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SiC主驅(qū)逆變器讓電動(dòng)汽車延長(zhǎng)5%里程的秘訣
- 不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識(shí)/環(huán)境法規(guī)約束,以及越來(lái)越豐富的可選方案,都在推動(dòng)著人們選用電動(dòng)汽車 (EV),令電動(dòng)汽車日益普及。高盛近期的一項(xiàng)研究顯示,到 2023 年,電動(dòng)汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%;到 2030 年,預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至 30%;到 2035 年,電動(dòng)汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而,“里程焦慮”,也就是擔(dān)心充一次電后行駛里程不夠長(zhǎng),則是影響電動(dòng)汽車普及的主要障礙之一。克服這一問題的關(guān)鍵是在不顯著增加成本的情況下延長(zhǎng)車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化
- 關(guān)鍵字: 電動(dòng)汽車 逆變器 SiC MOSFET
SiC MOSFET 器件特性知多少?
- 對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事,即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用,但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢,因此僅限用于較低的工作頻率。因此,硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作,而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件,能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET IGBT WBG
為敏感電路提供過(guò)壓及電源反接保護(hù)!
- 假如有人將24V電源連接到您的12V電路上,將發(fā)生什么?倘若電源線和接地線因疏忽而反接,電路還能安然無(wú)恙嗎?您的應(yīng)用電路是否工作于那種輸入電源會(huì)瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴(yán)酷環(huán)境中?即使此類事件的發(fā)生概率很低,但只要出現(xiàn)任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負(fù)電源電壓,設(shè)計(jì)人員慣常的做法是布設(shè)一個(gè)與電源相串聯(lián)的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級(jí)空間,又會(huì)在高負(fù)載電流下消耗大量的功率?!?P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯(lián)二極管,但 MOSFET 以及所需的
- 關(guān)鍵字: MOSFET 二極管 LTC4365
了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)
- Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品性能和先進(jìn)的技術(shù),在高壓(HV)分立Si MOSFET市場(chǎng)具有領(lǐng)導(dǎo)地位,特別是在1700V以上產(chǎn)品,包括電壓阻斷能力高達(dá)4700V的器件,能夠支持客戶開發(fā)需求嚴(yán)苛的應(yīng)用。Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品性能和先進(jìn)的技術(shù),在高壓(HV)分立Si MOSFET市場(chǎng)具有領(lǐng)導(dǎo)地位,特別是在1700V以上產(chǎn)品,包括電壓阻斷能力高達(dá)4700V的器件,能夠支持客戶開發(fā)需求嚴(yán)苛的應(yīng)用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
- 關(guān)鍵字: Littelfuse MOSFET
適用于熱插拔應(yīng)用的具有導(dǎo)通電阻的高效 MOSFET
- 熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源;這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的負(fù)載電流,從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外,電纜寄生電感上的電壓變化會(huì)引起電壓尖峰,從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源;這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的負(fù)載電流,從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外,電纜寄生電感上的電壓變化會(huì)引起電壓尖峰,從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。簡(jiǎn)介熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源;這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的
- 關(guān)鍵字: MOSFET 導(dǎo)通電阻
onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器
- 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動(dòng)器,專為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計(jì)。其特性包括互補(bǔ)的輸入端(IN+ 和 IN-)、漏極開路或故障偵測(cè)功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ,其中DESAT 時(shí)的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低驅(qū)動(dòng)器輸出(OUTH 和 OUTL)皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)及開發(fā)。 NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
- 關(guān)鍵字: NCD57000 驅(qū)動(dòng)器 IGBT MOSFET onsemi 馬達(dá)控制
如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET
- 碳化硅(SiC MOSFET)和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用,但對(duì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護(hù)、精準(zhǔn)的短路保護(hù)、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能,為新一代的功率器件保駕護(hù)航。EiceDRIVER?增強(qiáng)型1ED34X1主要特色:●? 單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達(dá)2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護(hù)、
- 關(guān)鍵字: MOSFET EiceDRIVER MOSFET
100W MOSFET功率放大器電路
- 我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)使用 MOSFET 的功率放大電路,可產(chǎn)生 100W 的輸出功率,驅(qū)動(dòng)約 8 歐姆的負(fù)載。 所設(shè)計(jì)的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點(diǎn)。工作原理:該電路采用多級(jí)功率放大原理,包括前置放大器、驅(qū)動(dòng)器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器,驅(qū)動(dòng)級(jí)是帶有電流鏡負(fù)載的差分放大器,功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比,MOSFET 具有驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點(diǎn)。前置放大器由兩級(jí)差分放大器電路組成,用于產(chǎn)生無(wú)噪聲放大信號(hào)
- 關(guān)鍵字: 功率放大器 MOSFET
高性能 SiC MOSFET 技術(shù)裝置設(shè)計(jì)理念
- 合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度,以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求,而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大改變。然而,關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻,與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù),還可以添加更多參數(shù)。合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度,以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求,而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大改變。然而,關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻,與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù),還可以添加更多參數(shù)。圖 1:必須與 SiC MOSF
- 關(guān)鍵字: MOSFET
全球SiC爭(zhēng)霸賽,誰(shuí)在豪擲千金?
- “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國(guó)家,將能夠改變游戲規(guī)則,擁有SiC將對(duì)美國(guó)具有深遠(yuǎn)的影響?!?Alan Mantooth 接受媒體采訪時(shí)坦言道。2021年10月,由Alan Mantooth 領(lǐng)導(dǎo)的工程研究人員從美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金(NSF)獲得了1787萬(wàn)美元的資助,用于在阿肯色大學(xué)開始建設(shè)一個(gè)國(guó)家級(jí)SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國(guó)學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓(xùn)和教育,以達(dá)到鼓勵(lì)美國(guó)新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的,此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線,能夠讓美國(guó)大學(xué),企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長(zhǎng)期
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET 功率損耗 碳中和
英飛凌高壓超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品新增工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)器件
- 【2023年7月27日,德國(guó)慕尼黑訊】在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中,電源設(shè)計(jì)側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì),同時(shí)以低成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。為滿足新一代解決方案的需求,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)(SJ)MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源(SMPS)、太陽(yáng)能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器(SSR)、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器(PLC)、照明控制、高壓電子保險(xiǎn)絲/電子斷路器
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 高壓超結(jié) MOSFET
如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)?這款I(lǐng)C方案推薦給您
- 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡(jiǎn)稱“SiC”)MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫茲)開關(guān),但它們不能用于非常高的電壓(>1000 V)。而IGBT雖然可以在高壓下使用,但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美,可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而,SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后,設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
- 關(guān)鍵字: 安森美 MOSFET
ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積!
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1,開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。近年來(lái),為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì),對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對(duì)這種需求,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而,與Si MOSFET相
- 關(guān)鍵字: ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品
- 功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中,發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而,在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中,當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí),功率MOSFET需要作為?!伴_”開關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET,稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中,發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而,在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中,當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零
- 關(guān)鍵字: MOSFET MOS
安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級(jí)到 800V 電池架構(gòu)
- 自電動(dòng)汽車 (EV) 在汽車市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來(lái),電動(dòng)汽車制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長(zhǎng)行駛里程,電動(dòng)汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而,電池越大,意味著充電的時(shí)間就越長(zhǎng)。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對(duì)電動(dòng)汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車充滿電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁,如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC),那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì)成為
- 關(guān)鍵字: 安森美 MOSFET 車載充電器
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