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DDR內(nèi)存合約價(jià)格大漲 南科華亞科受惠
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，11月上旬動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)合約價(jià)出爐，DDR2 1Gb與DDR3 1Gb顆粒合約均價(jià)皆大漲超過(guò)15%，DDR2 2Gb合約均價(jià)漲幅也達(dá)13.9%，預(yù)估11月下旬DDR2合約價(jià)可望持續(xù)攀高，以合約市場(chǎng)為主的南科、華亞科預(yù)估受惠較大。 集邦科技昨最新報(bào)價(jià)，11月上旬DDR2 1Gb顆粒合約均價(jià)達(dá)2.38美元，比10月下旬大漲15.53%;DDR3 1Gb顆粒合約均價(jià)達(dá)2.25美元，大漲15.98%。 另DDR2 2Gb合約均價(jià)從36美元上漲到41美元，漲幅達(dá)13.9
- 關(guān)鍵字： 南科 DRAM DDR2 DDR3
DRAM合約價(jià)大漲，今年沒(méi)淡季
- 2009年DRAM產(chǎn)業(yè)沒(méi)有淡季，11月上旬DDR2和DDR3合約價(jià)持續(xù)大漲近20%，2GB DDR2模塊甚至一度飆到50美元天價(jià)，足見(jiàn)PC OEM廠拉貨力道沒(méi)有休息跡象，DRAM廠為確保DDR2和DDR3買氣同步增溫，趁機(jī)向下游廠祭出搭售方式。DRAM廠認(rèn)為，隨著PC OEM廠第4季大量轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3平臺(tái)，未來(lái)DDR3現(xiàn)貨及合約價(jià)將同步凌駕DDR2，而現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR3報(bào)價(jià)亦展開(kāi)攻勢(shì)，一舉站上3美元大關(guān)。 DRAM價(jià)格11月上旬漲幅超乎預(yù)期，2GB DDR2模塊漲勢(shì)尤其猛烈，大漲19~21%，平均價(jià)
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR2 DDR3
爾必達(dá)和茂德簽署DRAM代工協(xié)議
- 茂德(ProMos)已和爾必達(dá)(Elpida)簽署DRAM代工合約，爾必達(dá)將提供先進(jìn)的制程技術(shù)與產(chǎn)品技術(shù)給茂德，茂德將以中科12寸晶圓廠提供爾必達(dá)DRAM代工服務(wù)。 茂德表示，代工服務(wù)以爾必達(dá)最先進(jìn)的1G DDR3產(chǎn)品為主，預(yù)計(jì)2010年上半完成試產(chǎn)，2010年下半大量生產(chǎn)。此外，爾必達(dá)發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，茂德每月將使用多達(dá)3.5萬(wàn)片12寸晶圓為爾必達(dá)制造芯片，同時(shí)，采用65奈米制程技術(shù)。 茂德董事長(zhǎng)暨總經(jīng)理陳民良表示，爾必達(dá)在全球DRAM產(chǎn)業(yè)中以尖端制程技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)
- 關(guān)鍵字： Elpida DRAM 晶圓 DDR3
集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營(yíng)收季增率高達(dá)40.7％
- 根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價(jià)在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價(jià)也在合約價(jià)的帶動(dòng)下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價(jià)格大漲，亦帶動(dòng)DDR2合約價(jià)格的漲勢(shì)，且在第三季國(guó)際DRAM大廠轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3相當(dāng)積極，導(dǎo)致DDR2出貨量減少效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵，部份PC OEM廠商亦已逆向操作增加DDR2的庫(kù)存水位，使得本季DDR2合約價(jià)漲幅高達(dá)31%、現(xiàn)貨價(jià)格漲幅亦高達(dá)30%，漲幅與DDR3不惶多讓。 第三季各DRAM廠商營(yíng)收在DDR3合約價(jià)
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM DDR3 DDR2
TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)劃
