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瑞薩電子推出具有大電流和低功率的半導(dǎo)體器件
- 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子公司（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布開發(fā)面向消費(fèi)類產(chǎn)品（如無線電動(dòng)工具和電動(dòng)自行車）中電機(jī)驅(qū)動(dòng)的100A大電流功率MOSFET，以便加強(qiáng)公司的整個(gè)功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍，其中3款新產(chǎn)品（包括N0413N）具有40V的電壓容差，而另外3款新產(chǎn)品（包括N0601N）具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的功率損耗水平，是延長電池壽命的理性之選。
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 MOSFET N0413N
高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
- 從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大70%以上，與此同時(shí)，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長足的進(jìn)展
- 關(guān)鍵字： 安森美半導(dǎo)體 MOSFET
IR推出微電子繼電器設(shè)計(jì)師手冊(cè)以簡化選型和電路設(shè)計(jì)
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設(shè)計(jì)師手冊(cè)，內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應(yīng)用手冊(cè)、數(shù)據(jù)資料和設(shè)計(jì)技巧等。 IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎(chǔ)的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎(chǔ)的器件是理想的固態(tài)繼電器，能把AC 和 DC 負(fù)載和感測(cè)信號(hào)從幾毫安轉(zhuǎn)換成幾百瓦，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、測(cè)試設(shè)備、外圍電信設(shè)備、電腦外設(shè)
- 關(guān)鍵字： IR 微電子繼電器 MOSFET
IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個(gè)采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET? MOSFET，為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案，這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、直流電動(dòng)機(jī)、無線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET
IR推出堅(jiān)固的新系列40V至75V車用MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字： IR 柵級(jí)驅(qū)動(dòng) MOSFET
Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機(jī)損耗
- Diodes 公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET DMC4040SSD
Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機(jī)損耗
- Diodes 公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。
- 關(guān)鍵字： Diodes DMC4040SSD MOSFET
說出你的故事：中國IC設(shè)計(jì)及應(yīng)用創(chuàng)新案例
- 現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認(rèn)為，企業(yè)家的職能就是實(shí)現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進(jìn)生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤，因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧，幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號(hào)。 不僅業(yè)內(nèi)企業(yè)在摸索和實(shí)踐著創(chuàng)新，作為“深圳(國際)集成電路技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用展覽會(huì)”的組織機(jī)構(gòu)——深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)也在積極行動(dòng)。他們?cè)谏钊胝{(diào)研了
- 關(guān)鍵字： IC設(shè)計(jì) MOSFET 音頻解碼器
IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場(chǎng)
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
- 關(guān)鍵字： IR HEXFET MOSFET
2011年中國功率MOSFET市場(chǎng)放緩的兩個(gè)因素
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場(chǎng)快速增長，銷售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。 直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級(jí)而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)?！?/li>
- 關(guān)鍵字： MOSFET DC-DC轉(zhuǎn)換器
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