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          芯和半導體發(fā)布新品Hermes PSI

          • 2022年4月7日,國產EDA企業(yè)芯和半導體發(fā)布了新品Hermes PSI。這是一個針對封裝與板級信號及電源完整分析的EDA分析平臺。Hermes PSI是芯和半導體發(fā)布的首款電源完整性分析工具。此次發(fā)布的2022版本首先專注于封裝與板級的DC IR壓降。它可以導入所有常見的封裝與PCB設計格式,并為整個供電系統(tǒng)提供高效的直流電源完整性分析,使能用戶檢查直流電壓降、電流和電流密度分布等。 Hermes PSI的仿真基于流程化操作、易于上手和設置,降低了用戶的使用門檻。 通過仿真,該工具可以報告直
          • 關鍵字: EDA  UVS  UV APS  UVI  EDMPro  

          外媒稱EDA巨頭新思科技被美國商務部調查

          • 據外媒報道,美國商務部正調查全球最大的EDA公司新思科技(Synopsys),因為該公司涉嫌違法轉讓相關技術給華為和中芯國際。受此消息拖累,新思科技周三回吐早盤漲幅,終場收跌 1.32% 至每股 306.72 美元。消息人士指出,美國商務部正調查新思科技與中國的關聯公司之合作,該公司涉嫌向華為海思半導體部門提供晶片設計和軟體,以便在中芯國際進行生產。但截至目前,美國商務部的調查過程尚未公開。早在去年12月,新思科技披露稱,已收到了美國商務部工業(yè)安全局 (BIS) 發(fā)出與“與某些中國實體交易”內容有關的傳票
          • 關鍵字: EDA  UVS  UV APS  UVI  EDMPro  

          路長且艱,國產EDA的發(fā)展之路

          • 逼則反兵,走則減勢。緊隨勿迫,累其氣力,消其斗志,散而后擒,兵不血刃,這是三十六計中“欲擒故縱”的精義,卻被美國在EDA領域應用的游刃有余,中國也因此錯失了發(fā)展國產EDA的20余年的重要時機,作為數千億集成電路、萬億電子信息的必不可少的支撐產業(yè),EDA被譽為芯片領域的“工業(yè)母機”,國產EDA的發(fā)展路長且艱。一、EDA是何方神圣為什么說EDA那么重要,EDA全稱是電子設計自動化。打開芯片的封裝外殼,在高倍顯微鏡下對其表面進行觀察,將會看到無數規(guī)則擺放的器件和連線,這是芯片的版圖。IC設計和制造這個版圖的各個
          • 關鍵字: EDA  UVS  UV APS  UVI  EDMPro  

          東吳證券:2022年芯片EDA行業(yè)研究報告

          • 數模混合 IC 中通常模擬電路是核心,數字電路用來控制模擬電路實現特定的算法。在 IC 設計部分,EDA 軟件主要有模擬 IC 和數字 IC 的兩大類設計軟件。1.EDA是“半導體皇冠上的明珠”1.1. EDA 是用于 IC 設計生產的工業(yè)軟件EDA 是用來輔助超大規(guī)模集成電路設計生產的工業(yè)軟件。EDA 全稱是電子設計自動化(Electronic Design Automation),是指用于輔助完成超大規(guī)模集成電路芯片設計、制造、封裝、測試整個流程的計算機軟件。隨著芯片設計的復雜程度不斷提升,基于先進工
          • 關鍵字: EDA  UVS  UV APS  UVI  EDMPro  

          扎堆上市、納入“十四五”規(guī)劃,國產EDA軟件的春天來了?