- 2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺(tái)灣DRAM廠開(kāi)門做生意平均每天虧新臺(tái)幣1億元，且龐大的負(fù)債成為臺(tái)灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問(wèn)題，因此經(jīng)濟(jì)部為挽救臺(tái)灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進(jìn)行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺(tái)灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因?yàn)榇嗣忠驯黄渌咀?cè)，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡(jiǎn)稱為TIMC。 TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長(zhǎng)為聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智，帶領(lǐng)臺(tái)灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)再造的任務(wù)，目的在于協(xié)助臺(tái)灣DRAM產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： TIMC DRAM NAND Flash
產(chǎn)業(yè)明顯好轉(zhuǎn)但是前景仍不明朗
- 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受金融危機(jī)的沖擊已經(jīng)一年過(guò)去。此次危機(jī)是歷史上最嚴(yán)重的一次，所以盡管各國(guó)政府都奮力相救，但是由于受損太嚴(yán)重，產(chǎn)業(yè)的完全康復(fù)仍需要過(guò)程與時(shí)間。 至此，產(chǎn)業(yè)鏈中各類公司今年前三個(gè)季度的財(cái)報(bào)都已紛紛出籠，正如ICInsight公司所言，如果依季度比較，工業(yè)恢復(fù)的過(guò)程十分明顯。今年的Q1是慘不成睹，仍在下降軌跡，半導(dǎo)體的產(chǎn)能利用率在50%以下，各類投資幾乎為零。到Q2時(shí)已經(jīng)看到回升的跡象，但是大部分公司仍陷赤字之中。至Q3結(jié)束時(shí)，部分公司已經(jīng)扭虧為盈，工業(yè)已經(jīng)明顯看到好轉(zhuǎn)的局面，但是與去年
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
對(duì)DRAM價(jià)格樂(lè)觀 力晶停止紓困
- 力晶在DRAM價(jià)格強(qiáng)勁回文件下，將恢復(fù)財(cái)務(wù)自主能力，力晶董事會(huì)2日通過(guò)，從明年開(kāi)始停止紓困，全力正?；謴?fù)營(yíng)運(yùn)，可望從明年起針對(duì)銀行正常還款。力晶對(duì)第四季價(jià)格仍保持每顆2美元至2.5美元的樂(lè)觀預(yù)期，今年第四季將有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)虧為盈。 力晶昨日領(lǐng)先各大DRAM廠，率先公布10月?tīng)I(yíng)收，由于產(chǎn)能滿載，加上DRAM價(jià)格回文件，該公司10月?tīng)I(yíng)收達(dá)42.39億元(新臺(tái)幣，以下同)、較9月大增28%，創(chuàng)下今年以來(lái)新高，預(yù)估11月、12月?tīng)I(yíng)收將會(huì)維持持續(xù)成長(zhǎng)的動(dòng)能。 力晶指出，在政府政策與銀行團(tuán)大力支持之下，透過(guò)
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM 封測(cè)
臺(tái)系DRAM廠3Q虧損175億元 4Q可望飛越損平點(diǎn)
- 受惠DRAM價(jià)格谷底翻身，臺(tái)系DRAM廠第3季虧損金額大幅縮小，合計(jì)力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠共虧新臺(tái)幣175億元，累計(jì)前3季虧損731億元，其中茂德虧損最多，華亞科虧損金額最小，展望第4季，DRAM價(jià)格持續(xù)走強(qiáng)越過(guò)2.5美元后，頗有朝3美元的實(shí)力，各廠全產(chǎn)能投片后，可望力拼單月?lián)p益兩平，其中力晶旗下瑞晶第3季已轉(zhuǎn)虧為盈，力晶董事長(zhǎng)黃崇仁也表示，若報(bào)價(jià)維持在2.5美元水平，第4季也有機(jī)會(huì)擠身獲利之林。 DRAM 產(chǎn)業(yè)在2008年此時(shí)受到供過(guò)于求嚴(yán)重失衡的影響，虧損嚴(yán)重到一度將存儲(chǔ)器
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM 晶圓
Intel宣布一項(xiàng)技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米
- 英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說(shuō),這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲(chǔ)屬性縮小到一個(gè)內(nèi)存類. This image shows phase-change memory bu
- 關(guān)鍵字： Intel 5納米 DRAM NAND
福布斯:亞洲芯片商前景樂(lè)觀 下滑趨勢(shì)將結(jié)束
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，數(shù)家亞洲大型芯片廠商財(cái)報(bào)預(yù)期顯示，本季度有望實(shí)現(xiàn)數(shù)年來(lái)的首次扭虧為盈，芯片下滑趨勢(shì)或?qū)⒔Y(jié)束。 三星電子本月初表示，其季度利潤(rùn)有望超市場(chǎng)預(yù)期，分析師對(duì)其預(yù)期為每股收益1.98萬(wàn)韓元(約合16.83美元)。 投行Macquarie Group對(duì)三星股票評(píng)級(jí)為“表現(xiàn)突出”(outperform)，將三星目標(biāo)股價(jià)由84萬(wàn)韓元調(diào)高至90萬(wàn)韓元。該投行在研究報(bào)告中稱，因三星上半年收益強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)其股價(jià)將持續(xù)上漲。周一，三星股價(jià)在首爾股票交易所收盤于75.3萬(wàn)韓元(
