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          DRAM漲潮再起 誰才是真正贏家？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  NAND                           
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          DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  NAND  RAM                          
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          DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization
          
                                                            
            
                    	
          • DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization-隨著系統(tǒng)對內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式，會帶來不同的效果。本文將對不同的組織方式及其效果進行簡單介紹。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM                          
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          次世代記憶體換當家？關(guān)于新當家的那點事
          
                                                            
            
                    	
          • 次世代記憶體換當家？關(guān)于新當家的那點事-據(jù)韓媒BusinessKorea報導，IBM 和三星在電機電子工程師學會（IEEE）發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實現(xiàn)10 奈秒（nanosecond）的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越DRAM。韓國半導體業(yè)者指出，16納米將是DRAM微縮制程的最后極限，包括FRAM在內(nèi)的多種次世代存儲（其它包括MRAM）備受期待。
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          • 關(guān)鍵字：
                        dram  fram                          
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          DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization
          
                                                            
            
                    	
          • DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization-在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個 Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  Memory  Cells                          
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          手把手教你FPGA存儲器項使用DRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　某些FPGA終端，包含板載的、可以動態(tài)隨機訪問的存儲塊(DRAM)，這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。　　DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以非?？?。針對一些特殊應用，比如：瞬時帶寬非常高，而且有要保存原始數(shù)據(jù)的時候，就可以用DRAM做一個大的FIFO緩沖?！　RAM的大小每塊板卡可能不同，一般在官網(wǎng)中對應板卡的說明中都會標明DRAM的大小(如果有DRAM的話)。比如，PXIe-7966R就有512M的DRAM空間?！　ttp://sine.ni.com/n
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          • 關(guān)鍵字：
                        FPGA  DRAM                          
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          內(nèi)存條掀起的漲價潮：國產(chǎn)手機漲價 三星成最大贏家
          
                                                            
            
                    	
          • 　　“2017年DRAM價格漲幅將達到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出預計。當下，以DRAM為代表的半導體存儲器在全球范圍內(nèi)掀起漲價潮。
　　DRAM作為半導體存儲器的產(chǎn)品類型之一，常見產(chǎn)品形態(tài)是內(nèi)存條，主要的兩個應用市場是PC和智能手機。據(jù)京東商城官網(wǎng)顯示，金士頓DDR424008G臺式機內(nèi)存在半年內(nèi)價格從400元左右漲至800元左右，同時金立集團董事長劉立榮在9月25日媒體交流會上稱，國產(chǎn)手機下半年仍會漲價，部分原因是內(nèi)存成本上升。
　　集邦咨詢半導體
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          • 關(guān)鍵字：
                        內(nèi)存條  DRAM                          
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          內(nèi)存條掀起的漲價潮：國產(chǎn)手機漲價 三星成最大贏家
          
                                                            
            
                    	
          • 存儲器作為一種根據(jù)庫存、需求、產(chǎn)能因素變化而具有明顯周期性的行業(yè)，這一輪漲價大幅增加了國產(chǎn)智能手機和PC廠商的成本，目前部分智能手機已經(jīng)漲價，幅度在100~500元不等。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  三星                          
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          威剛:DRAM缺貨延續(xù)至明年第2季
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺灣內(nèi)存模塊廠威剛指出，由于服務器、智能手機及 PC 等 3 大市場在下半年需求陸續(xù)回溫， DDR4 在需求面三箭齊發(fā)下處于全面性的嚴重缺貨。 不但價格持續(xù)走揚，PC 大廠及渠道客戶也積極備貨，NAND Flash 閃存也在中國智能手機大廠積極備貨的推動下，價格仍呈多頭格局。
　　威剛進一步指出，在國際數(shù)據(jù)中心大廠對 DRAM 需求快速擴張之下，全球 DRAM 廠 2017 年皆無新增產(chǎn)線的投入，上游 DRAM 廠多以移轉(zhuǎn) PC DRAM 產(chǎn)能因應，導致 PC DRAM 供給面臨嚴重的產(chǎn)能排擠效應，
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          • 關(guān)鍵字：
                        威剛  DRAM                          
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          分析師：顯卡價格將水漲船高 短期不可能回落
          
