mini-mos 文章 進(jìn)入mini-mos技術(shù)社區(qū)
你造嗎? 四大MOSFET實(shí)用技巧
- MOSFET是一個(gè)時(shí)代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進(jìn)展,特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn),它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為工程師們的首選。 在EEPW論壇呆久了,看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情,有很多童靴對(duì)MOS管的使用不是很熟悉,今天有空給大家說幾個(gè)關(guān)于MOSFET的技巧的幾個(gè)實(shí)用技巧的事情。 為了把問題說的明白些,還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道
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蘋果iPad mini 3 詳盡拆解:維修相當(dāng)困難
- 蘋果發(fā)布了最新款的iPad mini 3平板電腦,而這款產(chǎn)品的名稱,則毫無創(chuàng)意的命名成了iPad mini 3。這是蘋果所發(fā)布的第三代小尺寸平板電腦。 iPad mini 3已經(jīng)發(fā)布有一段時(shí)間了,國行產(chǎn)品也已經(jīng)上市,配備Touch ID的iPad mini 3就這樣與iPad Air 2一同發(fā)布了更新,不過更新幅度卻不如iPad Air 2。與iPad mini 2相比,除了升級(jí)了Touch ID功能以及加入了土豪金顏色以外,貌似與iPad mini 2并沒有什么太大區(qū)別。那么事實(shí)真的如此么?今
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CMOS電路ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
- 1 引 言 靜電放電會(huì)給電子器件帶來破壞性的后果,它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展, CMOS電路的特征尺寸不斷縮小,管子的柵氧厚度越來越薄,芯片的面積規(guī)模越來越大,MOS管能承受的電流和電壓也越來越小,而外圍的使用環(huán)境并未改變,因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能,如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設(shè)計(jì)者主要考慮的問題。 2 ESD保護(hù)原理 ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
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搭載第四代Intel Celeron J1900/N2930/N2807處理器的超薄無風(fēng)扇AIMB-215 Mini-ITX母板,適合空間受限嵌入式應(yīng)用
- 作為領(lǐng)先的嵌入式計(jì)算和智能應(yīng)用供應(yīng)商研華科技,近期推出一款新型超薄工業(yè)級(jí)Mini-ITX母板AIMB-215。該產(chǎn)品采用第四代Intel® Celeron® J1900/N2930低功耗SOC,在CPU和圖像處理能力方面有極大提升。AIMB-215僅21mm的半高設(shè)計(jì),并帶有豐富的I/O功能,因此適合多種空間受限應(yīng)用,如ATM/KIOSK、POS、游戲機(jī)和自動(dòng)化領(lǐng)域的平板電腦和數(shù)字標(biāo)等。 超薄無風(fēng)扇設(shè)計(jì),帶有豐富的I/O接口 AIMB-215搭載
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LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)小Tips:不可不知的5大關(guān)鍵點(diǎn)
- 1、芯片發(fā)熱 這主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗,簡單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變,那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。再簡單一點(diǎn),就是考慮更好的
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內(nèi)部工藝依然精巧 蘋果iPad mini 2全拆解
- 蘋果的每一次動(dòng)作都吸引了眾多米粉的關(guān)注,iPad mini 2昨天正式接受用戶的預(yù)訂,首批發(fā)售的名單中包含了內(nèi)地和香港。iPad mini 2首日預(yù)訂數(shù)量已經(jīng)超出了蘋果的預(yù)想,蘋果公司的副總裁席勒(Philip Schiller)也表示非常吃驚。不過,相信蘋果更值得樂的還在以后。 蘋果iPad mini 2 iPad mini 2的包裝延續(xù)了上代的,包裝盒上依然印著iPad mini的Logo。相比第一代mini,雖說mini 2變重了機(jī)身也厚了(.2mm升級(jí)至
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努比亞Z7 mini拆機(jī)圖評(píng)測
- 上個(gè)月,nubia在京發(fā)布了努比亞Z7系列三款手機(jī),其中努比亞Z7 mini憑借千元價(jià)位、高端配置以及4G雙卡全網(wǎng)通的特性,成為一款千元極具性價(jià)比4G手機(jī)。努比亞Z7 mini配備了高通801高端四核處理器,并配備1080P屏幕,1300萬像素?cái)z像頭等主流硬件,配置上令人滿意。那么努比亞Z7 mini做工如何?高性價(jià)比是否意味著低至做工呢?下面的這篇“努比亞Z7 mini拆機(jī)圖評(píng)測”將會(huì)為大家揭曉答案。 努比亞Z7 mini做工怎么樣 nubi
