lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區(qū)
TrendForce：DRAM原廠降價意愿提高 第三季跌至近10%
- 根據(jù)TrendForce最新研究顯示，盡管今年上半年的整體消費(fèi)性需求快速轉(zhuǎn)弱，但先前DRAM原廠議價強(qiáng)勢，并未出現(xiàn)降價求售跡象，使得庫存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下，部分DRAM供貨商已開始有較明確的降價意圖，尤其發(fā)生在需求相對穩(wěn)健的服務(wù)器領(lǐng)域以求去化庫存壓力，此情況將使第三季DRAM價格由原先的季跌3至8%，擴(kuò)大至近10%，若后續(xù)引發(fā)原廠競相降價求售的狀況，跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續(xù)性下修出貨展望，且綜觀各家DRAM庫存水位平均超過兩個月以上，除非有極大的價格
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TrendForce：第三季DRAM價格預(yù)估下跌3～8％
- 據(jù)TrendForce研究，盡管有旺季效應(yīng)和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場仍不敵俄烏戰(zhàn)事、高通膨?qū)е孪M(fèi)性電子需求疲弱的負(fù)面影響，進(jìn)而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價格下跌3～8％的主因，且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機(jī)領(lǐng)域恐出現(xiàn)超過8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續(xù)走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標(biāo)，同時也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過于求，因此即便
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SK海力士將向英偉達(dá)供應(yīng)業(yè)界首款HBM3 DRAM
- SK海力士宣布公司開始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片，從開發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實現(xiàn)加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進(jìn)一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領(lǐng)導(dǎo)地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內(nèi)存
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？
- 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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利基型DRAM持續(xù)擴(kuò)產(chǎn) 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙
- 內(nèi)存大廠華邦電日前宣布擴(kuò)大利基型DDR3產(chǎn)出，爭取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導(dǎo)入至高雄廠量產(chǎn)，為長遠(yuǎn)發(fā)展奠定良好的基礎(chǔ)與成長動能，同時滿足5G基地臺、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）、電動車及車用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢強(qiáng)勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價格回升，SLC NAND及NOR Flash價格回穩(wěn)，季度營收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達(dá)45.59億元并創(chuàng)下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預(yù)期
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三星推出512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器CXL DRAM
- 2022年5月10日 ，作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的廠商，三星宣布開發(fā)出三星首款512 GB 內(nèi)存擴(kuò)展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。三星半導(dǎo)體512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍，從而讓服務(wù)器擴(kuò)展至數(shù)十TB，而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本，以推動CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
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第二季度DRAM跌幅估縮小
- 根據(jù)市調(diào)預(yù)估，第二季整體DRAM平均價格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機(jī)等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響，進(jìn)而削弱消費(fèi)者購買力道，目前僅服務(wù)器為主要支撐內(nèi)存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面，受俄烏戰(zhàn)爭影響，引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形，進(jìn)而下修今年的出貨目標(biāo)，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價格跌幅達(dá)3～8％，且可能會進(jìn)一步惡化。在服務(wù)器DR
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LPDDR5X標(biāo)準(zhǔn)與LPDRR5對比：帶寬增至8533Mbps
- 2021年7月28日，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會于發(fā)布了關(guān)于 LPDDR5 內(nèi)存芯片的最新標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)號 JESD209-5B。新版標(biāo)準(zhǔn)針對目前已經(jīng)應(yīng)用的 LPDDR5 內(nèi)存提供了新的規(guī)格，提高了性能，降低了功耗以及增強(qiáng)了兼容性。此外，還包含下一代 LPDDR5X 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。新標(biāo)準(zhǔn)表示，LPDDR5/LPDDR5X 旨在提高內(nèi)存速率和效率，適用于 5G 智能手機(jī)等產(chǎn)品。具體來看：（1）LPDDR5X 將實現(xiàn)最高 8533 Mbps 的速率；（2）信號 TX/RX 發(fā)射或接收需要有更高的完整性；（3）新增 Ad
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三星LPDDR5X內(nèi)存來了：比LPDDR5快約1.2倍
- 2022年3月3日 三星半導(dǎo)體官方微博宣布，三星首款基于14nm的LPDDR5X內(nèi)存已在高通驍龍移動平臺上驗證使用。三星表示，三星與高通公司密切合作，7.5Gbps的LPDDR5X用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機(jī)上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有望在下一代智能手機(jī)上提升超高分辨率視頻錄制性能和語音識別、圖像識別、自然語言處理等人工智能功能。此外，三星LPDDR5X內(nèi)存采用先進(jìn)的電路設(shè)計和動態(tài)電壓頻率縮放，功耗可降低約20%。三星半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼內(nèi)存全球銷售和營銷
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三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用
- 今日三星宣布，高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應(yīng)用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來，三星與高通技術(shù)公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機(jī)上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對器件性能的影響：對先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
- 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DR
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美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點導(dǎo)入
- 三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn)，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點開始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產(chǎn)，預(yù)
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