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電子制造業(yè)到底爭什么？一場技術(shù)的較量
- 據(jù)相關(guān)報道，電子制造業(yè)3月份開始出現(xiàn)積極現(xiàn)象，但形勢依然嚴(yán)峻。工信部統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，一季度，電子產(chǎn)品出口交貨值同比下降15.5%，其中3月份下降10.1%，降幅比前兩個月減緩8.9個百分點(diǎn)。電子制造業(yè)生產(chǎn)、出口大幅下滑趨勢有所減緩。 統(tǒng)計(jì)還顯示，行業(yè)經(jīng)濟(jì)效益下滑的趨勢并未扭轉(zhuǎn)。1-2月，電子行業(yè)實(shí)現(xiàn)利潤6.8億元，同比下降96.3%。 由以上信息可以看出，電子制造業(yè)目前困境仍在，而且要改變現(xiàn)有狀態(tài)，電子業(yè)該從哪方面下手? 電子制造業(yè)困境 由于全球經(jīng)濟(jì)增長速度放緩，市場總體需求萎縮
- 關(guān)鍵字： 電子 器件 平板顯示器
新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)
- 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價的前提下，通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
- 關(guān)鍵字： SOI 器件
基于Xilinx器件的CPRI協(xié)議實(shí)現(xiàn)方法
- 在近幾年內(nèi)相繼出現(xiàn)了CPRI、OBSAI接口標(biāo)準(zhǔn)。由于其實(shí)現(xiàn)上的經(jīng)濟(jì)簡便性，基于CPRI協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)的分布式基站產(chǎn)品陸續(xù)推出。本文按照實(shí)際的應(yīng)用場景來設(shè)計(jì)，介紹了在CDMA系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)CPRI協(xié)議的方法，并給出了邏輯設(shè)計(jì)的框圖和仿真波形，對于CPRI協(xié)議的理解和CDMA分布式基站的設(shè)計(jì)有一定的參考意義。
- 關(guān)鍵字： Xilinx CPRI 器件 協(xié)議
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