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          從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-1
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在下面的兩個(gè)帖子當(dāng)中，我將簡短地介紹構(gòu)成CPU的零件，一種晶體管。我將展示如何完成最簡單的設(shè)計(jì)，這相當(dāng)于IC設(shè)計(jì)中的Hello world，并且略微提到Hello world的幾種變體。
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          • 關(guān)鍵字：
                        CPU  IC設(shè)計(jì)  單晶硅  MOS  硅                          
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          L-DACS1 中多速率卷積編碼器的設(shè)計(jì)與FPGA 實(shí)現(xiàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 引言為了解決地-空的數(shù)據(jù)傳輸業(yè)務(wù)增長而帶來的高通信速度要求和高寬帶要求問題，國際民航組織(ICAO)要求民航...
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          • 關(guān)鍵字：
                        L-DACS1  編碼器  FPGA                          
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          車載筆記本電源的設(shè)計(jì)制作
          
                                                            
            
                    	
          • 此電源有兩種，輸入電壓不同分為12V和24V兩種，輸出電壓均為19V。一、12V轉(zhuǎn)19V電路電路如上圖，此電路屬升壓型...
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          • 關(guān)鍵字：
                        車載筆記本  MOS  IC器件                          
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          SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較
          
                                                            
            
                    	
          • 引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu)，稱為...
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          • 關(guān)鍵字：
                        SJ-MOS  VDMOS                          
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          X-FAB發(fā)表XT018獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(yīng)(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
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          • 關(guān)鍵字：
                        X-FAB  XT018  MOS                          
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          Vishay為L-NS系列低阻值表面貼裝薄膜片式電阻擴(kuò)充外形尺寸
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用0508、0612和1225外形尺寸的新款器件，擴(kuò)充其L-NS系列低阻值表面貼裝薄膜片式電阻。新器件采用Wraparound端子和鋁襯底，兼具0.03?的低阻值和2W的功率處理能力。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  L-NS                          
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          舞臺(tái)功放MOS管改裝介紹
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
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          • 關(guān)鍵字：
                        介紹  改裝  MOS  功放  舞臺(tái)                          
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          英飛凌推出抗輻射加固型MOS開關(guān)器件
          
                                                            
            
                    	
          • 英飛凌科技推出其首個(gè)專用于空間和航空應(yīng)用而設(shè)計(jì)的電源開關(guān)器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類拔萃的性能，可支持面向空間應(yīng)用的高能效電源調(diào)理和電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
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          • 關(guān)鍵字：
                        英飛凌  MOS                          
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          舞臺(tái)功放MOS管改裝電路圖及方法
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
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          • 關(guān)鍵字：
                        電路圖  方法  改裝  MOS  功放  舞臺(tái)                          
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          瑞薩電子AE1-L無機(jī)芯車載音響方案
          
                                                            
            
                    	
          • 在汽車電子應(yīng)用方面，需要用到很多如CAN、LIN、MOST以及藍(lán)牙等協(xié)議，傳動(dòng)系統(tǒng)、底盤、安全系統(tǒng)、儀表盤等等。汽...
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          • 關(guān)鍵字：
                        AE1-L  汽車音響  車載信息娛樂系統(tǒng)                          
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          基于C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因?yàn)門TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或
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          • 關(guān)鍵字：
                        C-MOS  轉(zhuǎn)換器  石英晶體  振蕩電路                            
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          無比型動(dòng)態(tài)MOS反相器
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          瑞薩推出適用車身控制的低功耗高性能V850微控制器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球領(lǐng)先的高級半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡稱“瑞薩電子”)今天宣布推出19款新型低功耗V850E2/Fx4-L系列32位微控制器MCU。 新系列產(chǎn)品主要應(yīng)用于車身控制，與先進(jìn)的外設(shè)功能相結(jié)合，具有可升級性和兼容性，從而為車頂或車窗升降器、車門、座椅和照明模塊、HVAC(加熱、通風(fēng)和空調(diào))及車身控制模塊等應(yīng)用提供了最佳的解決方案。

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          • 關(guān)鍵字：
                        瑞薩電子  MCU  V850E2/Fx4-L                          
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          飛思卡爾推出業(yè)界首個(gè)Kinetis L系列微控制器
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2012年3月13日 – 德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE: FSL) 日前宣布將在加利福尼亞州圣何塞市舉行的DESIGN West大會(huì)上展示其全新的基于ARM® Cortex-M0+處理器的Kinetis L系列微控制器(MCU)，再次顯示了其在基于ARM 的嵌入式處理領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。入門級 Kinetis L 系列MCU的首批試用樣件計(jì)劃于第二季度提供。
　　飛思卡爾能夠以如此快的速度展示Kinetis L系列器件要?dú)w功于在Cortex-M0+核
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          • 關(guān)鍵字：
                        飛思卡爾  微控制器  Kinetis L                          
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          采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動(dòng)電路及工作原理分析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時(shí)的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
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          • 關(guān)鍵字：
                        電路  工作  原理  分析  驅(qū)動(dòng)  脈沖  C-MOS  與非門  發(fā)光二極管                          
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          l-mos介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條l-mos!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對l-mos的理解，并與今后在此搜索l-mos的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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       	          						L-MOS   
										樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
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