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jfet-mosfet 文章進(jìn)入jfet-mosfet技術(shù)社區(qū)

英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

　　英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。　　
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

安森美半導(dǎo)體推出6款單通道功率MOSFET

　　應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出6款新的通過AEC-Q101認(rèn)證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。　　
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET

IR推出車用平面MOSFET系列

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應(yīng)用。　　
關(guān)鍵字： IR MOSFET

在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗

摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率，設(shè)計(jì)者必須選擇低開關(guān)損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言　　在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，效率是一個(gè)關(guān)鍵性的參
關(guān)鍵字：減少開關(guān) 損耗 MOSFET 新型變換器利用升壓

安森美半導(dǎo)體推出六款汽車用功率MOSFET器件

六款新的邏輯電平功率MOSFET通過AEC-Q101認(rèn)證，采用小型扁平引腳封裝，兼具大額定電流及低導(dǎo)通阻抗，針對汽車...
關(guān)鍵字： MOSFET 安森美半導(dǎo)體

UniFET?II MOSFET功率轉(zhuǎn)換器[飛兆半導(dǎo)體]

開關(guān)電源的設(shè)計(jì)人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildS...
關(guān)鍵字： UniFET MOSFET 消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器飛兆半導(dǎo)體

電源設(shè)計(jì)小貼士 28：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 1 部分

在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。
關(guān)鍵字：溫升 1部分 MOSFET 估算設(shè)計(jì) 電源 TI 德州儀器

電源設(shè)計(jì)小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 2 部分

在本《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計(jì)小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性
關(guān)鍵字：溫升 2部分 MOSFET 估算設(shè)計(jì) 電源 TI 德州儀器

估算熱插拔MOSFET溫升的方案

　本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。
關(guān)鍵字： MOSFET 熱插拔方案

估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升

在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電...
關(guān)鍵字： MOSFET 溫升

MOSFET雪崩能量的應(yīng)用考慮

　在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中
關(guān)鍵字：考慮應(yīng)用能量雪崩 MOSFET

MOSFET雪崩能量與器件熱性能和工作狀態(tài)相關(guān)性能

關(guān)鍵字：雪崩能量熱性能電源系統(tǒng) MOSFET

國際整流器公司擴(kuò)大汽車專用MOSFET 組合

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應(yīng)用。　　
關(guān)鍵字： IR MOSFET

RF功率MOSFET產(chǎn)品及工藝

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： 3G MOSFET RF功率放大器 RF

恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET

　　恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時(shí)僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專門針對高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器。　　技術(shù)要點(diǎn)：　　&mi
關(guān)鍵字：恩智浦 MOSFET

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