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lora?器件文章進入lora?器件技術(shù)社區(qū)

功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應(yīng)用

1. 引言
　　
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用IGBT 成為
關(guān)鍵字： UPS 應(yīng)用電源間斷器件 IGBT 功率

PLD器件的應(yīng)用

10.4 PLD器件的應(yīng)用10.4.1 可編程器件的開發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語言一、ABEL源文件的結(jié)構(gòu)二、ABEL的基本語法10.4.3 應(yīng)用舉例10.4 PLD器件的應(yīng)用10.4.1 可編程器件的開發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語言一、ABEL源文
關(guān)鍵字： PLD 器件

半導(dǎo)體制程簡史

當線寬遠高于10微米時，純凈度還不像今天的器件生產(chǎn)中那樣至關(guān)緊要。旦隨著器件變得越來越集成，超凈間也變得越來越干凈。今天，工廠內(nèi)是加壓過濾空氣，來去除哪怕那些可能留在芯片上并形成缺陷的最小的粒子。半導(dǎo)體制造車間里的工人被要求著超凈服來保護器件不被人類污染。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體器件芯片

基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究

中心議題：大功率直流電源的拓撲結(jié)構(gòu) 大功率直流電源的控制方案電源的數(shù)據(jù)傳輸拓撲結(jié)構(gòu)
本文基于IGBT器件，利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設(shè)計大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快
關(guān)鍵字：電源技術(shù) 研究 DC/DC 大功率 IGBT 器件基于

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹,本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。

關(guān)鍵詞：柵擊穿閾值電壓漂移積累損傷硅熔融
關(guān)鍵字：模式介紹失效器件及其 IGBT

嵌入式半導(dǎo)體器件混合信號測試策略

嵌入式半導(dǎo)體器件混合信號測試策略, 混合信號技術(shù)給當今的半導(dǎo)體制造商們帶來了很多新挑戰(zhàn),以前一些對數(shù)字電路只有很小影響的缺陷如今在嵌入式器件中卻可能大大改變模擬電路的功能,導(dǎo)致器件無法使用。為確保這些新型半導(dǎo)體器件達到“無缺陷rdquo
關(guān)鍵字：測試策略信號混合半導(dǎo)體器件嵌入式

IGBT及其子器件的四種失效模式比較

摘要：本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。

關(guān)鍵詞：柵擊穿閾值電壓漂移積累損傷硅熔融
關(guān)鍵字：模式比較失效器件及其 IGBT

基于51單片機和可編程邏輯器件實現(xiàn)LED顯示屏的硬件設(shè)計

0 引言LED顯示屏主要由電流驅(qū)動電路及LED點陣陣列、控制系統(tǒng)和PC端管理軟件三部分構(gòu)成（圖1）。控制系統(tǒng)負責接收、轉(zhuǎn)換和處理各種外部信號，并實現(xiàn)掃描控制，然后驅(qū)動LED點陣顯示需要的文字或圖案?？刂葡到y(tǒng)作為LED顯
關(guān)鍵字： LED 顯示屏硬件設(shè)計實現(xiàn) 器件單片機可編程邏輯

高效能保護器件-TVS的特性及應(yīng)用

瞬態(tài)電壓抑制器（Transient Voltage Suppressor）簡稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護器件，有的文獻上也為TVP、AJTVS、SAJTVS等。當TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以10-12秒量級的速度，將其兩極
關(guān)鍵字：特性應(yīng)用 -TVS 器件保護高效

PC機電源內(nèi)部器件分析

要看電源是由什么組成的，最好的方法是我們打開電源的外殼，看看電源的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。1.二極管二極管組成，是將四個二極管封裝在一起。而后一種的方式就被稱為全橋。全橋和二極管所能承受的最低耐壓程度和最大電流是有限
關(guān)鍵字：分析器件內(nèi)部電源 PC

為5V 1-Wire®從器件提供過壓保護

摘要：如果應(yīng)用中是在完成系統(tǒng)部署后寫入EPROM器件，此時需要對5V器件提供過壓保護。本文介紹如何在同一總線上使用1-Wire EPROM和5V 1-Wire器件，以及如何保護5V器件不受編程脈沖的沖擊。引言大多數(shù)1-Wire器件工作在
關(guān)鍵字： Wire reg 器件過壓保護

Oscium新WiPry系列選用賽普拉斯PSoC 3器件

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布 Oscium 在其面向 iPod touch、iPhone 和 iPad 的全新 WiPry 系列產(chǎn)品中選用了 PSoC 3 可編程片上系統(tǒng)。WiPry 系列是業(yè)界首款面向 iOS 設(shè)備的 RF 檢測設(shè)備，可將 iOS 設(shè)備轉(zhuǎn)變成為頻譜分析儀、動態(tài)功率表或兼具二者功能的設(shè)備。WiPry 系列產(chǎn)品中的 PSoC 3 器件可無縫地管理賽普拉斯 WirelessUSB LP 收發(fā)器，并支持 Apple 專有的 MFi 協(xié)議，實現(xiàn)與 iOS 設(shè)備的通信。
關(guān)鍵字：賽普拉斯器件 PSoC 3

半導(dǎo)體光電器件的工作原理

半導(dǎo)體光電器件是把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來,使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導(dǎo)體器件。光電器件主要有,利用半導(dǎo)體光敏特性工作的光電導(dǎo)器件,利用半導(dǎo)體光伏打效應(yīng)工作的光電池和半導(dǎo)體發(fā)光器件等。這一節(jié)中簡略地向大家
關(guān)鍵字：原理工作器件光電半導(dǎo)體

盛美半導(dǎo)體贏得第一臺Ultra C兆聲波清洗設(shè)備訂單

　　盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司日前宣布第一臺Ultra C 12英寸單片兆聲波清洗設(shè)備已經(jīng)銷售給韓國存儲器制造巨頭。采用盛美的空間交變相移兆聲波技術(shù)(SAPS)，Ultra C無需用高濃度的化學(xué)藥液，而是采用極低濃度的功能水即可實現(xiàn)優(yōu)越的顆粒去除率(PRE)，并且使材料的流失降到最低。該設(shè)備將用于客戶最先進器件的制造工藝上。　　Ultra C定位于高端的清洗工藝。通過客戶端大生產(chǎn)線驗證，Ultra C清洗后的PRE在65nm及以上顆粒達到96%，在44nm至65nm顆粒之間PRE達到74%，單道清
關(guān)鍵字：盛美半導(dǎo)體器件

集成電路封裝與器件測試設(shè)備

電子封裝是一個富于挑戰(zhàn)、引人入勝的領(lǐng)域。它是集成電路芯片生產(chǎn)完成后不可缺少的一道工序，是器件到系統(tǒng)的橋梁。封裝這一生產(chǎn)環(huán)節(jié)對微電子產(chǎn)品的質(zhì)量和競爭力都有極大的影響。按目前國際上流行的看法認為，在微電子
關(guān)鍵字：集成電路封裝測試設(shè)備器件

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lora?器件介紹

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LoRa調(diào)制技術(shù)究竟給我們帶來了哪些突破？
高效的物聯(lián)網(wǎng)公用事業(yè)解決方案，Semtech—LoRa技術(shù)
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