jfet-mosfet 文章進(jìn)入jfet-mosfet技術(shù)社區(qū)

性?xún)r(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

　　Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng)，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢(shì)。　　SiC與Si性能對(duì)比　　簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)為:擊穿電壓強(qiáng)度高(10倍于S
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Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應(yīng)用

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)，能夠通過(guò)以太網(wǎng)線(xiàn)纜向無(wú)線(xiàn)接入點(diǎn)、VoIP網(wǎng)絡(luò)電話(huà)、銷(xiāo)售點(diǎn)終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控鏡頭及樓房管理設(shè)備等終端應(yīng)用供電。　　在局域網(wǎng)路由器及中跨設(shè)備等供電設(shè)備內(nèi)，100V N通道MOSFET把電源接到五類(lèi)或六類(lèi)網(wǎng)線(xiàn)。然后網(wǎng)線(xiàn)就會(huì)借由消除供終端設(shè)備內(nèi)的電源降低成本，并提供電力和數(shù)據(jù)。該器件還保障了終端用戶(hù)，因?yàn)橐蕴W(wǎng)
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用于功率開(kāi)關(guān)的電阻-電容(RC)緩沖電路設(shè)計(jì)

　　功率開(kāi)關(guān)是所有功率轉(zhuǎn)換器的核心組件。功率開(kāi)關(guān)的工作性能直接決定了產(chǎn)品的可靠性和效率。若要提升功率轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)電路的性能，可在功率開(kāi)關(guān)上部署緩沖器，抑制電壓尖峰，并減幅開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)電路電感產(chǎn)生的振鈴。正確設(shè)計(jì)緩沖器可提升可靠性和效率，并降低EMI。在各種不同類(lèi)型的緩沖器中，電阻電容(RC)緩沖器是最受歡迎的緩沖器電路。本文介紹功率開(kāi)關(guān)為何需要使用緩沖器。此外還提供一些實(shí)用小技巧，助您實(shí)現(xiàn)最優(yōu)緩沖器設(shè)計(jì)。　　　　圖1：四種基本的功率開(kāi)關(guān)電路　　有多種不同的拓?fù)溆糜诠β兽D(zhuǎn)換器、
關(guān)鍵字：功率開(kāi)關(guān) MOSFET

學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來(lái)的

　　簡(jiǎn)介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結(jié)!希望大家堅(jiān)持下去! 　　1、CS單管放大電路　　共源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線(xiàn)性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線(xiàn)可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號(hào)放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線(xiàn)性特性，并且實(shí)現(xiàn)信號(hào)的最大限度放大【理想條件下】
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

　　摘要：本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。　　關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI　　金升陽(yáng)R3 　　一、引言　　MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問(wèn)題，導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗
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Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機(jī)電源帶來(lái)革命性變化

　　關(guān)注高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級(jí)反饋檢測(cè)控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調(diào)整率，同時(shí)提供全面的輸入電壓保護(hù)和即時(shí)動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術(shù)，可設(shè)計(jì)出無(wú)需光耦的高效率、高精度和
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意法半導(dǎo)體（ST）的先進(jìn)60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETs STripFET™ F7系列將新增60V的產(chǎn)品線(xiàn)，可協(xié)助電信、服務(wù)器和臺(tái)式PC機(jī)的電源以及工業(yè)電源和太陽(yáng)能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉(zhuǎn)換器達(dá)到嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，最大限度提升電源功率密度。　　STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導(dǎo)通能效和開(kāi)關(guān)性能，還簡(jiǎn)化了通道間的槽柵結(jié)構(gòu)(trench-gate structure)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻、電容和柵電荷量，并取得
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全新英飛凌功率MOSFET系列使電動(dòng)工具更緊湊耐用

　　DIY工具，比如無(wú)線(xiàn)電鉆和電鋸必須方便使用且經(jīng)久耐用。因此，其所用的電子元件必須緊湊、堅(jiān)固。英飛凌科技股份公司擴(kuò)展StrongIRFET™ Power MOSFET產(chǎn)品系列，推出同時(shí)滿(mǎn)足緊湊和耐用要求的解決方案。新推出的邏輯電平 StrongIRFET™ 器件可以直接由單片機(jī)驅(qū)動(dòng)，節(jié)省空間和降低成本。此外，StrongIRFET™十分堅(jiān)固耐用，幫助延長(zhǎng)電子產(chǎn)品的使用壽命。　　經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)證明StrongIRFET系列器件能夠最大限度提高電動(dòng)工具的能效。這次邏輯電
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e絡(luò)盟為醫(yī)療、消費(fèi)電子及可替代能源等應(yīng)用領(lǐng)域新增五款業(yè)內(nèi)首選的威世Super 12系列創(chuàng)新產(chǎn)品

