面向世界的創(chuàng)新模式
- 摘要：本文通過對大唐恩智浦訪問，分析國產(chǎn)汽車電子現(xiàn)狀以及分析未來汽車電子發(fā)展現(xiàn)狀。 中國看世界，汽車電子是一個經(jīng)久不衰的市場;而世界也在看中國, 中國是否已準備好在這個市場上大展宏圖?中國首個汽車半導體設計合資公司成立一年了，名稱為“大唐恩智浦半導體有限公司”(Datang NXP Semiconductors Co. Ltd.以下簡稱：大唐恩智浦)，占盡著天時、地利、人和，如何通過建立起新型合作模式，用全球的視角去贏取市場呢?通過與總經(jīng)理張鵬崗的交流，使筆者對其創(chuàng)新理念
- 關鍵字： 大唐恩智浦 MOSFET 汽車電子 201504
繼電器相關技術文獻及應用電路設計匯總
- 繼電器是一種電控制器件，是當輸入量(激勵量)的變化達到規(guī)定要求時，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路)之間的互動關系。通常應用于自動化的控制電路中，它實際上是用小電流去控制大電流運作的一種“自動開關”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護、轉換電路等作用。 極限條件下的時間繼電器設計方案 時間繼電器是一種使用在較低的電壓或較小電流的電路上，用來接通或切斷較高電壓、較大電流的電路的電氣元件，也許可
- 關鍵字： PIC18F6585 MOSFET
一種軟啟動與防反接保護電路
- 摘要：在很多消費電子設備中用到了軟啟動電路與防反接電路，其保護作用非常顯著。多數(shù)的設計中，這兩種電路獨立存在，或者僅有一種保護電路，導致部分保護功能缺失或者電路設計復雜。本設計提出一種設計方法，同時實現(xiàn)軟啟動與防反接保護功能，且電路簡單。 軟啟動與防反接保護電路對電子設備有很好的保護作用，由于消費電子客戶存在多次開關機的應用場景和輸入接反的可能性。但是由于成本與電路設計的復雜性，很多設計中只提供了一種保護電路。本文基于提供全面保護與降低成本、降低設計復雜性的角度，提出一種電路，整合了軟啟動與防反
- 關鍵字： 保護電路 軟啟動 繼電器 MOSFET 反接電路 二極管 201503
一種高性能可智能控制型LED路燈驅(qū)動電源的設計
- 摘要：本文針對傳統(tǒng)驅(qū)動電源電能損耗大、效率和智能化程度低的缺點，設計了一款適用于大功率LED路燈的高性能可智能控制型驅(qū)動電源。本文選擇了多級驅(qū)動方案，即功率因數(shù)校正(PFC)電路、LLC諧振控制電路和多路恒流輸出的三級式結構。本文采用合理的設計，優(yōu)化了功率校正因數(shù)，增大了輸入電壓范圍，提高了整機效率，使輸出電流在全負載范圍內(nèi)更加穩(wěn)定，同時增加了PWM調(diào)光控制功能，可根據(jù)外界環(huán)境的變化智能控制LED路燈的亮度，從而達到進一步節(jié)能減排的效果。 引言 由于具有高光效、長壽命、燈具效率高、環(huán)保和易
- 關鍵字： LED 驅(qū)動電源 PFC LLC PWM MOSFET 201503
意法半導體(ST)擴大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，為更多應用帶來寬帶隙技術優(yōu)勢
- 意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應用帶來技術優(yōu)勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發(fā)電、高能效驅(qū)動器、電源以及智能電網(wǎng)設備。 意法半導體是業(yè)界少數(shù)具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導體研發(fā)的領導廠商之一，并始終致力于技術的研發(fā)與升級。這次推出的1200V SCT20N120進一步擴大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，具有小于290m?的通態(tài)電阻 (RDS(ON
- 關鍵字： 意法半導體 SCT20N120 MOSFET
德州儀器推出NexFET? N溝道功率MOSFET 可實現(xiàn)業(yè)界最低電阻
- 日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。此外，TI面向低電壓電池供電型應用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實現(xiàn)了比同類競爭器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設計，敬請訪問：www.ti.co
- 關鍵字： 德州儀器 MOSFET CSD16570Q5B
jfet-mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條jfet-mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對jfet-mosfet的理解，并與今后在此搜索jfet-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對jfet-mosfet的理解，并與今后在此搜索jfet-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
jfet-mosfet相關帖子
jfet-mosfet資料下載
jfet-mosfet專欄文章
熱門主題
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473