                                                            
            
                    	
          • 　　AMD今年的新顯卡系列在性能上能與老對手NVIDIA的產(chǎn)品相匹敵，因此不少人覺得雙方的競爭會拉低顯卡價格。但是，分析師卻并不這么認為。
　　日本瑞穗金融集團分析師Vijay Rakesh認為，NVIDIA顯卡在下季度不僅會需求高漲，銷量可能也會超過預期30-50%之多。但這些需求增長并非來自于游戲玩家，而是加密貨幣礦工。
　　由于需求增長幅度如此之高，供應鏈也遭遇了非常大的壓力，因為制造顯卡所需的DRAM已經(jīng)開始出現(xiàn)短缺。根據(jù)行業(yè)研究公司ICInsight的預計，DRAM的每比特價格將提高40%，
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          • 關(guān)鍵字：
                        顯卡  DRAM                          
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          晉華明年第四季完成DRAM第一階段開發(fā)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　聯(lián)電和兩名員工遭到內(nèi)存大廠美光指控妨礙營業(yè)秘密，并遭到臺中地檢署起訴，共同總經(jīng)理簡山杰認為是遭到「商業(yè)間諜」構(gòu)陷入罪，但強調(diào)DRAM計劃不變，將于明年第4季完成第一階段技術(shù)開發(fā)。
　　聯(lián)電DRAM項目主要與福建晉華合作。
　　簡山杰表示，對于司法中的案件原本不應多言，但聯(lián)電極有可能碰到所謂的「商業(yè)間諜」，高度懷疑「帶槍投靠」是假的，可能「構(gòu)陷入罪」才是真。 簡山杰質(zhì)疑，主要涉案員工夫婦本來都在美光上班，其中先生去年4月主動跳槽聯(lián)電;據(jù)說，遭檢方搜索以后，妻子就被美光停職;涉案人全數(shù)認罪后，妻子就復
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          • 關(guān)鍵字：
                        晉華  DRAM                          
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          將DRAM技術(shù)根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪
          
                                                            
            
                    	
          • 員工有無竊取機密資料可以查證，企業(yè)有無教唆員工偷竊，也可以透過證據(jù)來佐證，但如何定義一家企業(yè)“積極”與“未積極”防范∕規(guī)范員工的行為，這十分兩難。 
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  存儲器                          
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          看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　你如果問當前內(nèi)存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場,當前都處于供不應求的狀態(tài)。不過,在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進展較快的一個。到目前為止,RRAM的發(fā)展進程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術(shù), Crossbar公司市場和業(yè)務拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術(shù)研討會上接受與非網(wǎng)的采訪時說:&ldquo
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          • 關(guān)鍵字：
                        RRAM  DRAM                          
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          將DRAM技術(shù)根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪
          
                                                            
            
                    	
          • 　　聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子中，因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職，不只是員工個人被起訴，聯(lián)電也被臺中地檢署根據(jù)違反營業(yè)秘密法而被起訴，理由是“未積極防止侵害他人營業(yè)秘密”，因此視為共犯。
　　我們可以從三大層面來探討聯(lián)電和大陸合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子。第一，臺灣半導體產(chǎn)業(yè)在這個合作案當中，損失了什么?;第二，聯(lián)電在建立DRAM自主技術(shù)的過程中，有無竊取美光技術(shù)?;第三，如果企業(yè)沒有教唆員工竊密，只因為“未積極防范&rdqu
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  聯(lián)電                          
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          2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長預估僅19.6%，延續(xù)供給吃緊走勢
          
                                                            
            
                    	
          • 　　隨著時序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議，根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守，意味著產(chǎn)能擴張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進都將趨緩，除了欲將價格維持在今年下半年的水平，持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標，預估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點，加上2018年整體DRAM需求端年成長預計將達20.6%，供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM                          
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