　　e絡(luò)盟日前宣布新增多款來(lái)自全球半導(dǎo)體和分立器件領(lǐng)先供應(yīng)商威世2015 Super 12系列的創(chuàng)新型無(wú)源元件和半導(dǎo)體產(chǎn)品，其中包括電容、電阻及MOSFET，適用于醫(yī)療、消費(fèi)電子、可替代能源、工業(yè)、電信、計(jì)算及汽車(chē)電子等各種應(yīng)用領(lǐng)域。　　e絡(luò)盟大中華區(qū)區(qū)域銷(xiāo)售總監(jiān)朱偉弟表示：“e絡(luò)盟擁有來(lái)自全球領(lǐng)先供應(yīng)商的豐富產(chǎn)品系列，可充分滿(mǎn)足廣大用戶(hù)對(duì)最新技術(shù)的需求，幫助他們進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與制造。此次新增的幾款威世Super 12系列創(chuàng)新型產(chǎn)品均為全球最佳產(chǎn)品。用戶(hù)可通過(guò)e絡(luò)盟升級(jí)版網(wǎng)站，更加快捷地查看
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Fairchild推出業(yè)內(nèi)首款8x8 Dual Cool封裝的中壓MOSFET

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行業(yè)領(lǐng)先的中壓MOSFET產(chǎn)品，采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換工程師替換體積大的D2-PAK封裝提供了卓越的產(chǎn)品，在尺寸縮減了一半的同時(shí)，提供了更高功率密度和更佳效率，且通過(guò)在封裝上下表面同時(shí)流動(dòng)的氣流提高了散熱性能。　　Castle Creations, Inc首席執(zhí)行官Patrick Castillo說(shuō)：“在我們?yōu)槊恳晃?/li>
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專(zhuān)利設(shè)計(jì)發(fā)功　ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET

　　SiC-MOSFET技術(shù)新突破。羅姆半導(dǎo)體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立完整量產(chǎn)機(jī)制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導(dǎo)通電阻，大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)用變流器等設(shè)備的功率損耗。　　羅姆半導(dǎo)體功率元件制造部部長(zhǎng)伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)專(zhuān)利，目前已開(kāi)始量產(chǎn)。　　羅姆半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)支援部課長(zhǎng)蘇建榮表示，相對(duì)于Si-IGBT，SiC
關(guān)鍵字： ROHM SiC-MOSFET

高頻開(kāi)關(guān)電源原理

　　導(dǎo)讀：本文主要介紹的是高頻開(kāi)關(guān)電源的原理，感興趣的盆友們快來(lái)學(xué)習(xí)一下吧~~~很漲姿勢(shì)的哦~~~ 1.高頻開(kāi)關(guān)電源原理--簡(jiǎn)介　　高頻開(kāi)關(guān)電源，其英文名稱(chēng)為Switching Mode Power Supply，又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器以及開(kāi)關(guān)型整流器SMR，它是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓，透過(guò)不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶(hù)端所需求的電壓或電流。它主要是通過(guò)MOSFET或IGBT的高頻工作，開(kāi)關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。 2.高頻開(kāi)關(guān)電源原
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源 MOSFET 高頻開(kāi)關(guān)電源原理

一款專(zhuān)為SiC Mosfet設(shè)計(jì)的DC-DC模塊電源

　　SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開(kāi)關(guān)的特質(zhì)，極大地提升了太陽(yáng)能逆變器的電源轉(zhuǎn)換效率，拉長(zhǎng)新能源汽車(chē)的可跑里程，應(yīng)用在高頻轉(zhuǎn)換器上，為重型電機(jī)、工業(yè)設(shè)備帶來(lái)高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢(shì)。。。。。。。據(jù)調(diào)查公司Yole developmet統(tǒng)計(jì)，SiC Mosfet現(xiàn)有市場(chǎng)容量為9000萬(wàn)美元，估計(jì)在2013-2020年SiC Mosfet市場(chǎng)將每年增長(zhǎng)39%。由此可預(yù)見(jiàn)，SiC即將成為半導(dǎo)體行業(yè)的新寵! 　　SiC Mosfet對(duì)比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢(shì)：　　i. 低導(dǎo)通電阻RDS
關(guān)鍵字： SiC Mosfet DC-DC

世界首家！ROHM開(kāi)始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日于世界首家開(kāi)發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。　　另外，此次開(kāi)發(fā)的SiC-MOSFET計(jì)劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為
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Diodes優(yōu)化互補(bǔ)式MOSFET提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補(bǔ)式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設(shè)計(jì)針對(duì)負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器，為專(zhuān)用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標(biāo)應(yīng)用包括以太網(wǎng)絡(luò)控制器、路由器、網(wǎng)絡(luò)接口控制器、交換機(jī)、數(shù)字用戶(hù)線(xiàn)路適配器、以及服務(wù)器和機(jī)頂盒等設(shè)備的處理器。　　降壓轉(zhuǎn)換器可利用獨(dú)立的脈沖寬度調(diào)制控制器及外部MOSFET來(lái)提升設(shè)計(jì)靈活性，
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET