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三星電子計(jì)劃明年擴(kuò)大晶圓代工與 DRAM 產(chǎn)能，擬新設(shè)至少 10 臺(tái) EUV 光刻機(jī)
- IT之家 12 月 26 日消息，韓國(guó)《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》表示，盡管明年全球經(jīng)濟(jì)將放緩，三星電子仍計(jì)劃明年在其最大半導(dǎo)體工廠增加芯片產(chǎn)能。據(jù)稱，三星 2023 年存儲(chǔ)器和系統(tǒng)半導(dǎo)體的晶圓產(chǎn)能提高約 10%。業(yè)內(nèi)消息人士稱，三星電子將在位于韓國(guó)平澤的 P3 工廠增加 DRAM 設(shè)備，12 英寸晶圓月產(chǎn)能可達(dá) 7 萬片，明年將把 P3 代工晶圓產(chǎn)能提高 3 萬片（共 10 萬），高于目前 P3 廠 DRAM 產(chǎn)線的每月 2 萬片產(chǎn)能。三星電子計(jì)劃利用新的設(shè)備生產(chǎn) 12 納米級(jí) DRAM。截至今
- 關(guān)鍵字： 三星 晶圓代工 DRAM
三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功
- 三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung Lee表示："三星12nm級(jí)DRAM將成為推動(dòng)整個(gè)市場(chǎng)廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運(yùn)營(yíng)的基礎(chǔ)。"AMD高級(jí)副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計(jì)算
- 關(guān)鍵字： 三星電子 12納米 DDR5 DRAM
業(yè)界最快：SK 海力士開發(fā)出數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá) 8Gbps 的服務(wù)器 DDR5 內(nèi)存模組
- IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布，成功開發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組樣品，這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達(dá) 8Gbps，較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱，該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認(rèn)為 DDR5 的運(yùn)行速度取決于單個(gè) DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時(shí)另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個(gè) DRAM 芯
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DRAM大廠：消費(fèi)端整體市況回穩(wěn)恐得等到2023年下半年
- 12月5日，DRAM大廠南亞科發(fā)布公告11月自結(jié)合并營(yíng)收為新臺(tái)幣27.71億元，較上月減少0.40%，較去年同期減少61.81%。累計(jì)合并營(yíng)收為新臺(tái)幣545.52億元，較去年同期減少30.65%。據(jù)TrendForce集邦咨詢11月16日研究顯示，南亞科（Nanya）因consumer DRAM產(chǎn)品比重高，第三季營(yíng)收衰退達(dá)40.8%，衰退幅度為第三季前六大業(yè)者最甚。南亞科已于第四季小幅減少投片，但轉(zhuǎn)進(jìn)1Anm的進(jìn)度仍舊持續(xù)，預(yù)期2023上半年推出樣本，然客戶端因需求展望保守，導(dǎo)入意愿可能并不積極，預(yù)計(jì)
- 關(guān)鍵字： DRAM 南亞科
1TB降到100元可期！SSD還要降價(jià) 原廠顆粒賣不動(dòng)：內(nèi)存閃存市場(chǎng)價(jià)繼續(xù)走跌
- 很顯然內(nèi)存市場(chǎng)的需求依然很淡，不少消費(fèi)者依然沒有出手，當(dāng)然還是覺得廠商能繼續(xù)降價(jià)。調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce現(xiàn)發(fā)布了最新的研究報(bào)告，表明目前DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)仍在保持下跌的趨勢(shì)，主要買家對(duì)未來皆抱持跌價(jià)心態(tài)，整體市況仍因大環(huán)境因素影響價(jià)格難以止跌。具體來說：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價(jià)在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE報(bào)價(jià)下調(diào)至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM，三星 SK海力士
韓國(guó)芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價(jià)甩賣：SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國(guó)的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著幾大財(cái)團(tuán)的營(yíng)收，比如三星、SK海力士等等。據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑，導(dǎo)致對(duì)芯片的需求下滑，尤其是存儲(chǔ)芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國(guó)關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國(guó)芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國(guó)重要的出口產(chǎn)品還有智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備，但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個(gè)現(xiàn)象是，全球智能手機(jī)老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬部，這也
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 DRAM NAND
美光發(fā)布 HSE 3.0 開源存儲(chǔ)引擎