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國內(nèi)山寨與國際大牌平板電腦拆解對(duì)比
- 國產(chǎn)平板從誕生到現(xiàn)在已走過了近三年的時(shí)間,雖然由于產(chǎn)品同質(zhì)化嚴(yán)重,創(chuàng)新性嚴(yán)重缺乏導(dǎo)致山寨的帽子一直沒有被脫下,但不得不承認(rèn),如今的國產(chǎn)平板不僅外觀做的足夠輕薄漂亮,使用體驗(yàn)也隨著性能的快速提升而與國際大品牌平板差距越來越小,而價(jià)格卻僅是大品牌平板的二分之一或三分之一甚至更多。這也讓許多人不禁有些好奇,價(jià)格差了這么多,國產(chǎn)平板與國際大品牌平板差距到底在哪里? 國內(nèi)山寨和國際大牌之間差距讓你看得見 隨著蘋果全
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努比亞Z5s mini拆機(jī)圖解
- 努比亞Z5S mini對(duì)于經(jīng)常關(guān)注手機(jī)的用戶一定不會(huì)陌生,這款國產(chǎn)自主品牌,低價(jià)位高配置、三網(wǎng)通吃、高像素、輕薄機(jī)身手機(jī)成為時(shí)下非常受歡迎的熱門機(jī)型。新一代Z5S mini相比上一代Z5 mini外觀變化不大,但大幅降低了機(jī)身厚度與整機(jī)重量,使得整機(jī)更為輕薄時(shí)尚,那么努比亞Z5S mini做工怎么樣,內(nèi)部設(shè)計(jì)又有哪些改變呢?以下為大家通過努比亞Z5s mini拆機(jī)圖解來詳細(xì)了解一番。 努比亞Z5s mini做工怎么樣 努比亞Z5s mini拆機(jī)圖解 努比亞Z5S
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基于STM32的植物生長動(dòng)態(tài)補(bǔ)光控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 在番茄的各個(gè)生長期,弱光環(huán)境都會(huì)對(duì)番茄的生長造成很大影響,所以需要對(duì)番茄的各個(gè)生長期進(jìn)行補(bǔ)光,至于怎么補(bǔ)更科學(xué)和補(bǔ)多少最適宜是學(xué)者們一直在研究的問題。 基于熒光檢測的動(dòng)態(tài)補(bǔ)光系統(tǒng)是利用MINI-PAM監(jiān)測番茄實(shí)際光合效率和LED組合光源補(bǔ)光相結(jié)合指導(dǎo)溫室番茄種植,定量的分析熒光參數(shù)并解決了科學(xué)適量補(bǔ)光問題。該系統(tǒng)由上位機(jī)總控制中心,自主開發(fā)設(shè)計(jì)的STM32單片機(jī)的溫室信息監(jiān)控系統(tǒng),提供穩(wěn)定電流的可編程恒流源,大功率紅、藍(lán)光LED組合光源和MINI-PAM便攜調(diào)制式熒光檢測儀組成。STM32單片機(jī)
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基于龍芯3B六核處理器的高性能桌面終端搶先體驗(yàn)
- 日前,龍芯公司推出了6核龍芯3B桌面解決方案。龍芯6核3B芯片是一個(gè)配置為6核的處理器,采用32nm工藝制造,最高工作主頻為1.2GHZ(低電壓)/1.5GHZ(高電壓)。作為龍芯的忠實(shí)粉絲,筆者第一時(shí)間從龍芯公司搶先拿到了3B六核桌面計(jì)算機(jī),對(duì)該款機(jī)器進(jìn)行了全面體驗(yàn)。 從外觀看,該機(jī)器采用mini itx規(guī)格,機(jī)箱更加小巧,簡單大方,符合現(xiàn)在主流桌面臺(tái)式機(jī)的外觀設(shè)計(jì)。 打開機(jī)箱,主機(jī)使用標(biāo)準(zhǔn)mini itx規(guī)格主板,板載AMD RS780E南橋芯片,配置1個(gè)千兆網(wǎng)絡(luò)接口,另外具有PC
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一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)簡介
- 因?yàn)镸OS晶體管的襯底或者與源極相連,或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設(shè)備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì)遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn),于是采用襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設(shè)計(jì)就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的原理是:在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓,以形成反型層,輸入信號(hào)加在襯底和源極之間,這樣閾值電壓就可以減小或從信號(hào)通路上得以避開。襯底驅(qū)動(dòng)MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應(yīng)晶體管,也就是一個(gè)耗盡型器件,它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
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mini-mos介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)mini-mos的理解,并與今后在此搜索mini-mos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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