          • 回顧2021年中國ICT市場,“元宇宙、低代碼、國資云、產業(yè)互聯網、雙碳”無疑是令人首先想到的關鍵詞。那么,資深ICT產業(yè)觀察者如何用一詞表明自己的身份?答案是:國產EDA。相比上述關鍵詞,EDA(集成電路設計工具)即便放大到全球范圍,其市場都無法與前者比較。但市場規(guī)模并無法表明EDA的重要性。如何形容EDA?或許可將其比喻為生物圈的水,沒有水,碳基生命便無法存活;沒有EDA,全球幾十萬億的數字經濟也無法發(fā)展。也正是因為EDA如水一般潤物無聲,所以在中國ICT市場里,其幾乎從未站在舞臺的中央。但在2021
          • 關鍵字: EDA  UVS  UV APS  UVI  EDMPro  

          中國EDA新浪潮的黃金二十年

          • 2002年,已在芯片業(yè)浸潤多時的謝仲輝回到上海。他早年求學于臺大,參與了新加坡政府一力扶持的特許半導體工廠的建立與運營。隨著身邊的同事逐漸回流大陸,他意識到國內的芯片工業(yè)正在飛速發(fā)展,急需富有經驗的人才為國效力。于是,他選擇了參加國家“909工程”的華虹。挑戰(zhàn)是顯而易見的:相比于國外的大客戶,國內的芯片設計公司普遍弱小,一個月的訂單量不過幾十片、甚至更少,而芯片制造的前期流片投入卻一點都不能少。光是一套掩模版就是幾十萬美金,讓諸多設計從業(yè)者望而卻步。為了降低客戶的前期投入,謝仲輝和他的團隊想到了一個辦法—
          • 關鍵字: EDA  UVS  UV APS  UVI  EDMPro  

          中科院EDA中心三維及納米集成電路設計自動化技術研究成果

          • 研究方向一:三維納米級電路可制造性設計方法及EDA技術進入納米工藝節(jié)點,電路的物理結構對工藝容差和設計提出了新的挑戰(zhàn),可制造性和成品率成為集成電路高端芯片能否實現批量生產并盈利的最關鍵因素之一,可制造性設計EDA技術搭建了溝通電路設計與工藝制造的橋梁,可系統(tǒng)提升納米芯片的良率和性能。實驗室針對集成電路先進工藝制造和設計中存在的基礎性、前瞻性核心問題,開展三維納米級電路可制造性設計方法及EDA基礎理論和關鍵技術研究,構建納米加工與設計協(xié)同優(yōu)化的具有自主知識產權的DFM軟件平臺,形成實現工藝熱點檢測和寄生參數
          • 關鍵字: EDA  UVS  UV APS  UVI  EDMPro  

          三維快速模擬仿真電磁計算分析軟件

          • 自主開發(fā)完成通用電磁模擬仿真分析軟件EMbridge,滿足電磁、機電器件需求。結合最新研發(fā)的算法成果顯著提高了場分析的效率。創(chuàng)新提出的快速多階敏感度算法、隨機譜方法能夠應對IC工業(yè)中工業(yè)偏差引入的隨機影響。
          • 關鍵字: EDA  UVS  UV APS  UVI  EDMPro  

          極低功耗SoC設計方法學及EDA工具

          • EDA中心在極低功耗SoC設計方法學及關鍵EDA技術領域開展了年的研發(fā)工作,研究設計了亞閾值溫度傳感器、32位亞閾值SAPTL超前進位加法器、16位亞閾值B-SAPTL加法器、16x16亞閾值ASYN-B-SAPTL異步乘法器、動態(tài)可重構亞閾值邏輯等多款極低功耗電路IP,技術指標均優(yōu)于文獻報道的同類功能電路,研發(fā)了單元電路版圖微調軟件、電路結構自動評測工具、電路器件參數優(yōu)化工具、快速High-σ蒙特卡洛分析工具、器件建模工具、PVT敏感的單元電路特征化工具等。極低功耗SoC設計方法學及關鍵EDA技術研究起
          • 關鍵字: EDA  UVS  UV APS  UVI  EDMPro  

          中科院EDA中心:集成電路IP核標準

          • 依托國家重大科技專項,EDA中心牽頭編制了國內首個強制JYIP核標準《GJB7715-2012JY集成電路IP核通用要求》,建立IP核應用推廣平臺,開發(fā)IP核主觀評測電子表格(IPQE),在此基礎上,完成多款移動通信與數字媒體芯片IP核的數據封裝和質量評測服務?!禛JB7715-2012JY集成電路IP核通用要求》IP核應用推廣平臺典型IP核數據封裝實例第三方IP核評測報告
          • 關鍵字: EDA  UVS  UV APS  UVI  EDMPro  