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM 內(nèi)存芯片
宣明智：DRAM年年都要過(guò)冬 該做的就做
- 盡管上周南亞科及華亞科法說(shuō)會(huì)時(shí)，公司對(duì)于DRAM市場(chǎng)多抱持樂(lè)觀看法，不過(guò)臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)董事長(zhǎng)宣明智26日上午參觀臺(tái)灣寬頻通訊展時(shí)卻表達(dá)保守看法，認(rèn)為DRAM年年都要過(guò)冬，對(duì)DRAM景氣沒(méi)有那么樂(lè)觀，針對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)再造合并時(shí)機(jī)已過(guò)，他則表示，該做的就做。 對(duì)于近期DRAM價(jià)格回穩(wěn)，宣明智認(rèn)為價(jià)錢回到成本以上是好事情，2008年在大家盲目競(jìng)爭(zhēng)情況下，DRAM價(jià)格殺到低于變動(dòng)成本，目前DRAM市場(chǎng)價(jià)位回升，也頗為合理，宣明智表示，希望能大家都?jí)蜃プC(jī)會(huì)，掌握未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)條件，這樣才能讓整
- 關(guān)鍵字： 南亞科 DRAM 華亞科 TIMC
TFC是政治正確產(chǎn)物 TIMC不能沉默是金
- 力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息，對(duì)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)無(wú)疑是一枚深水炸彈，不論就技術(shù)自主、產(chǎn)能整合和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新等條件上，TFC都是力晶精心策劃下的「政治正確」產(chǎn)物，從條件論而言，“經(jīng)濟(jì)部"很難直接拒絕TFC計(jì)劃，尤其是現(xiàn)在臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存(TIMC)的技術(shù)來(lái)源爾必達(dá)(Elpida)在日本政府資金介入后，傳出不讓臺(tái)灣地區(qū)政府投資的謠言不絕于耳，力晶在此時(shí)拿出TFC計(jì)劃，就算不能獲得政府補(bǔ)助，也達(dá)到破壞TIMC的目的，臺(tái)灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合大戲未來(lái)要如何演下去，在各廠底
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM 內(nèi)存
今年第二三季度DRAM內(nèi)存芯片業(yè)強(qiáng)勁復(fù)蘇
- 市場(chǎng)研究公司iSuppli稱，今年第二、三季度DRAM內(nèi)存芯片銷售額和價(jià)格環(huán)比增幅創(chuàng)下過(guò)去5年來(lái)的最高記錄，這表明市場(chǎng)正在復(fù)蘇，這一趨勢(shì)將至少持續(xù)到明年。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，iSuppli發(fā)布的初步統(tǒng)計(jì)數(shù)字顯示，第三季度全球DRAM芯片銷售額環(huán)比增長(zhǎng)了35%，第二季度環(huán)比增長(zhǎng)了34%。iSuppli分析師邁克·霍華德發(fā)表聲明稱，這些數(shù)字表明DRAM市場(chǎng)確實(shí)在復(fù)蘇中，價(jià)格的持續(xù)增長(zhǎng)是DRAM內(nèi)存芯片走出低迷的又一個(gè)跡象。 iSuppli表示，過(guò)去兩個(gè)季度終結(jié)了DRAM內(nèi)存芯片銷
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存芯片 DRAM
iSuppli：DRAM業(yè)復(fù)蘇 2010年可望延續(xù)
- 研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示，第2、第3季DRAM銷售額與價(jià)格連續(xù)增長(zhǎng)的幅度，至少創(chuàng)下5年來(lái)之最。該機(jī)構(gòu)遂看好產(chǎn)業(yè)后市，2010年也將持續(xù)復(fù)蘇。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，根據(jù)iSuppli初步預(yù)測(cè)，第3季全球DRAM銷售額季增35%，第2季則增長(zhǎng)34%;全球DRAM平均售價(jià)上漲21%，同樣超越第2季增幅的19%。 iSuppli表示，就全年銷售額來(lái)看，全球DRAM市場(chǎng)自2007年起連續(xù)衰退后，今年雖有第2、第3季的支撐，但由于首季表現(xiàn)太差，2009全年仍將下滑12.9%。 2007年全球DRA
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
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