l-mos 文章進(jìn)入l-mos技術(shù)社區(qū)

功率MOS管損壞的典型

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引
關(guān)鍵字： MOS

巧用MOS管的體二極管

用過MOS管的小伙伴都知道，其內(nèi)部有一個(gè)寄生二極管，有的也叫做體二極管。PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時(shí)體二極管是截至狀態(tài)的。用過MOS管的小伙伴都知道，其內(nèi)部有一個(gè)寄生二極管，有的也叫做體二極管。1、PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時(shí)體二極管是截至狀
關(guān)鍵字： MOS 二極管

世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案

安森美GAN_Fet驅(qū)動(dòng)方案(NCP51820)。數(shù)十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，它們具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個(gè)化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器
關(guān)鍵字： NCP51820 安森美半導(dǎo)體電源供應(yīng)器 GaN MOS Driver

放大器設(shè)計(jì)：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別

晶體管是一個(gè)簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個(gè)簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動(dòng)作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇泶蜷_或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設(shè)計(jì)很有用。晶體管是一個(gè)簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有
關(guān)鍵字：放大器晶體管 MOS BJT

RS瑞森半導(dǎo)體高壓MOS在開關(guān)電源中的應(yīng)用

開關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開關(guān)管，控制其關(guān)斷開啟時(shí)間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。開關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開關(guān)管，控制其關(guān)斷開啟時(shí)間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。在目前電子產(chǎn)品的飛速增長中，開關(guān)電源憑借其70%~
關(guān)鍵字：瑞森半導(dǎo)體 MOS 開關(guān)電源

TP4054 TP4056 TP4057專業(yè)電源管理IC MOS

極限TP4057充電模塊TP4057是一款單節(jié)鋰電池專用的恒流/恒壓線性充電IC,其內(nèi)部帶有電池反接保護(hù)及防倒充電路。該充電IC的工作電壓范圍為4～6V,靜態(tài)工作電流僅有40μA模塊尺寸8x10mm。集成鋰電保護(hù)和指示燈?？勺鳛镾MT貼片模塊使用貼裝在其他主板上
關(guān)鍵字：充電IC TP4054 TP4056 TP4057 電源管理IC MOS

基于英飛凌數(shù)位半橋返馳式(XDPS2201)+賽普拉斯通訊協(xié)議(CYPD3174) 之 65W PD充電器方案

隨著USB PD產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用與普及化，Infineon推出全新數(shù)位共振返馳式PWM電源控制芯片，此一架構(gòu)除較現(xiàn)行客戶常使用之ACF架構(gòu)更具競爭力，在電路設(shè)計(jì)上相對容易，還可減少元件數(shù)量，且數(shù)位化的設(shè)計(jì)界面可滿足不同輸出瓦數(shù)的產(chǎn)品應(yīng)用，提高在設(shè)計(jì)上的靈活度與可靠性。同時(shí)搭配Cypress PD控制芯片，借由數(shù)位控制與參數(shù)設(shè)定功能來改變輸出電壓，藉以符合各種不同產(chǎn)品的應(yīng)用。同時(shí)Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片，可大幅度提高效率與功率密度的表現(xiàn)，更可以減少客戶的產(chǎn)品設(shè)計(jì)與開發(fā)
關(guān)鍵字： Infineon Mos Charger AdapterXDPS2201 CYPD3174

MOS管的Miller 效應(yīng)

本文對于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動(dòng)。01 Miller效應(yīng)一、簡介MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開關(guān)電路中，延長開關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。下面波形是在博文 ZVS振蕩電路工作原理分析[1] 中觀察到振蕩 MOS 管柵極電壓與漏極電壓波形?？梢钥吹綎艠O電壓在上升階段具有一個(gè)平坦的小臺階。這就是彌勒效應(yīng)所帶來的 MOS 管驅(qū)動(dòng)電壓波
關(guān)鍵字： MOS Miller

場效應(yīng)管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開關(guān)導(dǎo)通

1、放大電路場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn)，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場效應(yīng)管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計(jì)量測試應(yīng)用很廣泛，如下圖是主要是由場效應(yīng)管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調(diào)標(biāo)尺工序。由于場
關(guān)鍵字： MOSFET MOS 場效應(yīng)管

開關(guān)電源MOS管有哪些損耗，如何減少M(fèi)OS管損耗

一、什么是開關(guān)電源開關(guān)模式電源（SwitchModePowerSupply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓，透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關(guān)電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備，例如個(gè)人電腦，而開關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。二、開關(guān)損耗開關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。1、導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 MOS MOSFET

模電設(shè)計(jì)的九個(gè)級別，你到哪個(gè)段位了？

模擬電路設(shè)計(jì)的九個(gè)級別，類似下圍棋的段位。請從一段到九段仔細(xì)閱讀，看看自己處于什么水平，值得一看哦~
關(guān)鍵字：模電模擬電路 MOS

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動(dòng)器。除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預(yù)測性離散建模可以進(jìn)行系統(tǒng)級仿真
關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS

超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA

繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后，為滿足客戶更廣的應(yīng)用范圍及更低的價(jià)格需求，金升陽推出超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS且性價(jià)比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應(yīng)用于中小功率AC/DC反激式開關(guān)電源的高性能電流模式PWM控制器，內(nèi)置高壓功率MOS，最大輸出功率達(dá)20W，待機(jī)功耗＜75mW，具有極低的啟動(dòng)電流和工作電流，可在實(shí)現(xiàn)低的損耗的同時(shí)保證可靠啟動(dòng)。芯片滿載工作時(shí)，PWM開關(guān)頻率固定；降低負(fù)載后，進(jìn)入綠色模式，開關(guān)頻率降低；在空載和輕載時(shí)，
關(guān)鍵字： EMI PWM MOS

靜態(tài)電流8mA！小體積RS485隔離收發(fā)模塊——TD5(3)31S485-L、TD5(3)21D485-L系列

一、產(chǎn)品簡介低功耗產(chǎn)品意味著損耗小，尤其在電池供電場合優(yōu)勢凸顯（如礦井監(jiān)控系統(tǒng)），同時(shí)低功耗可以提高系統(tǒng)的抗干擾能力，提高整機(jī)設(shè)備的可靠性。金升陽近期推出低功耗、高可靠、小體積RS485隔離收發(fā)模塊——TD5(3)31S485-L、TD5(3)21D485-L系列，靜態(tài)電流低至8mA，滿足煤礦、儀器儀表等對功耗要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場景。該系列產(chǎn)品的加工采用全貼片工藝，客戶可輕松實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化加工，大大降低生產(chǎn)成本。SMD封裝產(chǎn)品的體積L*W*H＝17.00*12.14*9.45(mm)，DIP封裝產(chǎn)品體積L*W*H
關(guān)鍵字： TD5(3)31S485-L TD5(3)21D485-L系列