          工藝與設計協(xié)同優(yōu)化的PDK與標準單元庫

          • EDA中心在PDK設計領域開展了十多年的研發(fā)工作,常年服務于國內外主流Foundry、各大EDA公司和IC設計公司。能夠基于多種語言(Skill/Tcl/Python)開發(fā)適用于各種軟件平臺的PDK/oaPDK/iPDK。到目前為止,已經基于國內主流Foundry的28nm/40nm/65nm/0.11um eFlash/130nm/180nm/0.35um/1um/3um和700V BCD/TFT/CNT-FET等先進工藝成功開發(fā)了近20套兼容不同數據標準的商用PDK(包括大陸首套iPDK)。PDK交付
          • 關鍵字: EDA  UVS  UV APS  UVI  EDMPro  

          納米尺度芯片Art DFM仿真平臺

          • 基于65/45/40/28納米銅互連和28納米高k金屬柵CMP工藝及DFM設計規(guī)則,課題組開發(fā)了一套兼顧平坦化和寄生效應、完整兼容業(yè)界主流EDA工具的DFM仿真平臺,該平臺具有超大規(guī)模版圖快速處理,ECP/CVD/PVD/CMP工藝模擬、熱點輸出與反標等功能。通過對版圖進行CMP分析和檢查,找出存在熱點的區(qū)域進行冗余金屬填充,并根據設計需求進行修正,形成CMP模擬與參數提取相結合的DFM優(yōu)化流程。DFM平臺解決了復雜超大版圖快速并行處理的技術難題,可以滿足65/45/40/28納米全芯片規(guī)模版圖處理的要求
          • 關鍵字: EDA  UVS  UV APS  UVI  EDMPro  

          納米尺度芯片平坦性工藝仿真工具

          • 研究65/45/40/28納米銅互連ECP/CMP及32/28納米HKMG CMP工藝,提出了耦合設計版圖與CMP機理的新型高效CMP建模技術,開發(fā)了多節(jié)點銅互連平坦性疊層仿真工具和28納米高k金屬柵DFM解決方案,可動態(tài)模擬ECP/CMP、ILD0 CVD/CMP和Al PVD/CMP工藝演進過程,快速實現平坦性工藝偏差的提取和校正。該仿真工具通過了CMOS實測硅片數據驗證,仿真精度和速度達到國際同類工具先進水平,可應用于全芯片平坦性工藝的檢測分析和設計優(yōu)化。CMP工藝仿真
          • 關鍵字: EDA  UVS  UV APS  UVI  EDMPro  

          中科院:EDA驗證評測技術

          • 針對國產EDA工具應用推廣的平臺化共性技術問題,研究基于國產EDA工具先進工藝設計參考流程,以及關鍵EDA工具的評測技術,包括EDA工具的功能對比、性能測試、可兼容性、穩(wěn)定性、易用性等的測試驗證,形成規(guī)范的EDA工具評測報告,以此促進國產EDA 工具的改進、更新和完善,并指導設計企業(yè)選用合適的EDA工具完成芯片設計。該研究內容獲得北京市科技計劃項目“國產EDA工具產業(yè)鏈應用推廣示范平臺”項目的支持?;谌ㄖ圃O計流程的EDA評測技術:針對納米工藝全定制設計流程的系列EDA工具開展EDA評測技術研
          • 關鍵字: EDA  UVS  UV APS  UVI  EDMPro  

          中科院:物聯網新型體系結構

          • 基于新型非易失存儲的高能效終端架構技術:為解決資源受限物聯網終端的“存儲墻”問題,利用MRAM、PCM等新型存儲器,構建異構非揮發(fā)存儲架構。通過研究軟、硬件協(xié)同的異構存儲架構管理技術,達到降低內存功耗、減小I/O延時的目的。此項工作得到國家重點研發(fā)計劃、北京市科技計劃、中科院先導專項的支持。AI計算加速技術:GPU、ASIC、FPGA等AI加速器是實現高能效AI計算的重要手段,然而受限于移動計算環(huán)境對芯片面積、功耗等的要求,AI加速芯片片上緩存容量有限,當計算深度模型時需要頻繁訪問片外存儲,因此“內存墻”
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