- IT之家 11 月 20 日消息，2020 年初，美光的軟件工程師宣布了一款專為 SSD 和持久內(nèi)存設(shè)計(jì)的開源存儲(chǔ)引擎 HSE，這是一款快速鍵值存儲(chǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)。去年 HSE 2.0 首次亮相，不再依賴于對(duì) Linux 內(nèi)核的修改，改為完全基于用戶空間的解決方案。本周，美光發(fā)布了 HSE 3.0 開源存儲(chǔ)引擎，帶來了更多功能改進(jìn)。據(jù)介紹，HSE 3.0 改進(jìn)了數(shù)據(jù)管理，提高了各種重要工作負(fù)載的性能。此外，HSE 3.0 引擎圍繞具有單調(diào)遞增鍵（例如時(shí)間序列數(shù)據(jù)）的工作負(fù)載、多客戶端工作負(fù)載、將壓縮和未壓縮值存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： 美光 SSD DRAM HSE
報(bào)告稱三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額創(chuàng) 8 年來新低
- IT之家 11 月 9 日消息，根據(jù)最新的報(bào)告，三星電子在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額已跌至八年來的最低點(diǎn)。據(jù) Eugene Investment & Securities 11 月 8 日發(fā)布的報(bào)告，第三季度全球 DRAM 市場(chǎng)銷售額為 179.73 億美元（當(dāng)前約 1301.25 億元人民幣），較第二季度的 254.27 億美元下降 29.3%。三星電子的 DRAM 銷售額從第二季度的 111.21 億美元下降到第三季度的 73.71 億美元（當(dāng)前約 533.66 億元人民幣
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。 1β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。 一個(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！ ∵@意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM 內(nèi)存芯片 光刻機(jī) EUV
機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)今年服務(wù)器 DRAM 需求將達(dá)到 684.86 億 GB，首次超過移動(dòng)設(shè)備
- 11 月 2 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，受電子消費(fèi)品續(xù)期下滑影響，當(dāng)前全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)并不樂觀，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價(jià)格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲(chǔ)芯片制造商的業(yè)績(jī)，也受到了影響。雖然存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)整體的狀況并不樂觀，但部分領(lǐng)域的需求，卻在不斷增長(zhǎng)。研究機(jī)構(gòu)在最新的報(bào)告中就表示，服務(wù)器 DRAM 的需求在不斷增長(zhǎng)，在今年有望首次超過智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備對(duì) DRAM 的需求。研究機(jī)構(gòu)在報(bào)告中預(yù)計(jì)，今年全球服務(wù)器對(duì) DRAM 的需求，會(huì)達(dá)到 684.86 億 GB，智能手機(jī)、平板
- 關(guān)鍵字： DRAM 市場(chǎng)
功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機(jī)制造商和芯片組運(yùn)送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴，并已通過世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)準(zhǔn)備。據(jù)官方介紹，美光于2021年實(shí)現(xiàn)1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區(qū)儲(chǔ)存的位元數(shù)也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時(shí)，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
- 關(guān)鍵字： 功率效率 美光 1β DRAM
美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM
- 2022年11月2日——中國(guó)上海——內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場(chǎng)帶來巨大收益。除了移動(dòng)應(yīng)用，基于1β節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
- 關(guān)鍵字： 美光 1β技術(shù)節(jié)點(diǎn) DRAM
美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機(jī)制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實(shí)現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場(chǎng)領(lǐng)先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個(gè) die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時(shí)，消
- 關(guān)鍵字： 美光 LPDDR5X-8500 內(nèi)存 1β DRAM
SK海力士：未研究過“轉(zhuǎn)移中國(guó)工廠設(shè)備”相關(guān)具體計(jì)劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國(guó)”、“轉(zhuǎn)移中國(guó)工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對(duì)此，SK海力士于10月26日就中國(guó)工廠運(yùn)營(yíng)作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jī)發(fā)表會(huì)上，針對(duì)由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國(guó)工廠運(yùn)營(yíng)受困的各種假想情境，作出了可能會(huì)考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中，“中國(guó)工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對(duì)可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場(chǎng)回復(fù)，SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計(jì)劃。另外，針對(duì)美國(guó)對(duì)芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM NAND
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